2 دىيۇملۇق 6H-N كرېمنىي كاربىد ئاساسىي قەۋىتى Sic ۋافېر قوش پارقىراق ئۆتكۈزگۈچ ئاساسلىق دەرىجىلىك Mos دەرىجىسى

2 دىيۇملۇق 6H-N كرېمنىي كاربىد ئاساسى Sic ۋافېر قوش پارقىراقلاشتۇرۇلغان ئۆتكۈزگۈچ ئاساسلىق دەرىجىلىك Mos دەرىجىلىك ئالاھىدە رەسىم

قىسقىچە چۈشەندۈرۈش:

6H n تىپلىق كرېمنىي كاربىد (SiC) يەككە كرىستاللىق ئاساسىي ماتېرىيال يۇقىرى قۇۋۋەتلىك، يۇقىرى چاستوتالىق ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق ئېلېكترونلۇق قوللىنىشچان پروگراممىلاردا كەڭ قوللىنىلىدىغان مۇھىم يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىيال. ئالتە تەرەپلىك كرىستال قۇرۇلمىسى بىلەن داڭلىق بولغان 6H-N SiC كەڭ بەلۋاغ بوشلۇقى ۋە يۇقىرى ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى بىلەن تەمىنلەيدۇ، بۇ ئۇنى قاتتىق مۇھىتلارغا ماس كېلىدۇ.
بۇ ماتېرىيالنىڭ يۇقىرى پارچىلىنىش ئېلېكتر مەيدانى ۋە ئېلېكتروننىڭ ھەرىكەتچانلىقى ئەنئەنىۋى كرېمنىيدىن ياسالغان ئۈسكۈنىلەرگە قارىغاندا يۇقىرى توك بېسىمى ۋە تېمپېراتۇرىدا ئىشلىيەلەيدىغان MOSFET ۋە IGBT قاتارلىق ئۈنۈملۈك ئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەرنى تەرەققىي قىلدۇرۇشقا شارائىت ھازىرلايدۇ. ئۇنىڭ ئېسىل ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى ئۈنۈملۈك ئىسسىقلىق تارقىتىشنى كاپالەتلەندۈرىدۇ، بۇ يۇقىرى قۇۋۋەتلىك قوللىنىشچان پروگراممىلاردا ئىقتىدار ۋە ئىشەنچلىكلىكنى ساقلاشتا مۇھىم رول ئوينايدۇ.
رادىئو چاستوتا (RF) قوللىنىشلىرىدا، 6H-N SiC نىڭ خۇسۇسىيىتى يۇقىرى چاستوتىلاردا ئىشلەيدىغان ۋە ئۈنۈمىنى ئاشۇرىدىغان ئۈسكۈنىلەرنى ياساشنى قوللايدۇ. ئۇنىڭ خىمىيىلىك مۇقىملىقى ۋە رادىئاتسىيەگە قارشى تۇرۇش ئىقتىدارى ئۇنى ئاۋىئاتسىيە ۋە مۇداپىئە قاتارلىق قاتتىق مۇھىتلاردا ئىشلىتىشكە ماس كېلىدۇ.
بۇنىڭدىن باشقا، 6H-N SiC ئاساسىي ماتېرىياللىرى ئۇلترابىنەفشە نۇرلۇق فوتودېتېكتور قاتارلىق ئوپتوئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەرنىڭ مۇھىم بىر قىسمى بولۇپ، ئۇلارنىڭ كەڭ بەلۋاغ بوشلۇقى ئۇلترابىنەفشە نۇرنى ئۈنۈملۈك بايقاشقا شارائىت ھازىرلايدۇ. بۇ خۇسۇسىيەتلەرنىڭ بىرىكىشى 6H n تىپلىق SiC نى زامانىۋى ئېلېكترونلۇق ۋە ئوپتوئېلېكترونلۇق تېخنىكىلارنى ئىلگىرى سۈرۈشتە كۆپ ئىقتىدارلىق ۋە مۇھىم ماتېرىيالغا ئايلاندۇرىدۇ.

بىزگە ئېلخەت ئەۋەتىڭ

ئالاھىدىلىكلەر

كرېمنىي كاربىد لېنتىسىنىڭ ئالاھىدىلىكلىرى تۆۋەندىكىچە:

· مەھسۇلات نامى: SiC ئاساسىي قىسمى
· ئالتە تەرەپلىك قۇرۇلما: ئۆزگىچە ئېلېكترونلۇق خۇسۇسىيەتلەر.
· يۇقىرى ئېلېكترون ھەرىكەتچانلىقى: ~600 cm²/V·s.
· خىمىيىلىك مۇقىملىقى: چىرىشكە چىداملىق.
· رادىئاتسىيەگە قارشىلىق كۆرسىتىش: قاتتىق مۇھىتلارغا ماس كېلىدۇ.
· تۆۋەن ئىچكى توشۇغۇچى قويۇقلۇقى: يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا ئۈنۈملۈك.
· چىدامچانلىقى: كۈچلۈك مېخانىكىلىق خۇسۇسىيەتكە ئىگە.
· ئوپتوئېلېكترونلۇق ئىقتىدارى: ئۈنۈملۈك ئۇلترا بىنەپشە نۇرنى بايقاش.

كرېمنىي كاربىد ۋاپېلىنىڭ نۇرغۇن قوللىنىشچانلىقى بار

SiC ۋافېر قوللىنىشچانلىقى:
SiC (كرېمنىي كاربىد) ئاساسىي ماتېرىياللىرى يۇقىرى ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى، يۇقىرى ئېلېكتر مەيدانى كۈچلۈكلۈكى ۋە كەڭ بەلباغ بوشلۇقى قاتارلىق ئۆزگىچە خۇسۇسىيەتلىرى سەۋەبىدىن ھەر خىل يۇقىرى ئۈنۈملۈك قوللىنىشچان ساھەلەردە ئىشلىتىلىدۇ. تۆۋەندىكى بىر قانچە قوللىنىشچان پروگراممىلار تۆۋەندىكىچە:

1. ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى:
·يۇقىرى ۋولتلۇق MOSFETلار
·IGBT (ئىزولياتسىيەلىك دەرۋازا قوش قۇتۇپلۇق ترانزىستورلار)
·شوتكىي دىئودلىرى
· توك ئۆزگەرتكۈچ

2. يۇقىرى چاستوتالىق ئۈسكۈنىلەر:
·RF (رادىئو چاستوتا) كۈچەيتكۈچلىرى
·مىكرو دولقۇنلۇق ترانزىستورلار
· مىللىمېتىر دولقۇنلۇق ئۈسكۈنىلەر

3. يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى:
· قاتتىق مۇھىتلار ئۈچۈن سېنزورلار ۋە توك يوللىرى
· ئاۋىئاتسىيە ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى
·ئاپتوموبىل ئېلېكترون ئۈسكۈنىلىرى (مەسىلەن، ماتورنى كونترول قىلىش ئۈسكۈنىلىرى)

4. ئوپتوئېلېكترون:
· ئۇلترابىنەفشە نۇرلۇق فوتودېتېكتورلار
·يورۇقلۇق چىقىرىدىغان دىئودلار (LED)
·لازېر دىئودلىرى

5. قايتا ھاسىل بولىدىغان ئېنېرگىيە سىستېمىلىرى:
·قۇياش ئېنېرگىيەسى ئۆزگەرتكۈچلىرى
·شامال تۇربىنىسى ئۆزگەرتكۈچلىرى
· ئېلېكترلىك ئاپتوموبىللارنىڭ ھەرىكەتلەندۈرگۈچ كۈچ سىستېمىسى

6. سانائەت ۋە مۇداپىئە:
· رادار سىستېمىلىرى
· سۈنئىي ھەمراھ ئالاقىسى
· يادرو رېئاكتورى ئۈسكۈنىلىرى

SiC ۋافېر خاسلاشتۇرۇش

بىز سىزنىڭ ئالاھىدە تەلىپىڭىزگە ماس كېلىدىغان SiC ئاساسىي قەۋىتىنىڭ چوڭ-كىچىكلىكىنى خاسلاشتۇرالايمىز. بىز يەنە 10x10mm ياكى 5x5mm چوڭلۇقتىكى 4H-Semi HPSI SiC ۋاپپېرىنى تەمىنلەيمىز.
باھاسى قاپقا ئاساسەن بېكىتىلىدۇ، ئورالما تەپسىلاتلىرىنى ئۆزىڭىزنىڭ ئېھتىياجىڭىزغا ئاساسەن تەڭشىسىڭىز بولىدۇ.
يەتكۈزۈش ۋاقتى 2-4 ھەپتە ئىچىدە. بىز T/T ئارقىلىق پۇل تۆلەشنى قوبۇل قىلىمىز.
زاۋۇتىمىزدا ئىلغار ئىشلەپچىقىرىش ئۈسكۈنىلىرى ۋە تېخنىكىلىق گۇرۇپپىلار بار بولۇپ، ئۇلار خېرىدارلارنىڭ ئالاھىدە تەلىپىگە ئاساسەن SiC ۋافلىنىڭ ھەر خىل ئۆلچەملىرى، قېلىنلىقى ۋە شەكىللىرىنى خاسلاشتۇرالايدۇ.