4H-N 4 دىيۇملۇق SiC تارماق بەلۋاغ wafer كرېمنىي كاربون ئىشلەپچىقىرىش Dummy تەتقىقات دەرىجىسى

4 دىيۇملۇق كرېمنىي كاربون يەككە خرۇستال يەر ئاستى ۋافېر دىئامېتىرى 4 دىيۇم (تەخمىنەن 101.6 مىللىمېتىر) ، يۈزى Ra <0.5 nm غا يېتىدۇ ، قېلىنلىقى 600 ± 25 مىللىمېتىر. ۋافېرنىڭ ئۆتكۈزۈشچانلىقى N تىپى ياكى P تىپى بولۇپ ، خېرىدارلارنىڭ ئېھتىياجىغا ئاساسەن خاسلاشتۇرغىلى بولىدۇ. بۇنىڭدىن باشقا ، ئۆزەكنىڭ مېخانىكىلىق مۇقىملىقىمۇ ناھايىتى ياخشى بولۇپ ، مەلۇم مىقداردىكى بېسىم ۋە تەۋرىنىشكە بەرداشلىق بېرەلەيدۇ.

دىيۇملۇق كرېمنىي كاربون يەككە خرۇستال يەر ئاستى ۋافېر يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ، تەتقىقات ۋە ئوپتىكىلىق ئېلېكترون ساھەسىدە كەڭ قوللىنىلىدىغان يۇقىرى ئىقتىدارلىق ماتېرىيال. ئۇنىڭ ناھايىتى ياخشى ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى ، مېخانىكىلىق مۇقىملىقى ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرىغا چىدامچانلىقى بار ، ئۇ يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەرنى تەييارلاشقا ۋە يېڭى ماتېرىياللارنى تەتقىق قىلىشقا ماس كېلىدۇ. بىز خېرىدارلارنىڭ ھەر خىل ئېھتىياجىنى قاندۇرۇش ئۈچۈن ھەر خىل ئۆلچەم ۋە خاسلاشتۇرۇش تاللانمىلىرىنى تەمىنلەيمىز. كرېمنىي كاربون ۋافېرلىرىنىڭ مەھسۇلات ئۇچۇرىنى تېخىمۇ كۆپ بىلىش ئۈچۈن مۇستەقىل تور بېكىتىمىزگە دىققەت قىلىڭ.

ئاچقۇچلۇق خىزمەتلەر: كرېمنىي كاربون ۋافېر ، كرېمنىي كاربون يەككە خرۇستال يەر ئاستى ۋافېر ، 4 دىيۇم ، ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى ، مېخانىك مۇقىملىق ، يۇقىرى تېمپېراتۇرىغا چىداملىق ، توك ترانس ist ورتى ، توپلاشتۇرۇلغان توك يولى ، توك مودۇلى ، كارىۋات ، لازېر دىئود ، يەر يۈزىنى تاماملاش ، ئۆتكۈزۈشچانلىقى ، ئىختىيارى تاللاش