4H-N 4 دىيۇملۇق SiC ئاساسىي قەۋىتى ۋافېرى، كرېمنىي كاربىد ئىشلەپچىقىرىش مودېل تەتقىقات دەرىجىسى

4 دىيۇملۇق كرېمنىي كاربىد يەككە كىرىستاللىق ئاساس تاختىسىنىڭ دىئامېتىرى 4 دىيۇم (تەخمىنەن 101.6 مىللىمېتىر)، يۈزى Ra < 0.5 nm غىچە، قېلىنلىقى 600±25 μm. تاختىسىنىڭ ئۆتكۈزۈشچانلىقى N تىپلىق ياكى P تىپلىق بولۇپ، خېرىدارلارنىڭ ئېھتىياجىغا ئاساسەن خاسلاشتۇرغىلى بولىدۇ. بۇنىڭدىن باشقا، بۇ چىپ يەنە ئەلا مېخانىكىلىق مۇقىملىققا ئىگە بولۇپ، بەلگىلىك مىقداردىكى بېسىم ۋە تىترەشكە بەرداشلىق بېرەلەيدۇ.

ئىنچلىق كرېمنىي كاربىد يەككە كىرىستاللىق ئاساس تاختىسى يېرىم ئۆتكۈزگۈچ، تەتقىقات ۋە ئوپتوئېلېكترون ساھەسىدە كەڭ قوللىنىلىدىغان يۇقىرى ئىقتىدارلىق ماتېرىيال. ئۇ ئېسىل ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى، مېخانىكىلىق مۇقىملىقى ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرىغا چىداملىق بولۇپ، يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەرنى تەييارلاش ۋە يېڭى ماتېرىياللارنى تەتقىق قىلىشقا ماس كېلىدۇ. بىز خېرىدارلارنىڭ ھەر خىل ئېھتىياجىنى قاندۇرۇش ئۈچۈن ھەر خىل ئۆلچەملەر ۋە خاسلاشتۇرۇش تاللانمىلىرى بىلەن تەمىنلەيمىز. كرېمنىي كاربىد تاختىسىنىڭ مەھسۇلات ئۇچۇرلىرىنى تېخىمۇ كۆپ بىلىش ئۈچۈن مۇستەقىل تور بېتىمىزگە دىققەت قىلىڭ.

ئاساسلىق ئەسەرلىرى: كرېمنىي كاربىد لېنتىلىرى، كرېمنىي كاربىد يەككە كىرىستاللىق ئاساس لېنتىلىرى، 4 دىيۇملۇق، ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى، مېخانىكىلىق مۇقىملىق، يۇقىرى تېمپېراتۇرىغا قارشىلىق كۆرسىتىش، توك ترانزىستورلىرى، بىرلەشتۈرۈلگەن توك يولى، توك مودۇللىرى، LED چىراغلار، لازېر دىئودلىرى، يۈزەكى رەڭ، ئۆتكۈزۈشچانلىقى، خاسلاشتۇرۇلغان تاللاشلار