گاللىي نىترىد (GaN) كۆك ياقۇت ۋافېردا ئۆستۈرۈلگەن Epitaxial MEMS ئۈچۈن 4 دىيۇم 6 ئىنگلىز چىسى

قىسقىچە چۈشەندۈرۈش:

كۆك ياقۇت ۋافېردىكى Gallium Nitride (GaN) يۇقىرى چاستوتىلىق ۋە يۇقىرى قۇۋۋەتلىك قوللىنىشچان پروگراممىلارغا تەڭداشسىز ئىقتىدار بىلەن تەمىنلەيدۇ ، ئۇ كېيىنكى ئەۋلاد RF (رادىئو چاستوتىسى) ئالدى يۈز مودۇلى ، LED چىرىغى ۋە باشقا يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلىرىنىڭ كۆڭۈلدىكىدەك ماتېرىيالى ھېسابلىنىدۇ.GaNيۇقىرى بەلۋاغلىق بەلۋاغنى ئۆز ئىچىگە ئالغان ئەۋزەل ئېلېكتر ئالاھىدىلىكى ئەنئەنىۋى كرېمنىينى ئاساس قىلغان ئۈسكۈنىلەرگە قارىغاندا تېخىمۇ يۇقىرى پارچىلىنىش بېسىمى ۋە تېمپېراتۇرىدا مەشغۇلات قىلالايدۇ. GaN كرېمنىينىڭ كۈنسېرى قوبۇل قىلىنىشىغا ئەگىشىپ ، ئۇ ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرىنىڭ يېنىك ، كۈچلۈك ۋە ئۈنۈملۈك ماتېرىياللارنى تەلەپ قىلىدىغان ئىلگىرىلىشىنى ئىلگىرى سۈردى.


مەھسۇلات تەپسىلاتى

مەھسۇلات خەتكۈچلىرى

كۆك ياقۇت ۋافېردىكى GaN نىڭ خۇسۇسىيىتى

● يۇقىرى ئۈنۈم:GaN نى ئاساس قىلغان ئۈسكۈنىلەر كرېمنىينى ئاساس قىلغان ئۈسكۈنىلەرگە قارىغاندا بەش ھەسسە ئارتۇق كۈچ بىلەن تەمىنلەيدۇ ، RF كۈچەيتكۈچ ۋە ئوپتىكىلىق ئېلېكترون قاتارلىق ھەر خىل ئېلېكترونلۇق قوللىنىشچان پروگراممىلارنىڭ ئىقتىدارىنى ئۆستۈرىدۇ.
Band كەڭ بەلۋاغ:GaN نىڭ كەڭ بەلۋاغ يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا يۇقىرى ئۈنۈمگە ئېرىشىپ ، يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ۋە يۇقىرى چاستوتىلىق قوللىنىشچان پروگراممىلارغا ماس كېلىدۇ.
● چىدامچانلىقى:GaN نىڭ پەۋقۇلئاددە شارائىتنى (يۇقىرى تېمپېراتۇرا ۋە رادىئاتسىيە) بىر تەرەپ قىلىش ئىقتىدارى ناچار مۇھىتتا ئۇزۇن مۇددەت ئىشلەشكە كاپالەتلىك قىلىدۇ.
● Small Size:GaN ئەنئەنىۋى يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللىرىغا سېلىشتۇرغاندا تېخىمۇ ئىخچام ۋە يېنىك ئۈسكۈنىلەرنى ئىشلەپچىقىرىشقا شارائىت ھازىرلاپ ، كىچىك ۋە كۈچلۈك ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرىنى ئاسانلاشتۇرىدۇ.

قىسقىچە مەزمۇنى

Gallium Nitride (GaN) يۇقىرى قۇۋۋەت ۋە ئۈنۈم تەلەپ قىلىدىغان ئىلغار قوللىنىشچان پروگراممىلارنىڭ يېرىم ئۆتكۈزگۈچ تاللاش شەكلىدە بارلىققا كەلمەكتە ، مەسىلەن RF ئالدى مودۇل ، يۇقىرى سۈرئەتلىك خەۋەرلىشىش سىستېمىسى ۋە LED يورۇتۇش. GaN تارقىلىشچان ۋافېر كۆك ياقۇتنىڭ ئاستى قىسمىغا ئۆستۈرۈلگەندە ، يۇقىرى ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى ، يۇقىرى پارچىلىنىش بېسىمى ۋە كەڭ چاستوتا ئىنكاسى بىرلەشتۈرۈلگەن بولۇپ ، سىمسىز خەۋەرلىشىش ئۈسكۈنىلىرى ، رادار ۋە مۇراببالاردا ئەڭ ياخشى ئىقتىدارنىڭ ئاچقۇچى. بۇ ۋافېرلار 4 دىيۇملۇق ۋە 6 دىيۇملۇق دىئامېتىرىدا بار ، ئوخشىمىغان تېخنىكىلىق تەلەپكە ماس كېلىدىغان GaN قېلىنلىقى ئوخشىمايدۇ. GaN نىڭ ئۆزگىچە خۇسۇسىيىتى ئۇنى ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرىنىڭ كەلگۈسىدىكى ئاساسلىق كاندىداتى قىلىدۇ.

 

مەھسۇلات پارامېتىرلىرى

مەھسۇلات ئالاھىدىلىكى

Specification

Wafer Diameter 50mm ، 100mm ، 50.8mm
Substrate كۆك ياقۇت
GaN Layer Thickness 0.5 mm - 10 mm
GaN Type / Doping N تىپى (تەلەپكە ئاساسەن P تىپى بار)
GaN خرۇستال يۆنىلىش <0001>
سىلىقلاش تىپى تاق تەرەپ سىلىقلانغان (SSP) ، قوش يان سىلىقلانغان (DSP)
Al2O3 قېلىنلىق 430 mm - 650 mm
TTV (ئومۇمىي قېلىنلىقنىڭ ئۆزگىرىشى) ≤ 10 mm
Bow ≤ 10 mm
Warp ≤ 10 mm
Surface Area ئىشلىتىشكە بولىدىغان Surface رايونى> 90%

سوئال-جاۋاب

1-سوئال: ئەنئەنىۋى كرېمنىينى ئاساس قىلغان يېرىم ئۆتكۈزگۈچتىن GaN نى ئىشلىتىشنىڭ قانداق مۇھىم ئەۋزەللىكى بار؟

A1: GaN تېخىمۇ كەڭ بەلۋاغنى ئۆز ئىچىگە ئالغان كرېمنىيغا قارىغاندا بىر قانچە مۇھىم ئەۋزەللىك بىلەن تەمىنلەيدۇ ، ئۇ تېخىمۇ يۇقىرى پارچىلىنىش بېسىمىنى بىر تەرەپ قىلالايدۇ ۋە تېخىمۇ يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا ئۈنۈملۈك مەشغۇلات قىلالايدۇ. بۇ GaN نى RF مودۇلى ، قۇۋۋەت كۈچەيتكۈچ ۋە LED قاتارلىق يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ، يۇقىرى چاستوتىلىق قوللىنىشچان پروگراممىلارغا ماسلاشتۇرىدۇ. GaN نىڭ تېخىمۇ يۇقىرى قۇۋۋەت زىچلىقىنى بىر تەرەپ قىلىش ئىقتىدارى كىرىمنىينى ئاساس قىلغان تاللاشلارغا سېلىشتۇرغاندا كىچىك ۋە تېخىمۇ ئۈنۈملۈك ئۈسكۈنىلەرنى تەمىنلەيدۇ.

2-سوئال: ياقۇت ۋافېردىكى GaN نى MEMS (مىكرو ئېلېكتر-مېخانىك سىستېما) قوللىنىشچان پروگراممىلىرىدا ئىشلىتىشكە بولامدۇ؟

A2: شۇنداق ، ياقۇت ۋافېردىكى GaN MEMS قوللىنىشچان پروگراممىلىرىغا ماس كېلىدۇ ، بولۇپمۇ يۇقىرى قۇۋۋەت ، تېمپېراتۇرا مۇقىملىقى ۋە تۆۋەن شاۋقۇن تەلەپ قىلىنىدۇ. يۇقىرى چاستوتىلىق مۇھىتتىكى ماتېرىيالنىڭ چىدامچانلىقى ۋە ئۈنۈمى سىمسىز خەۋەرلىشىش ، سېزىش ۋە رادار سىستېمىسىدا ئىشلىتىلىدىغان MEMS ئۈسكۈنىلىرىگە ماس كېلىدۇ.

3-سوئال: GaN نىڭ سىمسىز ئالاقىدە قانداق قوللىنىشچان پروگراممىلىرى بار؟

A3: GaN سىمسىز خەۋەرلىشىش ئۈچۈن RF ئالدى يۈز مودۇلىدا كەڭ قوللىنىلىدۇ ، 5G ئۇل ئەسلىھە ، رادار سىستېمىسى ۋە مۇراببا قاتارلىقلار. ئۇنىڭ يۇقىرى قۇۋۋەت زىچلىقى ۋە ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى ئۇنى يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ، يۇقىرى چاستوتىلىق ئۈسكۈنىلەرگە ماسلاشتۇرىدۇ ، كرېمنىينى ئاساس قىلغان ھەل قىلىش لايىھىسىگە سېلىشتۇرغاندا تېخىمۇ ياخشى ئىقتىدار ۋە كىچىك شەكىل ئامىللىرىنى تەمىنلەيدۇ.

4-سوئال: كۆك ياقۇت ۋاگوندىكى GaN نىڭ قوغۇشۇن ۋاقتى ۋە ئەڭ تۆۋەن زاكاز مىقدارى قايسىلار؟

A4: باشلامچى ۋاقىت ۋە ئەڭ تۆۋەن زاكاز مىقدارى wafer نىڭ چوڭ-كىچىكلىكى ، GaN قېلىنلىقى ۋە خېرىدارلارنىڭ كونكرېت تەلىپىگە ئاساسەن ئوخشاش بولمايدۇ. ئۆلچىمىڭىزگە ئاساسەن تەپسىلىي باھا ۋە تەمىنات ئۈچۈن بىز بىلەن بىۋاسىتە ئالاقىلىشىڭ.

5-سوئال: مەن GaN قەۋىتىنىڭ قېلىنلىقى ياكى دوپپا دەرىجىسىگە ئېرىشەلەمدىم؟

A5: شۇنداق ، بىز ئالاھىدە قوللىنىشچان ئېھتىياجنى قاندۇرۇش ئۈچۈن GaN قېلىنلىقى ۋە دوپپا دەرىجىسىنى خاسلاشتۇرىمىز. لازىملىق ئۆلچىمىڭىزنى بىزگە بىلدۈرۈڭ ، بىز مۇۋاپىق ھەل قىلىش چارىسى بىلەن تەمىنلەيمىز.

تەپسىلىي دىئاگرامما

كۆك ياقۇتتا GaN03
كۆك ياقۇتتا GaN04
كۆك ياقۇتتا GaN05
كۆك ياقۇتتا GaN

  • ئالدىنقى:
  • كېيىنكى:

  • ئۇچۇرىڭىزنى بۇ يەرگە يېزىڭ ۋە بىزگە ئەۋەتىڭ