GaN Epitaxy wafer

ئەينەك 4-دىيۇمدىكى GaN: خاسلاشتۇرغىلى بولىدىغان ئەينەك تاللانمىلىرى JGS1 ، JGS2 ، BF33 ۋە ئادەتتىكى كۋارتسنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ.
كرېمنىيلىق ۋافېردىكى گاللىي نىترىد 4 دىيۇم 6 دىيۇملۇق ماسلاشتۇرۇلغان سى تارماق لىنىيىسى يۆنىلىشى ، قارشىلىق كۈچى ۋە N تىپلىق / P تىپلىق تاللاشلار
خاسلاشتۇرۇلغان GaN-on-SiC Epitaxial Wafers (100mm ، 150mm) - كۆپ SiC Substrate تاللانمىلىرى (4H-N, HPSI, 4H / 6H-P)
GaN-on-Diamond Wafers 4inch 6inch ئومۇمىي ئېپى قېلىنلىقى (مىكرو) 0.6 ~ 2.5 ياكى يۇقىرى چاستوتىلىق پروگراممىلار ئۈچۈن خاسلاشتۇرۇلغان