ئەينەك 4-دىيۇمدىكى GaN: خاسلاشتۇرغىلى بولىدىغان ئەينەك تاللانمىلىرى JGS1 ، JGS2 ، BF33 ۋە ئادەتتىكى كۋارتسنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ.
Features
Band كەڭ بەلۋاغ:GaN نىڭ 3.4 eV بەلۋاغ بار بولۇپ ، كرېمنىيغا ئوخشاش ئەنئەنىۋى يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللارغا سېلىشتۇرغاندا ، يۇقىرى بېسىملىق ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرا شارائىتىدا تېخىمۇ يۇقىرى ئۈنۈم ۋە تېخىمۇ ئۇزۇن چىداملىق بولىدۇ.
● خاسلاشتۇرغىلى بولىدىغان ئەينەك سۇبيېكتلىرى:ئوخشىمىغان ئىسسىقلىق ، مېخانىك ۋە ئوپتىكىلىق ئىقتىدار تەلىپىگە ماس كېلىدىغان JGS1 ، JGS2 ، BF33 ۋە ئادەتتىكى Quartz ئەينەك تاللاشلىرى بار.
● يۇقىرى ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى:GaN نىڭ يۇقىرى ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى ئۈنۈملۈك ئىسسىقلىقنىڭ تارقىلىشىغا كاپالەتلىك قىلىدۇ ، بۇ ۋافېرلار توك ئىشلىتىش ۋە يۇقىرى ئىسسىقلىق ھاسىل قىلىدىغان ئۈسكۈنىلەرگە ماس كېلىدۇ.
Break Breakdown Voltage:GaN نىڭ يۇقىرى بېسىملىق توكنى ساقلاش ئىقتىدارى بۇ ۋافېرلارنى توك ترانسزورتى ۋە يۇقىرى چاستوتىلىق قوللىنىشچان پروگراممىلارغا ماسلاشتۇرىدۇ.
● مۇنەۋۋەر مېخانىكىلىق كۈچ:ئەينەك تارماق زاپچاسلار GaN نىڭ خۇسۇسىيىتى بىلەن بىرلەشتۈرۈلۈپ ، كۈچلۈك مېخانىكىلىق كۈچ بىلەن تەمىنلەيدۇ ، تەلەپچان مۇھىتتا ۋافېرنىڭ چىدامچانلىقىنى ئاشۇرىدۇ.
Manufact ئىشلەپچىقىرىش تەننەرخى تۆۋەنلىتىلدى:ئەنئەنىۋى GaN-Silicon ياكى GaN-Sapphire wafers غا سېلىشتۇرغاندا ، GaN-ئەينەك يۇقىرى ئىقتىدارلىق ئۈسكۈنىلەرنى كەڭ كۆلەمدە ئىشلەپچىقىرىش ئۈچۈن تېخىمۇ ئەرزان ھەل قىلىش چارىسى.
● ماسلاشتۇرۇلغان ئوپتىكىلىق خۇسۇسىيىتى:ھەر خىل ئەينەك تاللاشلار ۋافېرنىڭ ئوپتىكىلىق ئالاھىدىلىكىنى خاسلاشتۇرالايدۇ ، ئوپتىكىلىق ئېلېكترون ۋە فوتونكا ئىلمىدىكى قوللىنىشچان پروگراممىلارغا ماس كېلىدۇ.
تېخنىكىلىق ئۆلچىمى
| پارامېتىر | قىممەت |
| Wafer Size | 4 دىيۇم |
| ئەينەك تارماق تاللاش تاللانمىلىرى | JGS1, JGS2, BF33, ئادەتتىكى كۋارتس |
| GaN Layer Thickness | 100 nm - 5000 nm (ئىختىيارىي) |
| GaN Bandgap | 3.4 eV (كەڭ بەلۋاغ) |
| پارچىلىنىش بېسىمى | 1200V غىچە |
| ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى | 1.3 - 2.1 W / cm · K. |
| Electron Mobility | 2000 cm² / V · s |
| Wafer Surface يىرىكلىكى | RMS ~ 0.25 nm (AFM) |
| GaN Sheet Resistance | 437.9 Ω · cm² |
| قارشىلىق | يېرىم ئىزولياتورلۇق ، N تىپلىق ، P تىپلىق (خاسلاشتۇرغىلى بولىدىغان) |
| ئوپتىكىلىق يوللاش | > كۆرگىلى بولىدىغان ۋە UV دولقۇن ئۇزۇنلۇقى ئۈچۈن% 80 |
| Wafer Warp | <25 µm (ئەڭ چوڭ) |
| Surface Finish | SSP (تاق تەرەپ سىلىقلانغان) |
قوللىنىشچان پروگراممىلار
Optoelectronics:
GaN ئۈستىدىكى ئەينەك ۋافېرلار كەڭ كۆلەمدە ئىشلىتىلىدۇLEDۋەلازېرلىق دىئودGaN نىڭ يۇقىرى ئۈنۈمى ۋە ئوپتىكىلىق ئىقتىدارى سەۋەبىدىن. قاتارلىق ئەينەك تارماقلارنى تاللاش ئىقتىدارىJGS1ۋەJGS2ئوپتىكىلىق سۈزۈكلۈكتە خاسلاشتۇرۇشقا يول قويىدۇ ، ئۇلارنى يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ، يورۇقلۇق دەرىجىسىگە ماسلاشتۇرىدۇكۆك / يېشىل LEDۋەUV لازېر.
Photonics:
GaN ئۈستىدىكى ئەينەك ۋافېرلار ماس كېلىدۇPhotodetectors, فوتون بىرىكمە توك يولى (PIC), andئوپتىك سېنزور. ئۇلارنىڭ ئېسىل نۇر يەتكۈزۈش خۇسۇسىيىتى ۋە يۇقىرى چاستوتىلىق قوللىنىشچان پروگراممىلارنىڭ يۇقىرى مۇقىملىقى ئۇلارنى ماسلاشتۇرىدۇخەۋەرلىشىشۋەسېنزور تېخنىكىسى.
Power Electronics:
كەڭ بەلۋاغ ۋە يۇقىرى پارچىلىنىش بېسىمى سەۋەبىدىن ، GaN ئەينەك ئەينىكى ئىشلىتىلىدۇيۇقىرى قۇۋۋەتلىك تىرانسفورموتورۋەيۇقىرى چاستوتىلىق توك ئۆزگەرتىش. GaN نىڭ يۇقىرى بېسىملىق ۋە ئىسسىقلىق تارقىتىشنى بىر تەرەپ قىلىش ئىقتىدارى ئۇنى مۇكەممەللەشتۈردىقۇۋۋەت كۈچەيتكۈچ, ئەركىن ئاسىيا رادىئوسى, andئېلېكترون مەھسۇلاتلىرىسانائەت ۋە ئىستېمال ئىلتىماسىدا.
يۇقىرى چاستوتىلىق قوللىنىشچان پروگراممىلار:
GaN ئۈستىدىكى ئەينەك ۋافېرلار ناھايىتى ئېسىل كۆرگەزمە قىلىنغانئېلېكترونلۇق يۆتكىلىشچانلىقىھەمدە يۇقىرى ئالماشتۇرۇش سۈرئىتىدە مەشغۇلات قىلالايدۇ ، ئۇلارنى كۆڭۈلدىكىدەك قىلالايدۇيۇقىرى چاستوتىلىق ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى, مىكرو دولقۇنلۇق ئۈسكۈنىلەر, andRF كۈچەيتكۈچ. بۇلار ھالقىلىق تەركىبلەر5G ئالاقە سىستېمىسى, رادار سىستېمىسى, andسۈنئىي ھەمراھ ئالاقىسى.
ئاپتوماتىك قوللىنىشچان پروگراممىلار:
GaN ئۈستىدىكى ئەينەك ۋافېرلار ماشىنا ئېلېكتر سىستېمىسىدىمۇ ئىشلىتىلىدۇ ، بولۇپمۇئايروپىلاندىكى توك قاچىلىغۇچ (OBCs)ۋەDC-DC ئايلاندۇرغۇچتوكلۇق ماشىنىلار ئۈچۈن. ۋافېرلارنىڭ يۇقىرى تېمپېراتۇرا ۋە توك بېسىمىنى بىر تەرەپ قىلىش ئىقتىدارى ئۇلارنى ئېلېكترون ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرىدا ئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەردە ئىشلىتىشكە شارائىت ھازىرلاپ ، تېخىمۇ يۇقىرى ئۈنۈم ۋە ئىشەنچلىكلىك بىلەن تەمىنلەيدۇ.
داۋالاش ئۈسكۈنىلىرى:
GaN نىڭ خۇسۇسىيىتىمۇ ئۇنى ئىشلىتىشكە جەلپ قىلىدىغان ماتېرىيالغا ئايلاندۇرىدۇداۋالاش تەسۋىرىۋەبىئولوگىيىلىك سېنزور. ئۇنىڭ يۇقىرى بېسىملىق ھەرىكەت ئىقتىدارى ۋە رادىئاتسىيەگە قارشى تۇرۇش ئىقتىدارى ئۇنى ئىشلىتىشكە ماس كېلىدۇدىئاگنوز قويۇش ئۈسكۈنىسىۋەmedical lasers.
سوئال-جاۋاب
1-سوئال: نېمە ئۈچۈن ئەينەكتىكى GaN كرېمنىي ياكى GaN- كۆك ياقۇتقا سېلىشتۇرغاندا ياخشى تاللاش؟
A1:GaN-on ئەينەك بىر نەچچە ئارتۇقچىلىق بىلەن تەمىنلەيدۇ ، بۇنىڭ ئىچىدەتەننەرخ ئۈنۈمىۋەتېخىمۇ ياخشى ئىسسىقلىق باشقۇرۇش. كرېمنىيدىكى GaN ۋە كۆك ياقۇت GaN نى ئەلا ئىقتىدار بىلەن تەمىنلىگەن بىلەن ، ئەينەك تارماق زاپچاسلار ئەرزان ، تېخىمۇ قۇلايلىق ، ئوپتىكىلىق ۋە مېخانىكىلىق خۇسۇسىيەت جەھەتتە خاسلاشتۇرغىلى بولىدۇ. بۇنىڭدىن باشقا ، GaN ئەينەك ئەينىكى ھەر ئىككىلىسىدە ناھايىتى ياخشى ئىقتىدار بىلەن تەمىنلەيدۇئوپتىكىلىقۋەيۇقىرى قۇۋۋەتلىك ئېلېكترونلۇق قوللىنىشچان پروگراممىلار.
2-سوئال: JGS1 ، JGS2 ، BF33 ۋە ئادەتتىكى Quartz ئەينەك تاللاشلىرىنىڭ قانداق پەرقى بار؟
A2:
- JGS1ۋەJGS2ئۇلار بىلەن تونۇلغان ئەلا سۈپەتلىك ئوپتىكىلىق ئەينەك بالايۇقىرى ئوپتىكىلىق سۈزۈكلۈكۋەتۆۋەن ئىسسىقلىق كېڭىيىش، ئۇلارنى فوتون ۋە ئوپتىكىلىق ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرىگە ماسلاشتۇرىدۇ.
- BF33ئەينەك تەمىنلەيدۇتېخىمۇ يۇقىرى سۇندۇرۇش كۆرسەتكۈچىھەمدە كۈچەيتىلگەن ئوپتىكىلىق ئىقتىدار تەلەپ قىلىدىغان قوللىنىشچان پروگراممىلارغا ماس كېلىدۇلازېرلىق دىئود.
- ئادەتتىكى كۋارتسيۇقىرى تەمىنلەيدۇئىسسىقلىق مۇقىملىقىۋەرادىئاتسىيەگە قارشى تۇرۇش، يۇقىرى تېمپېراتۇرا ۋە ناچار مۇھىت قوللىنىشقا ماس كېلىدۇ.
3-سوئال: GaN ئەينەكتىكى ۋافېرلارنىڭ قارشىلىق ۋە دوپپا تۈرىنى خاسلاشتۇرالامدىم؟
A3:ھەئە ، بىز تەمىنلەيمىزخاسلاشتۇرغىلى بولىدىغان قارشىلىقۋەدوپپا تىپى(N تىپلىق ياكى P تىپلىق) GaN ئۈستىدىكى ئەينەك ۋافېرلار ئۈچۈن. بۇ جانلىقلىق ۋافېرنى ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى ، LED ۋە فوتون سىستېمىسى قاتارلىق ئالاھىدە قوللىنىشچان پروگراممىلارغا ماسلاشتۇرالايدۇ.
4-سوئال: ئوپتىكىلىق ئېلېكترون تېخنىكىسىدىكى GaN ئەينەكتىكى تىپىك قوللىنىشچان پروگراممىلار قايسىلار؟
A4:ئوپتىكىلىق ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرىدا ، GaN ئۈستىدىكى ئەينەك ۋافېرلار ئادەتتە ئىشلىتىلىدۇكۆك ۋە يېشىل LED, UV لازېر, andPhotodetectors. ئەينەكنىڭ خاسلاشتۇرغىلى بولىدىغان ئوپتىكىلىق خۇسۇسىيىتى يۇقىرى ئۈسكۈنىلەرگە يول قويىدۇيورۇقلۇق يەتكۈزۈش، ئۇلارنى قوللىنىشچان پروگراممىلارغا ماسلاشتۇرىدۇتېخنىكىلارنى كۆرسىتىش, يورۇتۇش, andئوپتىك ئالاقە سىستېمىسى.
5-سوئال: GaN ئۈستىدىكى ئەينەك يۇقىرى چاستوتىلىق پروگراممىلاردا قانداق قىلىدۇ؟
A5:GaN-on-ئەينەك wafers تەمىنلەيدۇئېسىل ئېلېكترونلۇق يۆتكىلىشچانلىقى، ئۇلارنىڭ ياخشى نەتىجىگە ئېرىشىشىگە يول قويىدۇيۇقىرى چاستوتىلىق قوللىنىشچان پروگراممىلاردېگەندەكRF كۈچەيتكۈچ, مىكرو دولقۇنلۇق ئۈسكۈنىلەر, and5G ئالاقە سىستېمىسى. ئۇلارنىڭ يۇقىرى پارچىلىنىش بېسىمى ۋە تۆۋەن توك ئالماشتۇرۇش زىيىنى ئۇلارنى ماسلاشتۇرىدۇيۇقىرى قۇۋۋەتلىك RF ئۈسكۈنىلىرى.
6-سوئال: ئەينەكتىكى ۋافېرلارنىڭ تىپىك بۇزۇلۇش بېسىمى نېمە؟
A6:GaN ئۈستىدىكى ئەينەك ۋافېرلار ئادەتتە بۇزۇلۇش بېسىمىنى قوللايدۇ1200V، ئۇلارنى ماسلاشتۇرىدۇيۇقىرى قۇۋۋەتۋەيۇقىرى بېسىملىققوللىنىشچان پروگراممىلار. ئۇلارنىڭ كەڭ بەلۋاغ كەڭلىكى ئۇلارنىڭ كرېمنىيغا ئوخشاش ئادەتتىكى يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللىرىغا قارىغاندا تېخىمۇ يۇقىرى توك بېسىمىنى بىر تەرەپ قىلالايدۇ.
7-سوئال: ماشىنا قوللىنىشچان پروگراممىلىرىدا GaN ئۈستىدىكى ئەينەك ۋافېرلارنى ئىشلەتكىلى بولامدۇ؟
A7:شۇنداق ، ئەينەكتىكى WaN ئىشلىتىلىدۇماشىنا ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى، جۈملىدىنDC-DC ئايلاندۇرغۇچۋەئايروپىلاندىكى توك قاچىلىغۇچ(OBC) ئېلېكترونلۇق ماشىنىلار ئۈچۈن. ئۇلارنىڭ يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا مەشغۇلات قىلىش ۋە يۇقىرى بېسىمنى بىر تەرەپ قىلىش ئىقتىدارى ئۇلارنى بۇ تەلەپچان قوللىنىشچان پروگراممىلارغا ماسلاشتۇرىدۇ.
خۇلاسە
بىزنىڭ ئەينەك 4-ئىنچىكە Wafers دىكى GaN ئوپتىكىلىق ئېلېكترون ، ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى ۋە فوتونكا قاتارلىق كۆپ خىل قوللىنىشچان پروگراممىلارغا ئۆزگىچە ۋە خاسلاشتۇرغىلى بولىدىغان ھەل قىلىش چارىسى بىلەن تەمىنلەيدۇ. JGS1 ، JGS2 ، BF33 ۋە ئادەتتىكى كۋارتس قاتارلىق ئەينەك تارماق تاللاشلار بىلەن ، بۇ ۋافېرلار مېخانىك ۋە ئوپتىكىلىق خۇسۇسىيەتتە كۆپ خىل ئىقتىدار بىلەن تەمىنلەيدۇ ، يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ۋە يۇقىرى چاستوتىلىق ئۈسكۈنىلەرنىڭ ماس ھەل قىلىش چارىسىنى تەمىنلەيدۇ. مەيلى LED ، لازېرلىق دىئود ياكى RF قوللىنىشچان پروگراممىلىرى بولسۇن ، GaN ئۈستىدىكى ئەينەك ۋافېرلار
تەپسىلىي دىئاگرامما
