12 دىيۇملۇق ياقۇت رەڭلىك C تىپلىق تاختا SSP/DSP
تەپسىلىي دىئاگرامما
ياقۇت تونۇشتۇرۇش
ياقۇت تاش يۇقىرى ساپلىقتىكى سۈنئىي ئاليۇمىن ئوكسىد (Al₂O₃) دىن ياسالغان بىر خىل كىرىستاللىق ئاساسىي ماتېرىيال. چوڭ ياقۇت تاش كىرىستاللىرى Kyropoulos (KY) ياكى ئىسسىقلىق ئالماشتۇرۇش ئۇسۇلى (HEM) قاتارلىق ئىلغار ئۇسۇللار ئارقىلىق ئۆستۈرۈلىدۇ، ئاندىن كېسىش، يۆنىلىش بەلگىلەش، سىلىقلاش ۋە ئېنىق سىلىقلاش ئارقىلىق پىششىقلىنىدۇ. ئالاھىدە فىزىكىلىق، ئوپتىكىلىق ۋە خىمىيىلىك خۇسۇسىيەتلىرى سەۋەبىدىن، ياقۇت تاش يېرىم ئۆتكۈزگۈچ، ئوپتوئېلېكترون ۋە يۇقىرى دەرىجىلىك ئىستېمال ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى ساھەلىرىدە ئورنىنى ئالالمايدىغان رول ئوينايدۇ.
ئاساسلىق ياقۇت سىنتېزلاش ئۇسۇللىرى
| ئۇسۇل | پرىنسىپ | ئەۋزەللىكلىرى | ئاساسلىق قوللىنىشلار |
|---|---|---|---|
| ۋېرنېيل ئۇسۇلى(ئوت بىرىكمىسى) | يۇقىرى ساپلىقتىكى Al₂O₃ پاراشوكى ئوكسىگېن ئوتىدا ئېرىتىلىدۇ، تامچىلار ئۇرۇقنىڭ ئۈستىدە قەۋەت-قەۋەت قېتىپ قالىدۇ. | تۆۋەن باھا، يۇقىرى ئۈنۈملۈك، نىسبەتەن ئاددىي جەريان | قىممەتلىك قەغەز سۈپەتلىك ياقۇتلار، دەسلەپكى ئوپتىكىلىق ماتېرىياللار |
| چوخرالسكى ئۇسۇلى (CZ) | Al₂O₃ ئېرىتىلىدىغان قازاندا ئېرىتىلىدۇ، ئاندىن ئۇرۇق كرىستالى ئاستا-ئاستا يۇقىرىغا تارتىلىپ، كرىستال ئۆسىدۇ. | نىسبەتەن چوڭ، پۈتۈنلۈكى ياخشى كىرىستاللارنى ھاسىل قىلىدۇ | لازېر كرىستاللىرى، ئوپتىكىلىق دېرىزىلەر |
| كىروپولوس ئۇسۇلى (KY) | كونترول قىلىنىدىغان ئاستا سوۋۇتۇش كىرىستالنىڭ تېشىك ئىچىدە ئاستا-ئاستا ئۆسۈشىگە يول قويىدۇ | چوڭ، بېسىمى تۆۋەن كرىستاللارنى (ئون نەچچە كىلوگرام ياكى ئۇنىڭدىن يۇقىرى) ئۆستۈرۈش ئىقتىدارىغا ئىگە. | LED ئاساسىي تاختىلىرى، ئەقلىي تېلېفون ئېكرانى، ئوپتىكىلىق زاپچاسلار |
| HEM ئۇسۇلى(ئىسسىقلىق ئالماشتۇرۇش) | سوۋۇتۇش ئوچاقنىڭ ئۈستى تەرىپىدىن باشلىنىدۇ، كرىستاللار ئۇرۇقدىن تۆۋەنگە قاراپ ئۆسىدۇ | ناھايىتى چوڭ (يۈزلەرچە كىلوگرامغىچە) كىرىستاللارنى ئىشلەپچىقىرىدۇ، سۈپىتى بىردەك. | چوڭ ئوپتىكىلىق دېرىزىلەر، ئاۋىئاتسىيە، ھەربىي ئوپتىكىلار |
كىرىستال يۆنىلىشى
| يۆنىلىش / تۈزلەڭلىك | مىللېر كۆرسەتكۈچى | ئالاھىدىلىكلىرى | ئاساسلىق قوللىنىشلار |
|---|---|---|---|
| C تىپلىق تۈزلەڭلىك | (0001) | c ئوقىغا پېرپېندىكۇلار، قۇتۇپ يۈزى، ئاتوملار بىردەك تىزىلغان | LED، لازېر دىئودلىرى، GaN ئېپىتاكسىيال ئاساسلىرى (ئەڭ كۆپ ئىشلىتىلىدىغان) |
| A تىپلىق ئايروپىلان | (11-20) | c ئوقىغا پاراللېل، قۇتۇپسىز يۈزە بولۇپ، قۇتۇپلىشىش تەسىرىدىن ساقلىنىدۇ. | قۇتۇپسىز GaN ئېپىتاكسىيەسى، ئوپتوئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەر |
| M تىپلىق ئايروپىلان | (10-10) | c ئوقىغا پاراللېل، قۇتۇپسىز، يۇقىرى سىممېترىيەلىك | يۇقىرى ئىقتىدارلىق GaN ئېپىتاكسىيە، ئوپتوئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەر |
| R-تەييارلىق | (1-102) | c ئوقىغا مايىل، ئوپتىكىلىق خۇسۇسىيىتى ناھايىتى ياخشى | ئوپتىكىلىق دېرىزىلەر، ئىنفىرا قىزىل نۇر دېتېكتورلىرى، لازېر زاپچاسلىرى |
ياقۇت ۋافلىنىڭ ئۆلچىمى (خاسلاشتۇرغىلى بولىدۇ)
| بۇيۇم | 1 دىيۇملۇق C شەكىللىك تەكشىلىك (0001) 430μm ياقۇت ۋاپشىرى | |
| كىرىستال ماتېرىياللار | 99,999%، يۇقىرى ساپلىق، مونوكرىستاللىق Al2O3 | |
| دەرىجە | باش، ئېپى-رېئادى | |
| يۈزە يۆنىلىشى | C-تەييارلىق (0001) | |
| C تەكشىلىكىنىڭ M ئوقىغا قاراپ بۇرۇلۇش بۇلۇڭى 0.2 +/- 0.1° | ||
| دىئامېتىر | 25.4 مىللىمېتىر +/- 0.1 مىللىمېتىر | |
| قېلىنلىقى | 430 μm +/- 25 μm | |
| بىر تەرەپ سىلىقلانغان | ئالدى يۈز | ئېپى-سىلىقلانغان، Ra < 0.2 nm (AFM ئارقىلىق) |
| (SSP) | ئارقا يۈز | نېپىز يەر، Ra = 0.8 μm دىن 1.2 μm غىچە |
| قوش تەرەپ سىلىقلانغان | ئالدى يۈز | ئېپى-سىلىقلانغان، Ra < 0.2 nm (AFM ئارقىلىق) |
| (DSP) | ئارقا يۈز | ئېپى-سىلىقلانغان، Ra < 0.2 nm (AFM ئارقىلىق) |
| TTV | < 5 μm | |
| ياي | < 5 μm | |
| WARP | < 5 μm | |
| تازىلاش / ئورالما | 100-دەرىجىلىك پاكىز ئۆي تازىلاش ۋە ۋاكۇئۇم ئورالمىسى، | |
| بىر كاسسېتتا ياكى يەككە پارچە ئورالمىدا 25 پارچە. | ||
| بۇيۇم | 2 دىيۇملۇق C شەكىللىك تەكشىلىك (0001) 430μm ياقۇت ۋاپشىرى | |
| كىرىستال ماتېرىياللار | 99,999%، يۇقىرى ساپلىق، مونوكرىستاللىق Al2O3 | |
| دەرىجە | باش، ئېپى-رېئادى | |
| يۈزە يۆنىلىشى | C-تەييارلىق (0001) | |
| C تەكشىلىكىنىڭ M ئوقىغا قاراپ بۇرۇلۇش بۇلۇڭى 0.2 +/- 0.1° | ||
| دىئامېتىر | 50.8 مىللىمېتىر +/- 0.1 مىللىمېتىر | |
| قېلىنلىقى | 430 μm +/- 25 μm | |
| ئاساسلىق تۈزلەڭلىك يۆنىلىشى | A شەكىللىك تۈزلەڭلىك (11-20) +/- 0.2° | |
| ئاساسلىق تۈز ئۇزۇنلۇقى | 16.0 مىللىمېتىر +/- 1.0 مىللىمېتىر | |
| بىر تەرەپ سىلىقلانغان | ئالدى يۈز | ئېپى-سىلىقلانغان، Ra < 0.2 nm (AFM ئارقىلىق) |
| (SSP) | ئارقا يۈز | نېپىز يەر، Ra = 0.8 μm دىن 1.2 μm غىچە |
| قوش تەرەپ سىلىقلانغان | ئالدى يۈز | ئېپى-سىلىقلانغان، Ra < 0.2 nm (AFM ئارقىلىق) |
| (DSP) | ئارقا يۈز | ئېپى-سىلىقلانغان، Ra < 0.2 nm (AFM ئارقىلىق) |
| TTV | < 10 μm | |
| ياي | < 10 μm | |
| WARP | < 10 μm | |
| تازىلاش / ئورالما | 100-دەرىجىلىك پاكىز ئۆي تازىلاش ۋە ۋاكۇئۇم ئورالمىسى، | |
| بىر كاسسېتتا ياكى يەككە پارچە ئورالمىدا 25 پارچە. | ||
| بۇيۇم | 3 دىيۇملۇق C شەكىللىك تەكشىلىك (0001) 500μm ياقۇت ۋاپشىرى | |
| كىرىستال ماتېرىياللار | 99,999%، يۇقىرى ساپلىق، مونوكرىستاللىق Al2O3 | |
| دەرىجە | باش، ئېپى-رېئادى | |
| يۈزە يۆنىلىشى | C-تەييارلىق (0001) | |
| C تەكشىلىكىنىڭ M ئوقىغا قاراپ بۇرۇلۇش بۇلۇڭى 0.2 +/- 0.1° | ||
| دىئامېتىر | 76.2 مىللىمېتىر +/- 0.1 مىللىمېتىر | |
| قېلىنلىقى | 500 μm +/- 25 μm | |
| ئاساسلىق تۈزلەڭلىك يۆنىلىشى | A شەكىللىك تۈزلەڭلىك (11-20) +/- 0.2° | |
| ئاساسلىق تۈز ئۇزۇنلۇقى | 22.0 مىللىمېتىر +/- 1.0 مىللىمېتىر | |
| بىر تەرەپ سىلىقلانغان | ئالدى يۈز | ئېپى-سىلىقلانغان، Ra < 0.2 nm (AFM ئارقىلىق) |
| (SSP) | ئارقا يۈز | نېپىز يەر، Ra = 0.8 μm دىن 1.2 μm غىچە |
| قوش تەرەپ سىلىقلانغان | ئالدى يۈز | ئېپى-سىلىقلانغان، Ra < 0.2 nm (AFM ئارقىلىق) |
| (DSP) | ئارقا يۈز | ئېپى-سىلىقلانغان، Ra < 0.2 nm (AFM ئارقىلىق) |
| TTV | < 15 μm | |
| ياي | < 15 μm | |
| WARP | < 15 μm | |
| تازىلاش / ئورالما | 100-دەرىجىلىك پاكىز ئۆي تازىلاش ۋە ۋاكۇئۇم ئورالمىسى، | |
| بىر كاسسېتتا ياكى يەككە پارچە ئورالمىدا 25 پارچە. | ||
| بۇيۇم | 4 دىيۇملۇق C شەكىللىك تەكشىلىك (0001) 650μm ياقۇت ۋاپشىرى | |
| كىرىستال ماتېرىياللار | 99,999%، يۇقىرى ساپلىق، مونوكرىستاللىق Al2O3 | |
| دەرىجە | باش، ئېپى-رېئادى | |
| يۈزە يۆنىلىشى | C-تەييارلىق (0001) | |
| C تەكشىلىكىنىڭ M ئوقىغا قاراپ بۇرۇلۇش بۇلۇڭى 0.2 +/- 0.1° | ||
| دىئامېتىر | 100.0 مىللىمېتىر +/- 0.1 مىللىمېتىر | |
| قېلىنلىقى | 650 μm +/- 25 μm | |
| ئاساسلىق تۈزلەڭلىك يۆنىلىشى | A شەكىللىك تۈزلەڭلىك (11-20) +/- 0.2° | |
| ئاساسلىق تۈز ئۇزۇنلۇقى | 30.0 مىللىمېتىر +/- 1.0 مىللىمېتىر | |
| بىر تەرەپ سىلىقلانغان | ئالدى يۈز | ئېپى-سىلىقلانغان، Ra < 0.2 nm (AFM ئارقىلىق) |
| (SSP) | ئارقا يۈز | نېپىز يەر، Ra = 0.8 μm دىن 1.2 μm غىچە |
| قوش تەرەپ سىلىقلانغان | ئالدى يۈز | ئېپى-سىلىقلانغان، Ra < 0.2 nm (AFM ئارقىلىق) |
| (DSP) | ئارقا يۈز | ئېپى-سىلىقلانغان، Ra < 0.2 nm (AFM ئارقىلىق) |
| TTV | < 20 μm | |
| ياي | < 20 μm | |
| WARP | < 20 μm | |
| تازىلاش / ئورالما | 100-دەرىجىلىك پاكىز ئۆي تازىلاش ۋە ۋاكۇئۇم ئورالمىسى، | |
| بىر كاسسېتتا ياكى يەككە پارچە ئورالمىدا 25 پارچە. | ||
| بۇيۇم | 6 دىيۇملۇق C شەكىللىك تەكشىلىك (0001) 1300μm ياقۇت ۋاپشىرى | |
| كىرىستال ماتېرىياللار | 99,999%، يۇقىرى ساپلىق، مونوكرىستاللىق Al2O3 | |
| دەرىجە | باش، ئېپى-رېئادى | |
| يۈزە يۆنىلىشى | C-تەييارلىق (0001) | |
| C تەكشىلىكىنىڭ M ئوقىغا قاراپ بۇرۇلۇش بۇلۇڭى 0.2 +/- 0.1° | ||
| دىئامېتىر | 150.0 مىللىمېتىر +/- 0.2 مىللىمېتىر | |
| قېلىنلىقى | 1300 μm +/- 25 μm | |
| ئاساسلىق تۈزلەڭلىك يۆنىلىشى | A شەكىللىك تۈزلەڭلىك (11-20) +/- 0.2° | |
| ئاساسلىق تۈز ئۇزۇنلۇقى | 47.0 مىللىمېتىر +/- 1.0 مىللىمېتىر | |
| بىر تەرەپ سىلىقلانغان | ئالدى يۈز | ئېپى-سىلىقلانغان، Ra < 0.2 nm (AFM ئارقىلىق) |
| (SSP) | ئارقا يۈز | نېپىز يەر، Ra = 0.8 μm دىن 1.2 μm غىچە |
| قوش تەرەپ سىلىقلانغان | ئالدى يۈز | ئېپى-سىلىقلانغان، Ra < 0.2 nm (AFM ئارقىلىق) |
| (DSP) | ئارقا يۈز | ئېپى-سىلىقلانغان، Ra < 0.2 nm (AFM ئارقىلىق) |
| TTV | < 25 μm | |
| ياي | < 25 μm | |
| WARP | < 25 μm | |
| تازىلاش / ئورالما | 100-دەرىجىلىك پاكىز ئۆي تازىلاش ۋە ۋاكۇئۇم ئورالمىسى، | |
| بىر كاسسېتتا ياكى يەككە پارچە ئورالمىدا 25 پارچە. | ||
| بۇيۇم | 8 دىيۇملۇق C شەكىللىك تەكشىلىك (0001) 1300μm ياقۇت ۋاپشىرى | |
| كىرىستال ماتېرىياللار | 99,999%، يۇقىرى ساپلىق، مونوكرىستاللىق Al2O3 | |
| دەرىجە | باش، ئېپى-رېئادى | |
| يۈزە يۆنىلىشى | C-تەييارلىق (0001) | |
| C تەكشىلىكىنىڭ M ئوقىغا قاراپ بۇرۇلۇش بۇلۇڭى 0.2 +/- 0.1° | ||
| دىئامېتىر | 200.0 مىللىمېتىر +/- 0.2 مىللىمېتىر | |
| قېلىنلىقى | 1300 μm +/- 25 μm | |
| بىر تەرەپ سىلىقلانغان | ئالدى يۈز | ئېپى-سىلىقلانغان، Ra < 0.2 nm (AFM ئارقىلىق) |
| (SSP) | ئارقا يۈز | نېپىز يەر، Ra = 0.8 μm دىن 1.2 μm غىچە |
| قوش تەرەپ سىلىقلانغان | ئالدى يۈز | ئېپى-سىلىقلانغان، Ra < 0.2 nm (AFM ئارقىلىق) |
| (DSP) | ئارقا يۈز | ئېپى-سىلىقلانغان، Ra < 0.2 nm (AFM ئارقىلىق) |
| TTV | < 30 μm | |
| ياي | < 30 μm | |
| WARP | < 30 μm | |
| تازىلاش / ئورالما | 100-دەرىجىلىك پاكىز ئۆي تازىلاش ۋە ۋاكۇئۇم ئورالمىسى، | |
| يەككە پارچە ئورالما. | ||
| بۇيۇم | 12 دىيۇملۇق C شەكىللىك تەكشىلىك (0001) 1300μm ياقۇت ۋاپشىرى | |
| كىرىستال ماتېرىياللار | 99,999%، يۇقىرى ساپلىق، مونوكرىستاللىق Al2O3 | |
| دەرىجە | باش، ئېپى-رېئادى | |
| يۈزە يۆنىلىشى | C-تەييارلىق (0001) | |
| C تەكشىلىكىنىڭ M ئوقىغا قاراپ بۇرۇلۇش بۇلۇڭى 0.2 +/- 0.1° | ||
| دىئامېتىر | 300.0 مىللىمېتىر +/- 0.2 مىللىمېتىر | |
| قېلىنلىقى | 3000 μm +/- 25 μm | |
| بىر تەرەپ سىلىقلانغان | ئالدى يۈز | ئېپى-سىلىقلانغان، Ra < 0.2 nm (AFM ئارقىلىق) |
| (SSP) | ئارقا يۈز | نېپىز يەر، Ra = 0.8 μm دىن 1.2 μm غىچە |
| قوش تەرەپ سىلىقلانغان | ئالدى يۈز | ئېپى-سىلىقلانغان، Ra < 0.2 nm (AFM ئارقىلىق) |
| (DSP) | ئارقا يۈز | ئېپى-سىلىقلانغان، Ra < 0.2 nm (AFM ئارقىلىق) |
| TTV | < 30 μm | |
| ياي | < 30 μm | |
| WARP | < 30 μm | |
ياقۇت ۋافلى ئىشلەپچىقىرىش جەريانى
-
كىرىستال ئۆسۈش
-
كىروسپولوس (KY) ئۇسۇلى ئارقىلىق مەخسۇس كىرىستال ئۆستۈرۈش ئوچاقلىرىدا 100–400 كىلوگراملىق ساپفرۇت بۇللىرىنى ئۆستۈرۈڭ.
-
-
قۇيۇش تېشىش ۋە شەكىللەندۈرۈش
-
بۇرغىلاش تۇڭى ئىشلىتىپ، توپنى دىئامېتىرى 2-6 دىيۇم، ئۇزۇنلۇقى 50-200 مىللىمېتىر كېلىدىغان سىلىندىر شەكىللىك قۇيمىلارغا ئايلاندۇرۇڭ.
-
-
تۇنجى قېتىم قىزىتىش
-
قۇيۇلغان تاشلارنىڭ نۇقسانلىرىنى تەكشۈرۈپ، ئىچكى بېسىمنى يېنىكلىتىش ئۈچۈن تۇنجى قېتىم يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا قىزىتىشنى ئېلىپ بېرىڭ.
-
-
كىرىستال يۆنىلىشى
-
يۆنىلىش ئەسۋابلىرى ئارقىلىق ياقۇت قۇيمىسىنىڭ ئېنىق يۆنىلىشىنى (مەسىلەن، C تەكشىلىكى، A تەكشىلىكى، R تەكشىلىكى) بېكىتىڭ.
-
-
كۆپ سىملىق ئاررا كېسىش
-
كۆپ سىملىق كېسىش ئۈسكۈنىلىرى ئارقىلىق، قۇيما قەغەزنى لازىملىق قېلىنلىققا ئاساسەن نېپىز ۋاپپىلارغا كېسىڭ.
-
-
دەسلەپكى تەكشۈرۈش ۋە ئىككىنچى قېتىم قىزىتىش
-
كېسىلگەن ۋافرىلارنى (قالىنلىقى، تۈزلىكى، يۈزەكى نۇقسانلىرى) تەكشۈرۈڭ.
-
كىرىستال سۈپىتىنى تېخىمۇ ياخشىلاش ئۈچۈن لازىم بولسا يەنە بىر قېتىم قىزىتىڭ.
-
-
پەردە قىرقىش، سىلىقلاش ۋە CMP سىلىقلاش
-
ئەينەك يۈزىگە ئېرىشىش ئۈچۈن، ئالاھىدە ئۈسكۈنىلەر بىلەن قىيام چىقىرىش، يۈزە سىلىقلاش ۋە خىمىيىلىك مېخانىكىلىق سىلىقلاش (CMP) خىزمەتلىرىنى قىلىڭ.
-
-
تازىلاش
-
تازا ئۆي مۇھىتىدا ئىنتايىن ساپ سۇ ۋە خىمىيىلىك ماددىلارنى ئىشلىتىپ، ۋافلىلارنى پاكىز تازىلاپ، زەررىچىلەر ۋە بۇلغىنىشلارنى چىقىرىۋېتىڭ.
-
-
ئوپتىكىلىق ۋە فىزىكىلىق تەكشۈرۈش
-
ئۆتكۈزۈشچانلىقنى بايقاش ۋە ئوپتىكىلىق سانلىق مەلۇماتلارنى خاتىرىلەش.
-
TTV (ئومۇمىي قېلىنلىق ئۆزگىرىشى)، ئېگىلىش، بۇرۇلۇش، يۆنىلىش توغرىلىقى ۋە يۈزەكى پۇراقلىق قاتارلىق ۋافېر پارامېتىرلىرىنى ئۆلچەڭ.
-
-
قاپلاش (تاللاشچان)
-
خېرىدارنىڭ تەلىپىگە ئاساسەن سىرلارنى (مەسىلەن، AR سىرلىرى، قوغداش قەۋىتى) سۈرۈڭ.
-
ئاخىرقى تەكشۈرۈش ۋە ئورالما
-
پاكىز ئۆيدە %100 سۈپەت تەكشۈرۈشى ئېلىپ بېرىڭ.
-
ۋاپلىلارنى 100-دەرىجىلىك پاكىزلىق شارائىتىدا كاسسىتا قۇتىسىغا قاچىلاڭ ۋە توشۇشتىن بۇرۇن ۋاكۇئۇم بىلەن پېچەتلەڭ.
ياقۇت ۋافلىلىرىنىڭ قوللىنىلىشى
ياقۇت تاختايلىرى ئالاھىدە قاتتىقلىقى، كۆزگە كۆرۈنەرلىك ئوپتىكىلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى، ئېسىل ئىسسىقلىق ئىقتىدارى ۋە ئېلېكتر ئىسسىقلىق ساقلاش ئىقتىدارى بىلەن نۇرغۇن كەسىپلەردە كەڭ قوللىنىلىۋاتىدۇ. ئۇلارنىڭ قوللىنىلىشى پەقەت ئەنئەنىۋى LED ۋە ئوپتوئېلېكترون سانائىتىنىلا قاپلاپ قالماي، يەنە يېرىم ئۆتكۈزگۈچ، ئىستېمال ئېلېكترون سانائىتى، ئىلغار ئاۋىئاتسىيە ۋە مۇداپىئە ساھەلىرىگىمۇ كېڭىيىۋاتىدۇ.
1. يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ۋە ئوپتوئېلېكترون
LED ئاساسىي لامپىلىرى
ياقۇت تاشلىرى گاللىي نىترىد (GaN) ئېپىتاكسىيال ئۆسۈشىنىڭ ئاساسلىق ئاساسى بولۇپ، كۆك LED، ئاق LED ۋە كىچىك/مىكرو LED تېخنىكىلىرىدا كەڭ قوللىنىلىدۇ.
لازېر دىئودلىرى (LDs)
GaN ئاساسلىق لازېر دىئودلىرىنىڭ ئاساسىي ماتېرىيالى سۈپىتىدە، كۆك ياقۇت تاختايلىرى يۇقىرى قۇۋۋەتلىك، ئۇزۇن ئۆمۈرلۈك لازېر ئۈسكۈنىلىرىنىڭ تەرەققىياتىغا ياردەم بېرىدۇ.
Photodetectors
ئۇلترابىنەفشە ۋە ئىنفىرا قىزىل نۇرلۇق فوتودېتېكتورلاردا، كۆك ياقۇت تاختايلىرى كۆپىنچە شەفاف دېرىزە ۋە ئىزولياتسىيە ئاساسى سۈپىتىدە ئىشلىتىلىدۇ.
2. يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلەر
RFIC (رادىئو چاستوتا ئىنتېگراللاشتۇرۇلغان توك يولى)
ئەلا سۈپەتلىك ئېلېكتر ئىزولياتسىيەسى سەۋەبىدىن، كۆك ياقۇت تاختايلىرى يۇقىرى چاستوتىلىق ۋە يۇقىرى قۇۋۋەتلىك مىكرو دولقۇن ئۈسكۈنىلىرى ئۈچۈن ئەڭ ياخشى ئاساس بولۇپ ھېسابلىنىدۇ.
ياقۇت ئۈستىدىكى كرېمنىي (SoS) تېخنىكىسى
SoS تېخنىكىسىنى قوللىنىش ئارقىلىق، پارازىت سىغىمچانلىقىنى زور دەرىجىدە تۆۋەنلىتىپ، توك يولىنىڭ ئىقتىدارىنى ئاشۇرغىلى بولىدۇ. بۇ، رادىئو چاستوتا ئالاقىسى ۋە ئاۋىئاتسىيە ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى ساھەسىدە كەڭ قوللىنىلىدۇ.
3. ئوپتىكىلىق قوللىنىشچان پروگراممىلار
ئىنفىرا قىزىل نۇرلۇق ئوپتىكىلىق دېرىزىلەر
200 nm دىن 5000 nm غىچە بولغان دولقۇن ئۇزۇنلۇقى دائىرىسىدە يۇقىرى ئۆتكۈزۈشچانلىقىغا ئىگە بولغان ياقۇت ئىنفىرا قىزىل نۇر دېتېكتورلىرى ۋە ئىنفىرا قىزىل نۇر يېتەكلەش سىستېمىلىرىدا كەڭ قوللىنىلىدۇ.
يۇقىرى قۇۋۋەتلىك لازېرلىق دېرىزىلەر
ياقۇتنىڭ قاتتىقلىقى ۋە ئىسسىقلىققا چىدامچانلىقى ئۇنى يۇقىرى قۇۋۋەتلىك لازېر سىستېمىسىدىكى قوغداش دېرىزىلىرى ۋە ئەينەكلىرى ئۈچۈن ئېسىل ماتېرىيالغا ئايلاندۇرىدۇ.
4. ئىستېمال ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى
كامېرا لىنزىسىنىڭ قاپقىقى
ياقۇتنىڭ يۇقىرى قاتتىقلىقى ئەقلىي تېلېفون ۋە كامېرا لىنزىلىرىنىڭ چىزىلىشقا چىداملىق بولۇشىنى كاپالەتلەندۈرىدۇ.
بارماق ئىزى سېنزورلىرى
كۆك ياقۇت تاختايلىرى چىداملىق، سۈزۈك قاپاق بولۇپ، بارماق ئىزىنى تونۇشنىڭ توغرىلىقى ۋە ئىشەنچلىكلىكىنى ئاشۇرالايدۇ.
ئەقلىي سائەتلەر ۋە ئالىي دەرىجىلىك ئېكرانلار
ياقۇت ئېكرانلىرى چىزىلىشقا چىداملىق بولۇش بىلەن يۇقىرى ئوپتىكىلىق ئېنىقلىقنى بىرلەشتۈرۈپ، يۇقىرى دەرىجىلىك ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرىدا ئالقىشقا ئېرىشكەن.
5. ئاۋىئاتسىيە ۋە مۇداپىئە
راكېتا ئىنفىرا قىزىل نۇرلۇق گۈمبەزلىرى
ياقۇت دېرىزىلەر يۇقىرى تېمپېراتۇرا ۋە يۇقىرى سۈرئەت شارائىتىدا سۈزۈك ۋە مۇقىم تۇرىدۇ.
ئاۋىئاتسىيە ئوپتىكىلىق سىستېمىلىرى
ئۇلار يۇقىرى كۈچلۈك ئوپتىكىلىق دېرىزىلەر ۋە ئېغىر مۇھىتلارغا ماس كېلىدىغان كۆزىتىش ئۈسكۈنىلىرىدە ئىشلىتىلىدۇ.
باشقا كۆپ ئۇچرايدىغان ياقۇت مەھسۇلاتلىرى
ئوپتىكىلىق مەھسۇلاتلار
-
ياقۇت ئوپتىكىلىق دېرىزىلەر
-
لازېر، سپېكترومېتىر، ئىنفىرا قىزىل نۇرلۇق سۈرەت سىستېمىسى ۋە سېنزور دېرىزىلىرىدە ئىشلىتىلىدۇ.
-
يەتكۈزۈش دائىرىسى:UV 150 nm دىن ئوتتۇرا IR غىچە 5.5 μm غىچە.
-
-
ياقۇت ئەينەكلىرى
-
يۇقىرى قۇۋۋەتلىك لازېر سىستېمىسى ۋە ئاۋىئاتسىيە ئوپتىكىسىدا قوللىنىلىدۇ.
-
قاۋاق شەكىللىك، ئىچكىرىگە قاراپ ئېگىلىپ تۇرىدىغان ياكى سىلىندىر شەكىللىك ئەينەكلەر شەكلىدە ئىشلەپچىقىرىلىدۇ.
-
-
ياقۇت پىرىزمىلىرى
-
ئوپتىكىلىق ئۆلچەش ئەسۋابلىرى ۋە ئېنىقلىق سۈرەت سىستېمىسىدا ئىشلىتىلىدۇ.
-
مەھسۇلات ئورالمىسى
XINKEHUI ھەققىدە
شاڭخەي شىنكېخۇي يېڭى ماتېرىيال چەكلىك شىركىتى بۇلارنىڭ بىرىجۇڭگودىكى ئەڭ چوڭ ئوپتىكىلىق ۋە يېرىم ئۆتكۈزگۈچ تەمىنلىگۈچىسى2002-يىلى قۇرۇلغان. XKH ئاكادېمىك تەتقىقاتچىلارغا ۋاپلېنكا ۋە باشقا يېرىم ئۆتكۈزگۈچكە مۇناسىۋەتلىك ئىلمىي ماتېرىياللار ۋە مۇلازىمەتلەر بىلەن تەمىنلەش ئۈچۈن قۇرۇلغان. يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللار بىزنىڭ ئاساسلىق ئاساسلىق سودىمىز، بىزنىڭ گۇرۇپپىمىز تېخنىكىغا ئاساسلانغان، XKH قۇرۇلغاندىن بۇيان، بولۇپمۇ ھەر خىل ۋاپلېنكا / ئاساسىي ماتېرىياللار ساھەسىدە ئىلغار ئېلېكترونلۇق ماتېرىياللارنى تەتقىق قىلىش ۋە تەرەققىي قىلدۇرۇشقا چوڭقۇر قاتنىشىپ كەلدى.
ھەمكارلار
شاڭخەي جىمىڭشىن ئۆزىنىڭ ئېسىل يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىيال تېخنىكىسى بىلەن دۇنيادىكى ئالدىنقى قاتاردىكى شىركەتلەر ۋە داڭلىق ئاكادېمىك ئورگانلارنىڭ ئىشەنچلىك ھەمراھىغا ئايلاندى. يېڭىلىق يارىتىش ۋە مۇنەۋۋەرلىكتە چىڭ تۇرۇش بىلەن، جىمىڭشىن Schott Glass، Corning ۋە Seoul Semiconductor قاتارلىق كەسىپ باشلامچىلىرى بىلەن چوڭقۇر ھەمكارلىق مۇناسىۋىتى ئورناتتى. بۇ ھەمكارلىقلار مەھسۇلاتلىرىمىزنىڭ تېخنىكىلىق سەۋىيەسىنى ئۆستۈرۈپلا قالماي، يەنە ئېلېكترونلۇق ئېلېكترون، ئوپتوئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەر ۋە يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلەر ساھەلىرىدىكى تېخنىكىلىق تەرەققىياتنى ئىلگىرى سۈردى.
داڭلىق شىركەتلەر بىلەن ھەمكارلىشىشتىن باشقا، جىمىڭشىن يەنە خارۋارد ئۇنىۋېرسىتېتى، لوندون ئۇنىۋېرسىتېت ئىنىستىتۇتى (UCL) ۋە خيۇستون ئۇنىۋېرسىتېتى قاتارلىق دۇنيادىكى ئالدىنقى قاتاردىكى ئۇنىۋېرسىتېتلار بىلەن ئۇزۇن مۇددەتلىك تەتقىقات ھەمكارلىق مۇناسىۋىتى ئورناتتى. بۇ ھەمكارلىقلار ئارقىلىق، جىمىڭشىن پەقەت ئاكادېمىك ساھەلەردىكى ئىلمىي تەتقىقات تۈرلىرىگە تېخنىكىلىق ياردەم بېرىپلا قالماي، يەنە يېڭى ماتېرىياللار ۋە تېخنىكىلىق يېڭىلىق يارىتىشقا قاتنىشىپ، يېرىم ئۆتكۈزگۈچ كەسپىنىڭ ئالدىنقى سېپىدە تۇرۇشىمىزغا كاپالەتلىك قىلىدۇ.
شاڭخەي جىمىڭشىن شىركىتى دۇنياغا داڭلىق بۇ شىركەتلەر ۋە ئاكادېمىك ئورگانلار بىلەن زىچ ھەمكارلىشىش ئارقىلىق تېخنىكىلىق يېڭىلىق يارىتىش ۋە تەرەققىياتنى ئىلگىرى سۈرۈشنى داۋاملاشتۇرۇپ، دۇنيا بازىرىنىڭ ئېشىۋاتقان ئېھتىياجىنى قاندۇرۇش ئۈچۈن دۇنيا دەرىجىلىك مەھسۇلاتلار ۋە ھەل قىلىش چارىلىرى بىلەن تەمىنلىدى.




