كرېمنىي كاربىد ئاساسى يېرىم ئىزولياتسىيە تىپى ۋە ئۆتكۈزگۈچ تىپىغا ئايرىلىدۇ. ھازىر يېرىم ئىزولياتسىيەلىك كرېمنىي كاربىد ئاساسى مەھسۇلاتلىرىنىڭ ئاساسلىق ئۆلچىمى 4 دىيۇم. ئۆتكۈزگۈچ كرېمنىي كاربىد بازىرىدا، نۆۋەتتىكى ئاساسلىق ئاساسىي مەھسۇلات ئۆلچىمى 6 دىيۇم.
RF ساھەسىدە كېيىنكى ئېقىمدىكى قوللىنىشلار سەۋەبىدىن، يېرىم ئىزولياتورلۇق SiC ئاساسىي ماتېرىياللىرى ۋە ئېپىتاكسىيال ماتېرىياللار ئامېرىكا سودا مىنىستىرلىكىنىڭ ئېكسپورت كونترولىغا ئۇچرايدۇ. يېرىم ئىزولياتورلۇق SiC ئاساسىي ماتېرىيال سۈپىتىدە GaN گېتېروئېپىتاكسىيىسى ئۈچۈن ئەڭ ياخشى ماتېرىيال بولۇپ، مىكرو دولقۇن ساھەسىدە مۇھىم قوللىنىش ئىستىقبالىغا ئىگە. %14 ساپفۇر ۋە %16.9 نىڭ كىرىستال ماس كەلمەسلىكى بىلەن سېلىشتۇرغاندا، SiC ۋە GaN ماتېرىياللىرىنىڭ كىرىستال ماس كەلمەسلىكى پەقەت %3.4. SiC نىڭ ئىنتايىن يۇقىرى ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى بىلەن بىرلەشتۈرۈلگەندە، ئۇنىڭ تەييارلىغان يۇقىرى ئېنېرگىيە ئۈنۈملۈك LED ۋە GaN يۇقىرى چاستوتىلىق ۋە يۇقىرى قۇۋۋەتلىك مىكرو دولقۇن ئۈسكۈنىلىرى رادار، يۇقىرى قۇۋۋەتلىك مىكرو دولقۇن ئۈسكۈنىلىرى ۋە 5G ئالاقە سىستېمىسى قاتارلىق ساھەلەردە زور ئەۋزەللىكلەرگە ئىگە.
يېرىم ئىزولياتورلۇق SiC ئاساسىنى تەتقىق قىلىش ۋە تەرەققىي قىلدۇرۇش ھەمىشە SiC يەككە كىرىستال ئاساسىنى تەتقىق قىلىش ۋە تەرەققىي قىلدۇرۇشنىڭ مەركىزى نۇقتىسى بولۇپ كەلگەن. يېرىم ئىزولياتورلۇق SiC ماتېرىياللىرىنى يېتىشتۈرۈشتە ئىككى ئاساسلىق قىيىنچىلىق بار:
1) گرافىت تېشى، ئىسسىقلىق ساقلاش ئادسوربسىيەسى ۋە پاراشوكقا قوشۇلغان نىئوت بەرگۈچى ئارىلاشمىلىرىنى ئازايتىش؛
2) كىرىستالنىڭ سۈپىتى ۋە ئېلېكتر خۇسۇسىيىتىگە كاپالەتلىك قىلىش بىلەن بىر ۋاقىتتا، ئېلېكتر پائالىيىتى ئارقىلىق قالغان سايىز قاتلامدىكى كىرلەرنى تولۇقلاش ئۈچۈن چوڭقۇر قاتلام مەركىزى كىرگۈزۈلىدۇ.
ھازىر، يېرىم ئىزولياتسىيەلىك SiC ئىشلەپچىقىرىش ئىقتىدارىغا ئىگە ئىشلەپچىقارغۇچىلار ئاساسلىقى SICC شىركىتى، يېرىم كرىستال شىركىتى، Tanke كۆك شىركىتى، Hebei Synlight كرىستال شىركىتى قاتارلىقلار.
ئۆتكۈزگۈچ SiC كىرىستاللىرى ئۆسۈۋاتقان ئاتموسفېراغا ئازوت قۇيۇش ئارقىلىق قولغا كەلتۈرۈلىدۇ. ئۆتكۈزگۈچ كرېمنىي كاربىد ئاساسى ئاساسلىقى ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى، يۇقىرى ۋولتلۇق، يۇقىرى توك، يۇقىرى تېمپېراتۇرا، يۇقىرى چاستوتا، تۆۋەن زىيان ۋە باشقا ئۆزگىچە ئەۋزەللىكلەرگە ئىگە كرېمنىي كاربىد ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى ئىشلەپچىقىرىشتا ئىشلىتىلىدۇ، كرېمنىي ئاساسلىق ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرىنىڭ ئېنېرگىيە ئايلاندۇرۇش ئۈنۈمىنى زور دەرىجىدە ياخشىلايدۇ، ئۈنۈملۈك ئېنېرگىيە ئايلاندۇرۇش ساھەسىگە زور ۋە كەڭ كۆلەمدە تەسىر كۆرسىتىدۇ. ئاساسلىق قوللىنىش ساھەلىرى ئېلېكتر ماشىنىلىرى / قۇۋۋەتلەش تۈۋرۈكى، فوتوۋولتائىك يېڭى ئېنېرگىيە، تۆمۈر يول قاتنىشى، ئەقلىي ئىقتىدارلىق تور قاتارلىقلار. ئۆتكۈزگۈچ مەھسۇلاتلارنىڭ تۆۋەنكى ئېقىمى ئاساسلىقى ئېلېكتر ماشىنىلىرى، فوتوۋولتائىك قاتارلىق ساھەلەردىكى ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى بولغاچقا، قوللىنىش ئىستىقبالى كەڭ، ئىشلەپچىقارغۇچىلار كۆپ.
كرېمنىي كاربىد كرىستال تىپى: ئەڭ ياخشى 4H كرىستال كرېمنىي كاربىدنىڭ تىپىك قۇرۇلمىسىنى ئىككى تۈرگە بۆلۈشكە بولىدۇ، بىرى 3C-SiC ياكى β-SiC دەپ ئاتىلىدىغان سىفالېرىت قۇرۇلمىسىنىڭ كۇب شەكىللىك كرېمنىي كاربىد كرىستال تىپى، يەنە بىرى 6H-SiC، 4H-sic، 15R-SiC قاتارلىقلارغا خاس بولغان چوڭ دەۋر قۇرۇلمىسىنىڭ ئالتە تەرەپلىك ياكى ئالماس قۇرۇلمىسى بولۇپ، ئۇلار بىرلىكتە α-SiC دەپ ئاتىلىدۇ. 3C-SiC ئىشلەپچىقىرىش ئۈسكۈنىلىرىدە يۇقىرى قارشىلىق كۆرسىتىش ئەۋزەللىكىگە ئىگە. قانداقلا بولمىسۇن، Si ۋە SiC تور تۇراقلىقى بىلەن ئىسسىقلىق كېڭىيىش كوئېففىتسېنتى ئوتتۇرىسىدىكى يۇقىرى ماس كەلمەسلىك 3C-SiC ئېپىتاكسىيال قەۋىتىدە نۇرغۇن نۇقسانلارنى كەلتۈرۈپ چىقىرىشى مۇمكىن. 4H-SiC نىڭ MOSFET ئىشلەپچىقىرىشتا زور يوشۇرۇن كۈچى بار، چۈنكى ئۇنىڭ كرىستال ئۆسۈشى ۋە ئېپىتاكسىيال قەۋەت ئۆسۈش جەريانلىرى تېخىمۇ ئېسىل، ئېلېكترون ھەرىكەتچانلىقى جەھەتتە، 4H-SiC 3C-SiC ۋە 6H-SiC دىن يۇقىرى بولۇپ، 4H-SiC MOSFET لارغا تېخىمۇ ياخشى مىكرو دولقۇن خۇسۇسىيىتى بىلەن تەمىنلەيدۇ.
ئەگەر قانۇنغا خىلاپلىق قىلىنسا، ئالاقىنى ئۆچۈرۈڭ
ئېلان قىلىنغان ۋاقىت: 2024-يىلى 7-ئاينىڭ 16-كۈنى