كىچىك ياقۇت، يېرىم ئۆتكۈزگۈچنىڭ «چوڭ كەلگۈسى»نى قوللايدۇ

كۈندىلىك تۇرمۇشتا، ئەقلىي تېلېفون ۋە ئەقلىي قول سائەت قاتارلىق ئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەرنىڭ مۇھىم ھەمراھىغا ئايلاندى. بۇ ئۈسكۈنىلەر بارغانسېرى نېپىز، شۇنىڭ بىلەن بىر ۋاقىتتا تېخىمۇ كۈچلۈك بولۇۋاتىدۇ. ئۇلارنىڭ ئۈزلۈكسىز تەرەققىي قىلىشىغا نېمە ياردەم بېرىدىغانلىقىنى ئويلاپ باققانمۇ؟ جاۋاب يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللاردا، بۈگۈن بىز ئۇلارنىڭ ئىچىدىكى ئەڭ كۆزگە كۆرۈنگەنلىرىنىڭ بىرى بولغان كۆك ياقۇت كىرىستالىغا دىققەت قىلىمىز.

ياقۇت كىرىستالى ئاساسلىقى α-Al₂O₃ دىن تەركىب تاپقان بولۇپ، ئۈچ ئوكسىگېن ئاتومىدىن ۋە ئىككى ئاليۇمىن ئاتومىدىن تەركىب تاپقان بولۇپ، ئالتە تەرەپلىك تور شەكىللىك قۇرۇلمىنى ھاسىل قىلىدۇ. تاشقى كۆرۈنۈشى جەھەتتىن قىممەتلىك ياقۇتقا ئوخشايدىغان بولسىمۇ، سانائەت ياقۇت كىرىستاللىرى ئۈستۈنلۈكنى نامايان قىلىدۇ. خىمىيىلىك جەھەتتىن ئىنېرتلىق بولۇپ، سۇدا ئېرىمەيدۇ ۋە كىسلاتا ۋە ئىشقارلارغا چىداملىق بولۇپ، قاتتىق مۇھىتتا مۇقىملىقنى ساقلايدىغان «خىمىيىلىك قالقان» رولىنى ئوينايدۇ. بۇنىڭدىن باشقا، ئۇ ئېسىل ئوپتىكىلىق شەفافلىق بىلەن نۇرنىڭ ئۈنۈملۈك ئۆتكۈزۈلۈشىگە شارائىت ھازىرلايدۇ؛ كۈچلۈك ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى بىلەن قىزىپ كېتىشنىڭ ئالدىنى ئالىدۇ؛ ۋە ئېسىل ئېلېكتر ئىزولياتسىيەسى بىلەن سىگنالنىڭ ئېقىپ كەتمەي مۇقىم ئۆتكۈزۈلۈشىگە كاپالەتلىك قىلىدۇ. مېخانىكىلىق جەھەتتىن، ياقۇتنىڭ قاتتىقلىقى 9 گە يېتىدۇ، بۇ پەقەت ئالماستىن قالسىلا ئىككىنچى ئورۇندا تۇرىدۇ، بۇ ئۇنى يۇقىرى دەرىجىدە ئۇپراش ۋە ئېروزىيەگە چىداملىق قىلىدۇ، بۇ قاتتىق قوللىنىشچان پروگراممىلار ئۈچۈن ئەڭ ماس كېلىدۇ.

چىپ ئىشلەپچىقىرىشتىكى مەخپىي قورال

(1) تۆۋەن قۇۋۋەتلىك چىپلارنىڭ ئاساسلىق ماتېرىيالى

ئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەرنىڭ كىچىكلىتىلىشى ۋە يۇقىرى ئىقتىدارلىق بولۇشىغا ئەگىشىپ، تۆۋەن قۇۋۋەتلىك چىپلار ئىنتايىن مۇھىم بولۇپ قالدى. ئەنئەنىۋى چىپلار نانو ئۆلچەملىك قېلىنلىقتا ئىزولياتسىيەنىڭ بۇزۇلۇشىغا ئۇچرايدۇ، بۇنىڭ بىلەن توك ئېقىپ كېتىش، توك سەرپىياتىنىڭ ئېشىشى ۋە قىزىپ كېتىش قاتارلىق ئەھۋاللار كۆرۈلۈپ، مۇقىملىق ۋە ئۆمرىگە تەسىر كۆرسىتىدۇ.

جۇڭگو پەنلەر ئاكادېمىيىسىنىڭ شاڭخەي مىكرو سىستېما ۋە ئۇچۇر تېخنىكىسى ئىنستىتۇتى (SIMIT) دىكى تەتقىقاتچىلار مېتال ئارىلاشما ئوكسىدلىنىش تېخنىكىسى ئارقىلىق سۈنئىي ياقۇت دىئېلېكترىك ۋاپلېرلارنى ياساپ چىقىپ، يەككە كىرىستاللىق ئاليۇمىننى يەككە كىرىستاللىق ئاليۇمىنغا (ياقۇت) ئايلاندۇردى. 1 نانومېتىر قېلىنلىقتا، بۇ ماتېرىيال ئىنتايىن تۆۋەن ئېقىش توكىغا ئىگە بولۇپ، ھالەت زىچلىقىنى تۆۋەنلىتىشتە ئەنئەنىۋى ئامورف دىئېلېكترىكلاردىن ئىككى دەرىجە ئۈستۈن تۇرىدۇ ھەمدە 2D يېرىم ئۆتكۈزگۈچ بىلەن ئۇلىنىش سۈپىتىنى ياخشىلايدۇ. بۇنى 2D ماتېرىياللار بىلەن بىرلەشتۈرۈش تۆۋەن قۇۋۋەتلىك چىپلارنى ئىشلىتىشكە شارائىت يارىتىپ، ئەقلىي تېلېفونلارنىڭ باتارېيە ئۆمرىنى زور دەرىجىدە ئۇزارتىدۇ ۋە سۈنئىي ئەقىل ۋە نەرسە تورلىرى قوللىنىشچان پروگراممىلىرىنىڭ مۇقىملىقىنى ئاشۇرىدۇ.

(2) گاللىي نىترىد (GaN) ئۈچۈن ئەڭ مۇۋاپىق ھەمراھ

يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ساھەسىدە، گاللىي نىترىد (GaN) ئۆزىنىڭ ئۆزگىچە ئەۋزەللىكلىرى سەۋەبىدىن پارلاق يۇلتۇزغا ئايلاندى. كەڭ بەلباغلىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىيال سۈپىتىدە، يەنى كرېمنىينىڭ 1.1 eV بەلباغلىق دائىرىسىدىن كۆرۈنەرلىك چوڭ بولغان GaN يۇقىرى تېمپېراتۇرا، يۇقىرى توك بېسىمى ۋە يۇقىرى چاستوتىلىق قوللىنىشچان پروگراممىلاردا ئىنتايىن ياخشى رول ئوينايدۇ. ئۇنىڭ يۇقىرى ئېلېكترون ھەرىكەتچانلىقى ۋە مۇھىم پارچىلىنىش مەيدانى كۈچلۈكلۈكى ئۇنى يۇقىرى قۇۋۋەتلىك، يۇقىرى تېمپېراتۇرا، يۇقىرى چاستوتا ۋە يۇقىرى يورۇقلۇقتىكى ئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەر ئۈچۈن ئەڭ ياخشى ماتېرىيالغا ئايلاندۇرىدۇ. ئېلېكترونلۇق ...

ياقۇت كىرىستالى GaN نىڭ «مۇكەممەل ھەمراھى» دەپ قارىلىدۇ. ئۇنىڭ GaN بىلەن بولغان تور ماس كەلمەسلىكى كرېمنىي كاربىد (SiC) دىن يۇقىرى بولسىمۇ، ياقۇت ئاساسىي قەۋىتى GaN ئېپىتاكسىيەسى جەريانىدا تۆۋەن تېمپېراتۇرا ماس كەلمەسلىكىنى كۆرسىتىپ، GaN نىڭ ئۆسۈشى ئۈچۈن مۇقىم ئاساس سالىدۇ. بۇنىڭدىن باشقا، ياقۇتنىڭ ئېسىل ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى ۋە ئوپتىكىلىق شەفافلىقى يۇقىرى قۇۋۋەتلىك GaN ئۈسكۈنىلىرىدە ئۈنۈملۈك ئىسسىقلىق تارقىتىشنى ئاسانلاشتۇرۇپ، مەشغۇلات مۇقىملىقى ۋە ئەڭ ياخشى يورۇقلۇق چىقىرىش ئۈنۈمىنى كاپالەتلەندۈرىدۇ. ئۇنىڭ يۇقىرى ئېلېكترلىك ئىزولياتسىيە خۇسۇسىيىتى سىگنالنىڭ ئارىلىشىشى ۋە توك يوقىتىشىنى تېخىمۇ ئەڭ تۆۋەن چەككە چۈشۈرىدۇ. ياقۇت بىلەن GaN نىڭ بىرىكىشى GaN ئاساسلىق LED چىراغلارنى ئۆز ئىچىگە ئالغان يۇقىرى ئىقتىدارلىق ئۈسكۈنىلەرنىڭ تەرەققىياتىغا تۈرتكە بولدى، بۇلار ئائىلىۋى LED لامپۇچكىلاردىن تارتىپ چوڭ سىرتقى ئېكرانلارغىچە بولغان يورۇتۇش ۋە كۆرسىتىش بازارلىرىدا، شۇنداقلا ئوپتىكىلىق ئالاقە ۋە ئېنىق لازېر بىر تەرەپ قىلىشتا ئىشلىتىلىدىغان لازېر دىئودلارنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ.

XKH نىڭ GaN-ئۈستىگە ياقۇت تاش قويۇلغان ۋافلى

يېرىم ئۆتكۈزگۈچنىڭ قوللىنىلىش دائىرىسىنى كېڭەيتىش

(1) ھەربىي ۋە ئاۋىئاتسىيە ساھەسىدىكى «قالقان»

ھەربىي ۋە ئاۋىئاتسىيە ساھەسىدىكى ئۈسكۈنىلەر كۆپىنچە ئىنتايىن ئېغىر شارائىتتا ئىشلەيدۇ. ئالەم بوشلۇقىدا، ئالەم كېمىلىرى نۆلگە يېقىن تېمپېراتۇرىغا، كۈچلۈك ئالەم رادىئاتسىيەسىگە ۋە ۋاكۇئۇم مۇھىتىنىڭ خىرىسىغا بەرداشلىق بېرىدۇ. شۇنىڭ بىلەن بىر ۋاقىتتا، ھەربىي ئايروپىلانلار يۇقىرى سۈرئەتلىك ئۇچۇش جەريانىدا ئاۋىئاتسىيە ئىسسىش، يۇقىرى مېخانىكىلىق يۈك ۋە ئېلېكترو ماگنىتلىق توسالغۇلار سەۋەبىدىن يۈزەكى تېمپېراتۇرىسى 1000 سېلسىيە گرادۇستىن ئېشىپ كېتىدۇ.

ياقۇت كىرىستالىنىڭ ئۆزگىچە خۇسۇسىيىتى ئۇنى بۇ ساھەلەردىكى مۇھىم زاپچاسلار ئۈچۈن ئەڭ ياخشى ماتېرىيالغا ئايلاندۇرىدۇ. ئۇنىڭ ئالاھىدە يۇقىرى تېمپېراتۇرىغا چىدامچانلىقى - قۇرۇلمىنىڭ پۈتۈنلۈكىنى ساقلاپ قېلىش بىلەن بىرگە 2045 سېلسىيە گرادۇسقىچە بولغان تېمپېراتۇرا بېسىمى ئاستىدا ئىشەنچلىك ئىقتىدارنى كاپالەتلەندۈرىدۇ. ئۇنىڭ رادىئاتسىيە قاتتىقلىقى يەنە ئالەم بوشلۇقى ۋە يادرو مۇھىتىدا ئىقتىدارنى ساقلاپ، سەزگۈر ئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەرنى ئۈنۈملۈك قوغدايدۇ. بۇ خۇسۇسىيەتلەر ياقۇتنىڭ يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق ئىنفىرا قىزىل نۇرلۇق (IR) دېرىزىلەردە كەڭ قوللىنىلىشىغا سەۋەب بولدى. باشقۇرۇلىدىغان بومبا يېتەكلەش سىستېمىسىدا، نىشاننى توغرا بايقاشقا كاپالەتلىك قىلىش ئۈچۈن، IR دېرىزىلىرى ئىنتايىن ئىسسىقلىق ۋە سۈرئەت ئاستىدا ئوپتىكىلىق ئېنىقلىقنى ساقلىشى كېرەك. ياقۇت ئاساسلىق IR دېرىزىلىرى يۇقىرى ئىسسىقلىق مۇقىملىقى بىلەن يۇقىرى IR ئۆتكۈزۈشچانلىقىنى بىرلەشتۈرۈپ، يېتەكلەش ئېنىقلىقىنى كۆرۈنەرلىك دەرىجىدە ياخشىلايدۇ. ئاۋىئاتسىيە ساھەسىدە، ياقۇت سۈنئىي ھەمراھ ئوپتىكىلىق سىستېمىلىرىنى قوغداپ، قاتتىق ئوربىتا شارائىتىدا ئېنىق سۈرەتكە ئېلىشنى ئىشقا ئاشۇرىدۇ.

XKH نىڭياقۇت ئوپتىكىلىق دېرىزىلەر

(2) ئۆتكۈر ئۆتكۈزگۈچ ۋە مىكرو ئېلېكترون تېخنىكىسىنىڭ يېڭى ئاساسى

ئۆتكۈر ئۆتكۈزۈشچانلىقتا، ياپراق ئۆتكۈر ئۆتكۈزۈشچان نېپىز پەردىلەر ئۈچۈن مۇھىم ئاساس بولۇپ، نۆل قارشىلىق ئۆتكۈزۈشنى ئىشقا ئاشۇرىدۇ - بۇ توك يەتكۈزۈش، ماگلېۋ پويىزى ۋە MRI سىستېمىلىرىنى ئىنقىلاب قىلىدۇ. يۇقىرى ئىقتىدارلىق ئۆتكۈر ئۆتكۈزۈشچان پەردىلەر مۇقىم تور قۇرۇلمىسىغا ئىگە ئاساسلارنى تەلەپ قىلىدۇ، ياپراقنىڭ ماگنىي دىبورىد (MgB₂) قاتارلىق ماتېرىياللار بىلەن ماسلىشىشى، كرىتىك توك زىچلىقى ۋە كرىتىك ماگنىت مەيدانىنى ئاشۇرغان پەردىلەرنىڭ ئۆسۈشىگە يول قويىدۇ. مەسىلەن، ياپراق تىرەكلىك ئۆتكۈر ئۆتكۈزۈشچان پەردىلەرنى ئىشلەتكەن توك كابېللىرى ئېنېرگىيە يوقىتىشنى ئەڭ تۆۋەن چەككە چۈشۈرۈش ئارقىلىق يەتكۈزۈش ئۈنۈمىنى زور دەرىجىدە ئۆستۈرىدۇ.

مىكرو ئېلېكترونچىلىقتا، R تەكشىلىك (<1-102>) ۋە A تەكشىلىك (<11-20>) قاتارلىق ئالاھىدە كىرىستاللىق يۆنىلىشكە ئىگە ياقۇت ئاساسىي تاختىلىرى ئىلغار بىرلەشتۈرۈلگەن توك يولى (IC) ئۈچۈن ماسلاشتۇرۇلغان كرېمنىي ئېپىتاكسىيال قەۋەتلىرىنى ھاسىل قىلىشقا شارائىت ھازىرلايدۇ. R تەكشىلىك ياقۇت يۇقىرى سۈرئەتلىك IC دىكى كىرىستال كەمتۈكلۈكلىرىنى ئازايتىپ، مەشغۇلات سۈرئىتى ۋە مۇقىملىقىنى ئاشۇرىدۇ، A تەكشىلىك ياقۇتنىڭ ئىزولياتسىيە خۇسۇسىيىتى ۋە بىردەك ئۆتكۈزۈشچانلىقى ئارىلاشما مىكرو ئېلېكترون ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق ئۆتكۈزگۈچ بىر گەۋدىلىشىشىنى ئەلالاشتۇرىدۇ. بۇ ئاساسىي تاختىلار يۇقىرى ئىقتىدارلىق ھېسابلاش ۋە تېلېگراف ئۇل ئەسلىھەلىرىدىكى يادرولۇق چىپلارنىڭ ئاساسىنى تىرەپ تۇرىدۇ.

XXKHنىڭAlN-on-NPSS ۋافېرى

يېرىم ئۆتكۈزگۈچلەردىكى ياقۇت كىرىستالىنىڭ كەلگۈسى

ياقۇت چىپ ياساشتىن تارتىپ ئاۋىئاتسىيە ۋە ئۆتكۈر ئۆتكۈزگۈچلەرگىچە بولغان يېرىم ئۆتكۈزگۈچلەردە ئىنتايىن زور قىممەتكە ئىگە ئىكەنلىكىنى نامايان قىلدى. تېخنىكا تەرەققىي قىلغانسېرى، ئۇنىڭ رولى تېخىمۇ كېڭىيىدۇ. سۈنئىي ئەقىل ساھەسىدە، ياقۇت قوللايدىغان تۆۋەن قۇۋۋەتلىك، يۇقىرى ئىقتىدارلىق چىپلار سەھىيە، قاتناش ۋە پۇل-مۇئامىلە ساھەلىرىدىكى سۈنئىي ئەقىلنىڭ تەرەققىياتىنى ئىلگىرى سۈرىدۇ. كۋانت ھېسابلاش ساھەسىدە، ياقۇتنىڭ ماتېرىيال خۇسۇسىيىتى ئۇنى قۇبىت بىرلەشتۈرۈش ئۈچۈن ئۈمىدۋار نامزات قىلىپ قويىدۇ. شۇنىڭ بىلەن بىر ۋاقىتتا، ياقۇتقا GaN ئۈسكۈنىلىرى 5G/6G ئالاقە ئۈسكۈنىلىرىگە بولغان ئېھتىياجنىڭ ئېشىپ بېرىشىنى قاندۇرىدۇ. كەلگۈسىدە، ياقۇت يېرىم ئۆتكۈزگۈچ يېڭىلىق يارىتىشنىڭ ئاساسى بولۇپ، ئىنسانىيەتنىڭ تېخنىكا تەرەققىياتىغا تۈرتكە بولىدۇ.

XKH نىڭ GaN-ئۈستىگە ياقۇت ئېپىتاكسىيال ۋافېرى

XKH ئەڭ يېڭى قوللىنىشچان پروگراممىلار ئۈچۈن ئېنىق لايىھەلەنگەن ساففىر ئوپتىكىلىق دېرىزىلەر ۋە GaN-نىڭ ساففىر ئۈستىدىكى لېنتىلىق ھەل قىلىش چارىلىرى بىلەن تەمىنلەيدۇ. بىز خاس كىرىستال ئۆستۈرۈش ۋە نانو كۆلەملىك پارقىراقلاشتۇرۇش تېخنىكىسىدىن پايدىلىنىپ، UV دىن IR سپېكتىرىغىچە بولغان ئالاھىدە ئۆتكۈزۈش ئىقتىدارىغا ئىگە، ئاۋىئاتسىيە، مۇداپىئە ۋە يۇقىرى قۇۋۋەتلىك لازېر سىستېمىلىرى ئۈچۈن ئەڭ ماس كېلىدىغان ئۇلترا ياپىش ساففىر دېرىزىلەر بىلەن تەمىنلەيمىز.