SiC ساپال چاك تەخسى ساپال سۈمۈرگۈچ لوڭقىسىنى ئىنچىكە پىششىقلاپ ئىشلەش
ماتېرىيال ئالاھىدىلىكى:
1. ئېگىز قاتتىقلىق: كرېمنىي كاربوننىڭ موخنىڭ قاتتىقلىقى 9.2-9.5 بولۇپ ، ئالماستىن قالسىلا ئىككىنچى ئورۇندا ، كۈچلۈك ئۇپراشقا چىداملىق.
2. يۇقىرى ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى: كرېمنىي كاربدنىڭ ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى 120-200 W / m · K غا يېتىدۇ ، ئۇ ئىسسىقلىقنى تېز تارقىتالايدۇ ھەمدە يۇقىرى تېمپېراتۇرا مۇھىتىغا ماس كېلىدۇ.
3. تۆۋەن ئىسسىقلىق كېڭىيىش كوئېففىتسېنتى: كرېمنىي كاربون ئىسسىقلىق كېڭىيىش كوئېففىتسېنتى تۆۋەن (4.0-4.5 × 10⁻⁶ / K) ، يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا يەنىلا ئۆلچەملىك مۇقىملىقنى ساقلىيالايدۇ.
4. خىمىيىلىك مۇقىملىق: كرېمنىي كاربون كىسلاتاسى ۋە ئىشقارنىڭ چىرىشكە چىدامچانلىقى ، خىمىيىلىك چىرىتىش مۇھىتىدا ئىشلىتىشكە ماس كېلىدۇ.
5.
ئالاھىدىلىكى:
1. يېرىم ئۆتكۈزگۈچ كەسپىدە ۋاكۇئۇم سۈمۈرگۈچ لوڭقىغا ئىنتايىن نېپىز ۋافېر قويۇش كېرەك ، ۋاكۇئۇم سۈمۈرگۈچ ۋافېرنى ئوڭشاشقا ئىشلىتىلىدۇ ، ۋافېردا موم ، شالاڭلىشىش ، موملاش ، تازىلاش ۋە كېسىش جەريانى ئېلىپ بېرىلىدۇ.
2. سىلىتسىي كاربون سۈمۈرگۈچنىڭ ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى ياخشى ، موم ۋە موم ۋاقتىنى ئۈنۈملۈك قىسقارتىپ ، ئىشلەپچىقىرىش ئۈنۈمىنى ئۆستۈرگىلى بولىدۇ.
3. سىلىتسىي كاربون ۋاكۇئۇم سۈمۈرگۈچنىڭ ياخشى كىسلاتا ۋە ئىشقارنىڭ چىرىشىگە قارشى تۇرۇش ئىقتىدارى بار.
4. ئەنئەنىۋى تاجىسىمان توشۇغۇچى تەخسىگە سېلىشتۇرغاندا ، قاچىلاش ۋە چۈشۈرۈشنى قىزىتىش ۋە سوۋۇتۇش ۋاقتىنى قىسقارتىپ ، خىزمەت ئۈنۈمىنى ئۆستۈرۈڭ. شۇنىڭ بىلەن بىر ۋاقىتتا ، ئۇ ئۈستۈنكى ۋە تۆۋەنكى تاختايلارنىڭ ئۇپرىشىنى ئازايتىپ ، ئايروپىلاننىڭ توغرىلىقىنى ياخشى ساقلاپ ، مۇلازىمەت ئۆمرىنى تەخمىنەن% 40 ئۇزارتالايدۇ.
5. ماتېرىيال نىسبىتى كىچىك ، يېنىك ئېغىرلىق. تىجارەتچىلەرنىڭ پەلەمپەينى كۆتۈرۈشى تېخىمۇ ئاسان بولۇپ ، قاتناش قىيىنچىلىقى كەلتۈرۈپ چىقىرىدىغان سوقۇلۇش خەۋىپىنى تەخمىنەن% 20 تۆۋەنلىتىدۇ.
6. چوڭلۇقى: ئەڭ چوڭ دىئامېتىرى 640mm; تەكشىلىكى: 3um ياكى ئۇنىڭدىن تۆۋەن
ئىلتىماس مەيدانى:
1. يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ياساش
● Wafer processing:
فوتوگرافىيە ، قىچىشىش ، نېپىز پەردە چۆكۈش ۋە باشقا جەريانلاردىكى ۋافېرنى ئوڭشاش ئۈچۈن ، يۇقىرى ئېنىقلىق ۋە جەرياننىڭ بىردەكلىكىگە كاپالەتلىك قىلىدۇ. ئۇنىڭ يۇقىرى تېمپېراتۇرىسى ۋە چىرىشكە چىدامچانلىقى قاتتىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئىشلەپچىقىرىش مۇھىتىغا ماس كېلىدۇ.
● Epitaxial growth:
SiC ياكى GaN تارقىلىشچان ئۆسۈشىدە ، ۋافېرنى قىزىتىش ۋە ئوڭشايدىغان توشۇغۇچى بولۇش سۈپىتى بىلەن ، يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا تېمپېراتۇرا بىردەكلىكى ۋە خرۇستال سۈپىتىگە كاپالەتلىك قىلىپ ، ئۈسكۈنىلەرنىڭ ئىقتىدارىنى ئۆستۈرىدۇ.
2. فوتو ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى
● LED ياساش:
كۆك ياقۇت ياكى SiC تارماق يولىنى ئوڭشاشقا ئىشلىتىلىدۇ ، ھەمدە MOCVD جەرياندا ئىسسىنىش توشۇغۇچى بولۇش سۈپىتى بىلەن ، تۇتقاقلىق كېسىلىنىڭ بىردەك بولۇشىغا كاپالەتلىك قىلىپ ، LED يورۇقلۇق ئۈنۈمى ۋە سۈپىتىنى ئۆستۈرىدۇ.
● لازېر دىئودى:
يۇقىرى ئېنىقلىقتىكى قۇرۇلما بولۇش سۈپىتى بىلەن ، تۆۋەن تېمپېراتۇرىنى مۇقىملاشتۇرۇش ۋە قىزىتىش ئارقىلىق تېمپېراتۇرىنىڭ مۇقىملىقىغا كاپالەتلىك قىلىپ ، لازېر دىئودنىڭ چىقىرىش كۈچى ۋە ئىشەنچلىكلىكىنى ئۆستۈرىدۇ.
3. ئىنچىكە پىششىقلاپ ئىشلەش
● ئوپتىكىلىق زاپچاسلارنى بىر تەرەپ قىلىش:
ئۇ ئوپتىكىلىق لىنزا ۋە سۈزگۈچ قاتارلىق ئېنىق زاپچاسلارنى ئوڭشاشقا ئىشلىتىلىدۇ ، پىششىقلاپ ئىشلەش جەريانىدا يۇقىرى ئېنىقلىق ۋە تۆۋەن بۇلغىنىشقا كاپالەتلىك قىلىدۇ ، ھەمدە يۇقىرى سىجىللىقتىكى پىششىقلاپ ئىشلەشكە ماس كېلىدۇ.
ساپال پىششىقلاپ ئىشلەش:
يۇقىرى مۇقىملىق قۇرۇلمىسى بولۇش سۈپىتى بىلەن ، ساپال ماتېرىياللارنى ئىنچىكە پىششىقلاپ ئىشلەشكە ماس كېلىدۇ ، يۇقىرى تېمپېراتۇرا ۋە چىرىتىش مۇھىتىدا پىششىقلاپ ئىشلەشنىڭ توغرىلىقى ۋە ئىزچىللىقىغا كاپالەتلىك قىلىدۇ.
4. ئىلمىي تەجرىبە
● يۇقىرى تېمپېراتۇرا تەجرىبىسى:
يۇقىرى تېمپېراتۇرا مۇھىتىدىكى ئەۋرىشكە مۇقىملاشتۇرۇش ئۈسكۈنىسى بولۇش سۈپىتى بىلەن ، ئۇ 1600 سېلسىيە گرادۇستىن يۇقىرى تېمپېراتۇرا تەجرىبىسىنى قوللاپ ، تېمپېراتۇرىنىڭ بىردەكلىكى ۋە ئەۋرىشكە مۇقىملىقىغا كاپالەتلىك قىلىدۇ.
● ۋاكۇئۇم سىنىقى:
ۋاكۇئۇم مۇھىتىدىكى ئەۋرىشكە ئوڭشاش ۋە قىزىتىش توشۇغۇچى بولۇش سۈپىتى بىلەن ، تەجرىبىنىڭ توغرىلىقى ۋە تەكرارلىنىشىغا كاپالەتلىك قىلىپ ، ۋاكۇئۇم سىرلاش ۋە ئىسسىقلىقنى بىر تەرەپ قىلىشقا ماس كېلىدۇ.
تېخنىكىلىق ئۆلچەم ：
| (ماتېرىيال مۈلۈك) | (بىرلىك) | (ssic) | |
| (SiC مەزمۇنى) |
| (Wt)% | > 99 |
| (ئوتتۇرىچە ئاشلىق چوڭلۇقى) |
| micron | 4-10 |
| (زىچلىق) |
| kg / dm3 | > 3.14 |
| (قارىماققا جاراڭلىق) |
| Vo1% | <0.5 |
| (Vickers hardness) | HV 0.5 | GPa | 28 |
| * (ئەۋرىشىم كۈچ) | 20ºC | MPa | 450 |
| (پىرىسلاش كۈچى) | 20ºC | MPa | 3900 |
| (Elastic Modulus) | 20ºC | GPa | 420 |
| (سۇنۇقنىڭ قاتتىقلىقى) |
| MPa / m '% | 3.5 |
| (ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى) | 20 ° ºC | W / (m * K) | 160 |
| (قارشىلىق) | 20 ° ºC | Ohm.cm | 106-108 |
|
| a (RT ** ... 80ºC) | K-1 * 10-6 | 4.3 |
|
|
| oºC | 1700 |
كۆپ يىللىق تېخنىكا توپلاش ۋە كەسىپ تەجرىبىسى بىلەن XKH خېرىدارلارنىڭ كونكرېت ئېھتىياجىغا ئاساسەن چاكنىڭ چوڭ-كىچىكلىكى ، ئىسسىنىش ئۇسۇلى ۋە ۋاكۇئۇم سۈمۈرگۈچ لايىھىسى قاتارلىق مۇھىم پارامېتىرلارنى ماسلاشتۇرۇپ ، مەھسۇلاتنىڭ خېرىدارلارنىڭ جەريانىغا تولۇق ماسلىشىشىغا كاپالەتلىك قىلالايدۇ. SiC كرېمنىي كاربون ساپال ساپاللىرى ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى ، يۇقىرى تېمپېراتۇرا مۇقىملىقى ۋە خىمىيىلىك مۇقىملىقى سەۋەبىدىن ۋافېر پىششىقلاپ ئىشلەش ، يەر تەۋرەشنىڭ ئۆسۈشى ۋە باشقا مۇھىم جەريانلاردا كەم بولسا بولمايدىغان تەركىبكە ئايلاندى. بولۇپمۇ SiC ۋە GaN قاتارلىق ئۈچىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللىرىنى ياساشتا ، كرېمنىي كاربون ساپال ساپالغا بولغان ئېھتىياج داۋاملىق ئاشماقتا. كەلگۈسىدە ، 5G ، ئېلېكترونلۇق ماشىنا ، سۈنئىي ئىدراك ۋە باشقا تېخنىكىلارنىڭ تېز تەرەققىي قىلىشىغا ئەگىشىپ ، يېرىم ئۆتكۈزگۈچ كەسپىدە كرېمنىي كاربون ساپال ساپال ماددىسىنىڭ قوللىنىش ئىستىقبالى تېخىمۇ كەڭ بولىدۇ.
تەپسىلىي دىئاگرامما
