English

ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى ئۈچۈن SiC Epitaxial Wafer - 4H-SiC ، N تىپلىق ، تۆۋەن كەمتۈكلۈك

ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى ئۈچۈن SiC Epitaxial Wafer - 4H-SiC ، N تىپلىق ، تۆۋەن كەمتۈك زىچلىقتىكى رەسىم
  • ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى ئۈچۈن SiC Epitaxial Wafer - 4H-SiC ، N تىپلىق ، تۆۋەن كەمتۈكلۈك
  • ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى ئۈچۈن SiC Epitaxial Wafer - 4H-SiC ، N تىپلىق ، تۆۋەن كەمتۈكلۈك
  • ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى ئۈچۈن SiC Epitaxial Wafer - 4H-SiC ، N تىپلىق ، تۆۋەن كەمتۈكلۈك

قىسقىچە چۈشەندۈرۈش:

SiC Epitaxial Wafer زامانىۋى يۇقىرى ئىقتىدارلىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلەرنىڭ يادروسى ، بولۇپمۇ يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ، يۇقىرى چاستوتىلىق ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق مەشغۇلات ئۈچۈن لايىھەلەنگەن. كرېمنىي كاربون ئېپىتاكسىيىلىك ۋافېرغا نىسبەتەن قىسقا ، SiC Epitaxial Wafer يۇقىرى سۈپەتلىك ، نېپىز SiC ئېپىتاكسىمان قەۋىتىدىن تەركىب تاپقان بولۇپ ، كۆپ ساندىكى SiC تارماق ئېغىزىدا ئۆستۈرۈلگەن. SiC Epitaxial Wafer تېخنىكىسىنىڭ ئىشلىتىلىشى ئادەتتىكى كرېمنىينى ئاساس قىلغان ۋافېرغا سېلىشتۇرغاندا ، فىزىكىلىق ۋە ئېلېكترونلۇق خۇسۇسىيىتى ئەۋزەل بولغاچقا ، ئېلېكترونلۇق ماشىنا ، ئەقلىي ئىقتىدارلىق تور ، قايتا ھاسىل بولىدىغان ئېنېرگىيە سىستېمىسى ۋە ئالەم بوشلۇقىدا تېز كېڭىيىۋاتىدۇ.


Features

تەپسىلىي دىئاگرامما

SiC Epitaxial Wafer-4
SiC Epitaxial Wafer-6 - 副本

تونۇشتۇرۇش

SiC Epitaxial Wafer زامانىۋى يۇقىرى ئىقتىدارلىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلەرنىڭ يادروسى ، بولۇپمۇ يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ، يۇقىرى چاستوتىلىق ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق مەشغۇلات ئۈچۈن لايىھەلەنگەن. كرېمنىي كاربون ئېپىتاكسىيىلىك ۋافېرغا نىسبەتەن قىسقا ، SiC Epitaxial Wafer يۇقىرى سۈپەتلىك ، نېپىز SiC ئېپىتاكسىمان قەۋىتىدىن تەركىب تاپقان بولۇپ ، كۆپ ساندىكى SiC تارماق ئېغىزىدا ئۆستۈرۈلگەن. SiC Epitaxial Wafer تېخنىكىسىنىڭ ئىشلىتىلىشى ئادەتتىكى كرېمنىينى ئاساس قىلغان ۋافېرغا سېلىشتۇرغاندا ، فىزىكىلىق ۋە ئېلېكترونلۇق خۇسۇسىيىتى ئەۋزەل بولغاچقا ، ئېلېكترونلۇق ماشىنا ، ئەقلىي ئىقتىدارلىق تور ، قايتا ھاسىل بولىدىغان ئېنېرگىيە سىستېمىسى ۋە ئالەم بوشلۇقىدا تېز كېڭىيىۋاتىدۇ.

SiC Epitaxial Wafer نىڭ ياساش پرىنسىپى

SiC Epitaxial Wafer ھاسىل قىلىشتا يۇقىرى كونترول قىلىنغان خىمىيىلىك ھور چۆكۈش (CVD) جەريانى تەلەپ قىلىنىدۇ. تۇتقاقلىق قەۋىتى ئادەتتە 1500 سېلسىيە گرادۇستىن يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا سىلان (SiH₄) ، پروپان (C₃H₈) ۋە ھىدروگېن (H₂) قاتارلىق گازلارنى ئىشلىتىپ يەككە كرىستاللىق SiC تارماق ئېغىزىدا ئۆستۈرۈلىدۇ. بۇ يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق ئېپىتاكسىيىلىك ئۆسۈش ئېففېكتى قەۋىتى بىلەن يەر ئاستى قەۋىتى ئارىسىدىكى ئەڭ ياخشى خرۇستال ماسلىشىشقا ۋە كەمتۈكلۈككە كاپالەتلىك قىلىدۇ.

بۇ جەريان بىر قانچە ئاچقۇچلۇق باسقۇچنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ:

  1. Substrate Preparation: ئاساسى SiC ۋافېر پاكىزلىنىپ ، سىلىقلاپ ئاتومنىڭ سىلىقلىقى ئۈچۈن.

  2. CVD ئۆسۈشى: يۇقىرى ساپلىقتىكى رېئاكتوردا گازلار رېئاكسىيە قىلىپ يەككە كرىستال SiC قەۋىتىنى ئاستىغا قويىدۇ.

  3. دورىنى كونترول قىلىش: N تىپلىق ياكى P تىپلىق دوپپا ئېففېكتى جەريانىدا تونۇشتۇرۇلغان ئېلېكتر خۇسۇسىيىتىگە ئېرىشىدۇ.

  4. تەكشۈرۈش ۋە ئۆلچەش: ئوپتىكىلىق مىكروسكوپ ، AFM ۋە رېنتىگېن نۇرى دىففراكسىيەسى قەۋەت قېلىنلىقى ، دوپپا قويۇقلۇقى ۋە كەمتۈك زىچلىقىنى تەكشۈرۈشكە ئىشلىتىلىدۇ.

ھەر بىر SiC Epitaxial Wafer ئەستايىدىللىق بىلەن كۆزىتىلىپ ، قېلىنلىقنىڭ بىردەكلىكى ، يەر يۈزى تەكشىلىكى ۋە قارشىلىقچانلىقى كۈچلۈك. بۇ پارامېتىرلارنى ئىنچىكە تەڭشەش ئىقتىدارى يۇقىرى بېسىملىق MOSFETs ، Schottky دىئودى ۋە باشقا ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى ئۈچۈن ئىنتايىن مۇھىم.

Specification

پارامېتىر Specification
سەھىپىلەر ماتېرىيال ئىلمى ، يەككە خرۇستال تارماق
Polytype 4H
دوپپا N Type
دىئامېتىرى 101 mm
دىئامېتىرى بەرداشلىق بېرىش ± 5%
قېلىنلىق 0.35 mm
قېلىنلىق چىدامچانلىقى ± 5%
دەسلەپكى تەكشىلىك ئۇزۇنلۇقى 22 مىللىمېتىر (± 10%)
TTV (ئومۇمىي قېلىنلىقنىڭ ئۆزگىرىشى) ≤10 µm
Warp ≤25 µm
FWHM ≤30 Arc-sec
Surface Finish Rq ≤0.35 nm

SiC Epitaxial Wafer نىڭ قوللىنىشچان پروگراممىلىرى

SiC Epitaxial Wafer مەھسۇلاتلىرى كۆپ ساھەدە كەم بولسا بولمايدۇ:

  • توكلۇق ماشىنا (EV): SiC Epitaxial Wafer نى ئاساس قىلغان ئۈسكۈنىلەر ھەرىكەتلەندۈرگۈچ كۈچنىڭ ئۈنۈمىنى ئاشۇرۇپ ، ئېغىرلىقنى تۆۋەنلىتىدۇ.

  • قايتا ھاسىل بولىدىغان ئېنېرگىيە: قۇياش ئېنېرگىيىسى ۋە شامال ئېنېرگىيىسى سىستېمىسى ئۈچۈن تەتۈر ئايلىنىشتا ئىشلىتىلىدۇ.

  • سانائەت توك تەمىناتى: تۆۋەن زىيان بىلەن يۇقىرى چاستوتىلىق ، يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق ئالماشتۇرۇشنى قوزغىتىڭ.

  • ئالەم قاتنىشى ۋە مۇداپىئە ئىشلىرى: كۈچلۈك يېرىم ئۆتكۈزگۈچ تەلەپ قىلىدىغان ناچار مۇھىتقا ماس كېلىدۇ.

  • 5G Base Stations: SiC Epitaxial Wafer زاپچاسلىرى RF قوللىنىشچان پروگراممىلىرىنىڭ تېخىمۇ يۇقىرى توك زىچلىقىنى قوللايدۇ.

SiC Epitaxial Wafer كرېمنىيلىق ۋافېرغا سېلىشتۇرغاندا ئىخچام لايىھىلەش ، تېخىمۇ تېز ئالماشتۇرۇش ۋە تېخىمۇ يۇقىرى ئېنېرگىيە ئايلاندۇرۇش ئۈنۈمىنى قوزغىتىدۇ.

SiC Epitaxial Wafer نىڭ ئەۋزەللىكى

SiC Epitaxial Wafer تېخنىكىسى مۇھىم پايدىلارنى تەمىنلەيدۇ:

  1. يۇقىرى پارچىلىنىش بېسىمى: سىففېردىن 10 ھەسسە يۇقىرى توك بېسىمىغا بەرداشلىق بېرىدۇ.

  2. ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى: SiC Epitaxial Wafer ئىسسىقلىقنى تېز تارقىتىدۇ ، ئۈسكۈنىلەرنىڭ سالقىن ۋە تېخىمۇ ئىشەنچلىك يۈرۈشىگە شارائىت ھازىرلايدۇ.

  3. يۇقىرى ئالماشتۇرۇش سۈرئىتى: تۆۋەن ئالماشتۇرغاندا زىيان تېخىمۇ يۇقىرى ئۈنۈم ۋە كىچىكلىتىش ئىقتىدارىنى قوزغىتىدۇ.

  4. كەڭ بەلۋاغ: يۇقىرى بېسىم ۋە تېمپېراتۇرىدا مۇقىملىققا كاپالەتلىك قىلىدۇ.

  5. ماتېرىيال كۈچلۈكلىكى: SiC خىمىيىلىك ئىنېرت ۋە مېخانىك كۈچلۈك ، قوللىنىشچان پروگراممىلارغا ماس كېلىدۇ.

بۇ ئەۋزەللىكلەر SiC Epitaxial Wafer نى كېيىنكى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچنىڭ تاللاش ماتېرىيالىغا ئايلاندۇرىدۇ.

سوئال: SiC Epitaxial Wafer

1-سوئال: SiC ۋافېر بىلەن SiC Epitaxial Wafer نىڭ قانداق پەرقى بار؟
SiC ۋافېر كۆپ مىقداردىكى تارماق ئېلېمېنتنى كۆرسىتىدۇ ، SiC Epitaxial Wafer بولسا ئۈسكۈنە ياساشتا ئىشلىتىلىدىغان ئالاھىدە ئۆستۈرۈلگەن دوپپا قەۋىتىنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ.

2-سوئال: SiC Epitaxial Wafer قەۋىتى ئۈچۈن قانداق قېلىنلىق بار؟
Epitaxial قەۋىتى ئادەتتە ئىلتىماس تەلىپىگە ئاساسەن بىر نەچچە مىكروومېتىردىن 100 مىللىمېتىردىن ئاشىدۇ.

3-سوئال: SiC Epitaxial Wafer يۇقىرى تېمپېراتۇرا مۇھىتىغا ماس كېلەمدۇ؟
شۇنداق ، SiC Epitaxial Wafer 600 سېلسىيە گرادۇستىن يۇقىرى شارائىتتا مەشغۇلات قىلالايدۇ ، كرېمنىيدىن كۆرۈنەرلىك ئېشىپ كېتىدۇ.

4-سوئال: نېمە ئۈچۈن SiC Epitaxial Wafer دا كەمتۈك زىچلىقى مۇھىم؟
تۆۋەن نۇقسان زىچلىقى ئۈسكۈنىنىڭ ئىقتىدارى ۋە ئۈنۈمىنى ئۆستۈرىدۇ ، بولۇپمۇ يۇقىرى بېسىملىق قوللىنىشچان پروگراممىلاردا.

5-سوئال: N تىپلىق ۋە P تىپلىق SiC Epitaxial Wafers ھەر ئىككىسى بارمۇ؟
شۇنداق ، ھەر ئىككى تۈر يۇقۇملىنىش جەريانىدا ئېنىق دوپپا گازىنى كونترول قىلىش ئارقىلىق ئىشلەپچىقىرىلىدۇ.

6-سوئال: SiC Epitaxial Wafer ئۈچۈن قايسى ۋافېر ئۆلچىمى بار؟
ئۆلچەملىك دىئامېتىرى 2 دىيۇملۇق ، 4 دىيۇملۇق ، 6 دىيۇملۇق ۋە يۇقىرى ھەجىملىك ​​ئىشلەپچىقىرىش ئۈچۈن بارغانسىرى 8 دىيۇملۇقنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ.

7-سوئال: SiC Epitaxial Wafer تەننەرخى ۋە ئۈنۈمىگە قانداق تەسىر كۆرسىتىدۇ؟
SiC Epitaxial Wafer دەسلەپتە كىرىمنىيدىن قىممەترەك بولسىمۇ ، ئەمما سىستېمىنىڭ چوڭ-كىچىكلىكى ۋە توكنىڭ زىيىنىنى ئازايتىپ ، ئۇزۇن مۇددەت ئومۇمىي تەننەرخ ئۈنۈمىنى ئۆستۈرىدۇ.

  • ئالدىنقى:
  • كېيىنكى:

    • مۇناسىۋەتلىك مەھسۇلاتلار

    ئۇچۇرىڭىزنى بۇ يەرگە يېزىڭ ۋە بىزگە ئەۋەتىڭ
    ئىزدەش ئۈچۈن كىرگۈزۈڭ ياكى ESC نى تاقاڭ