English

ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى ئۈچۈن SiC ئېپىتاكسىيال لېنتىسى – 4H-SiC، N تىپلىق، تۆۋەن نۇقسان زىچلىقى

ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى ئۈچۈن SiC ئېپىتاكسىيال لېنتى – 4H-SiC، N تىپلىق، تۆۋەن نۇقسان زىچلىقى
  • ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى ئۈچۈن SiC ئېپىتاكسىيال لېنتىسى – 4H-SiC، N تىپلىق، تۆۋەن نۇقسان زىچلىقى
  • ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى ئۈچۈن SiC ئېپىتاكسىيال لېنتىسى – 4H-SiC، N تىپلىق، تۆۋەن نۇقسان زىچلىقى
  • ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى ئۈچۈن SiC ئېپىتاكسىيال لېنتىسى – 4H-SiC، N تىپلىق، تۆۋەن نۇقسان زىچلىقى

قىسقىچە چۈشەندۈرۈش:

SiC ئېپىتاكسىيال ۋافېرى زامانىۋى يۇقىرى ئىقتىدارلىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلەرنىڭ، بولۇپمۇ يۇقىرى قۇۋۋەتلىك، يۇقىرى چاستوتالىق ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق مەشغۇلاتلار ئۈچۈن لايىھەلەنگەن ئۈسكۈنىلەرنىڭ يادروسى. سىلىكون كاربىد ئېپىتاكسىيال ۋافېرىنىڭ قىسقارتىلمىسى بولغان SiC ئېپىتاكسىيال ۋافېرى يۇقىرى سۈپەتلىك، نېپىز SiC ئېپىتاكسىيال قەۋىتىدىن تەركىب تاپقان بولۇپ، چوڭ تىپتىكى SiC ئاساسى ئۈستىگە ئۆستۈرۈلگەن. SiC ئېپىتاكسىيال ۋافېر تېخنىكىسىنىڭ ئىشلىتىلىشى ئادەتتىكى سىلىكون ئاساس قىلىنغان ۋافېرلارغا سېلىشتۇرغاندا ئۈستۈن فىزىكىلىق ۋە ئېلېكترونلۇق خۇسۇسىيىتى سەۋەبىدىن ئېلېكتر ماشىنىلىرى، ئەقلىي ئىقتىدارلىق تورلار، قايتا ھاسىل بولىدىغان ئېنېرگىيە سىستېمىسى ۋە ئاۋىئاتسىيە ساھەسىدە تېز سۈرئەتتە كېڭىيىۋاتىدۇ.


ئالاھىدىلىكلەر

تەپسىلىي دىئاگرامما

SiC ئېپىتاكسىيال ۋافېر-4
SiC Epitaxial Wafer-6 - 副本

كىرىش سۆز

SiC ئېپىتاكسىيال ۋافېرى زامانىۋى يۇقىرى ئىقتىدارلىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلەرنىڭ، بولۇپمۇ يۇقىرى قۇۋۋەتلىك، يۇقىرى چاستوتالىق ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق مەشغۇلاتلار ئۈچۈن لايىھەلەنگەن ئۈسكۈنىلەرنىڭ يادروسى. سىلىكون كاربىد ئېپىتاكسىيال ۋافېرىنىڭ قىسقارتىلمىسى بولغان SiC ئېپىتاكسىيال ۋافېرى يۇقىرى سۈپەتلىك، نېپىز SiC ئېپىتاكسىيال قەۋىتىدىن تەركىب تاپقان بولۇپ، چوڭ تىپتىكى SiC ئاساسى ئۈستىگە ئۆستۈرۈلگەن. SiC ئېپىتاكسىيال ۋافېر تېخنىكىسىنىڭ ئىشلىتىلىشى ئادەتتىكى سىلىكون ئاساس قىلىنغان ۋافېرلارغا سېلىشتۇرغاندا ئۈستۈن فىزىكىلىق ۋە ئېلېكترونلۇق خۇسۇسىيىتى سەۋەبىدىن ئېلېكتر ماشىنىلىرى، ئەقلىي ئىقتىدارلىق تورلار، قايتا ھاسىل بولىدىغان ئېنېرگىيە سىستېمىسى ۋە ئاۋىئاتسىيە ساھەسىدە تېز سۈرئەتتە كېڭىيىۋاتىدۇ.

SiC ئېپىتاكسىيال ۋافېرنىڭ ئىشلەپچىقىرىش پىرىنسىپلىرى

SiC ئېپىتاكسىيال ۋافېر ياساش ئۈچۈن يۇقىرى دەرىجىدە كونترول قىلىنىدىغان خىمىيىلىك پارغا چۆكۈش (CVD) جەريانى تەلەپ قىلىنىدۇ. ئېپىتاكسىيال قەۋەت ئادەتتە 1500 سېلسىيە گرادۇستىن يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا سىلان (SiH₄)، پروپان (C₃H₈) ۋە ھىدروگېن (H₂) قاتارلىق گازلارنى ئىشلىتىپ مونوكرىستاللىق SiC ئاساسى ئۈستىدە ئۆستۈرۈلىدۇ. بۇ يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق ئېپىتاكسىيال ئۆسۈش ئېپىتاكسىيال قەۋەت بىلەن ئاساسى ئارىسىدىكى كىرىستاللارنىڭ مۇكەممەل ماسلىشىشى ۋە ئەڭ ئاز كەم نۇقسانلارنى كاپالەتلەندۈرىدۇ.

بۇ جەريان بىر قانچە مۇھىم باسقۇچلارنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ:

  1. ئاساسىي قاتلام تەييارلاش: ئاساسىي SiC ۋافېرى تازىلانغان ۋە ئاتوم سىلىقلىقىغا كەلتۈرۈلگەن.

  2. يۈرەك-قان تومۇر كېسەللىكلىرىنىڭ ئېشىشىيۇقىرى ساپلىقتىكى رېئاكتوردا، گازلار رېئاكسىيە قىلىپ، ئاساسىي قەۋەتكە يەككە كىرىستاللىق SiC قەۋىتىنى قويىدۇ.

  3. دوپىڭ كونترول قىلىشئېپىتاكسىيە جەريانىدا N تىپلىق ياكى P تىپلىق قوشما قوشۇلۇپ، ئارزۇ قىلىنغان ئېلېكتر خۇسۇسىيىتىگە ئېرىشىلىدۇ.

  4. تەكشۈرۈش ۋە مېترولوگىيەقەۋەت قېلىنلىقى، قوشۇمچە ماددىلارنىڭ قويۇقلۇقى ۋە نۇقسان زىچلىقىنى تەكشۈرۈش ئۈچۈن ئوپتىكىلىق مىكروسكوپ، AFM ۋە رېنتىگېن نۇرى دىفراكسىيەسى ئىشلىتىلىدۇ.

ھەر بىر SiC ئېپىتاكسىيال ۋافېرى قېلىنلىقنىڭ بىردەكلىكى، يۈزەكى تۈزلۈك ۋە قارشىلىقنىڭ قاتتىق بەرداشلىق بېرىش ئىقتىدارىنى ساقلاش ئۈچۈن ئەستايىدىل كۆزىتىلىدۇ. بۇ پارامېتىرلارنى تەڭشەش ئىقتىدارى يۇقىرى ۋولتلۇق MOSFET، Schottky دىئود ۋە باشقا توك ئۈسكۈنىلىرى ئۈچۈن ئىنتايىن مۇھىم.

ئۆلچەم

پارامېتىر ئۆلچەم
تۈرلەر ماتېرىيال ئىلمى، يەككە كىرىستاللىق ئاساسىي قاتلاملار
كۆپ خىل 4H
دوپپىڭ N تىپلىق
دىئامېتىر 101 مىللىمېتىر
دىئامېتىرغا چىداملىقلىق ± 5%
قېلىنلىقى 0.35 مىللىمېتىر
قېلىنلىققا چىداملىقلىق ± 5%
ئاساسلىق تۈز ئۇزۇنلۇقى 22 مىللىمېتىر (± 10%)
TTV (ئومۇمىي قېلىنلىق ئۆزگىرىشى) ≤10 µm
بۇرمىلاش ≤25 µm
FWHM ≤30 Arc-second
يۈزەكى رەڭ Rq ≤0.35 nm

SiC ئېپىتاكسىيال ۋافېرىنىڭ قوللىنىلىشى

SiC ئېپىتاكسىيال ۋافېر مەھسۇلاتلىرى نۇرغۇن ساھەلەردە كەم بولسا بولمايدۇ:

  • ئېلېكترلىك ماشىنىلار (EV)SiC ئېپىتاكسىيال ۋافېر ئاساسلىق ئۈسكۈنىلەر ھەرىكەتلەندۈرگۈچ كۈچ سىستېمىسىنىڭ ئۈنۈمىنى ئاشۇرۇپ، ئېغىرلىقىنى ئازايتىدۇ.

  • قايتا ھاسىل بولىدىغان ئېنېرگىيەقۇياش ۋە شامال ئېنېرگىيەسى سىستېمىلىرىنىڭ ئىنۋېرتېرلىرىدا ئىشلىتىلىدۇ.

  • سانائەت ئېنېرگىيە تەمىناتىيۇقىرى چاستوتىلىق، يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق ئالماشتۇرۇشنى قوزغىتىپ، يوقىتىشنى تۆۋەنلىتىدۇ.

  • ئاۋىئاتسىيە ۋە مۇداپىئە: كۈچلۈك يېرىم ئۆتكۈزگۈچ تەلەپ قىلىدىغان قاتتىق مۇھىتلار ئۈچۈن ئەڭ ماس كېلىدۇ.

  • 5G بازا پونكىتلىرىSiC ئېپىتاكسىيال ۋافېر زاپچاسلىرى رادىئو چاستوتا قوللىنىشچان پروگراممىلىرى ئۈچۈن يۇقىرى قۇۋۋەت زىچلىقىنى قوللايدۇ.

SiC ئېپىتاكسىيال ۋافېرى كرېمنىي ۋافېرلىرىغا سېلىشتۇرغاندا ئىخچام لايىھەلەرنى، تېز ئالماشتۇرۇشنى ۋە يۇقىرى ئېنېرگىيە ئايلاندۇرۇش ئۈنۈمىنى تەمىنلەيدۇ.

SiC ئېپىتاكسىيال ۋافېرىنىڭ ئەۋزەللىكلىرى

SiC ئېپىتاكسىيال ۋافېر تېخنىكىسى مۇھىم پايدىلارنى تەمىنلەيدۇ:

  1. يۇقىرى بۇزۇلۇش توك بېسىمى: Si ۋافېرلىرىغا قارىغاندا 10 ھەسسە يۇقىرى توك بېسىمىغا بەرداشلىق بېرەلەيدۇ.

  2. ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقىSiC ئېپىتاكسىيال ۋافېر ئىسسىقلىقنى تېز تارقىتىپ، ئۈسكۈنىلەرنىڭ تېخىمۇ سالقىن ۋە ئىشەنچلىك ئىشلىشىگە شارائىت ھازىرلايدۇ.

  3. يۇقىرى ئالماشتۇرۇش سۈرئىتىئالماشتۇرۇش زىيىنىنىڭ تۆۋەن بولۇشى يۇقىرى ئۈنۈم ۋە كىچىكلىتىشنى ئىشقا ئاشۇرىدۇ.

  4. كەڭ بەلۋاغ ئارىلىقى: يۇقىرى توك بېسىمى ۋە تېمپېراتۇرىدا مۇقىملىقنى كاپالەتلەندۈرىدۇ.

  5. ماتېرىيالنىڭ چىدامچانلىقىSiC خىمىيىلىك جەھەتتىن ئىنېرتلىق ۋە مېخانىكىلىق جەھەتتىن كۈچلۈك بولۇپ، قىيىن ئىشلارغا ماس كېلىدۇ.

بۇ ئەۋزەللىكلەر SiC ئېپىتاكسىيال ۋافېرنى كېيىنكى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچلەر ئۈچۈن ئەڭ ياخشى ماتېرىيالغا ئايلاندۇرىدۇ.

كۆپ سورىلىدىغان سوئاللار: SiC ئېپىتاكسىيال ۋافېرى

1-سوئال: SiC ۋافېر بىلەن SiC ئېپىتاكسىيال ۋافېرنىڭ پەرقى نېمە؟
SiC ۋافېرى چوڭ تىپتىكى ئاساسىي قاتلامنى كۆرسىتىدۇ، SiC ئېپىتاكسىيال ۋافېرى بولسا ئۈسكۈنە ياساشتا ئىشلىتىلىدىغان ئالاھىدە ئۆستۈرۈلگەن قېتىشما قەۋەتنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ.

2-سوئال: SiC ئېپىتاكسىيال ۋافېر قەۋەتلىرى ئۈچۈن قانداق قېلىنلىقلار بار؟
ئېپىتاكسىيال قەۋەتلەر ئادەتتە قوللىنىش تەلىپىگە ئاساسەن بىر قانچە مىكرومېتىردىن 100 مىكرومېتىردىن ئارتۇق بولىدۇ.

3-سوئال: SiC ئېپىتاكسىيال ۋافېرى يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق مۇھىتلارغا ماس كېلەمدۇ؟
شۇنداق، SiC ئېپىتاكسىيال ۋافېرى 600 سېلسىيە گرادۇستىن يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا ئىشلىيەلەيدۇ، بۇ كرېمنىيدىن كۆرۈنەرلىك دەرىجىدە ئۈستۈن تۇرىدۇ.

4-سوئال: نېمە ئۈچۈن SiC ئېپىتاكسىيال ۋافېرىدا كەمتۈكلۈك زىچلىقى مۇھىم؟
تۆۋەن نۇقسان زىچلىقى ئۈسكۈنىنىڭ ئىقتىدارى ۋە ئۈنۈمىنى ياخشىلايدۇ، بولۇپمۇ يۇقىرى توك بېسىمى قوللىنىشچان پروگراممىلاردا.

5-سوئال: N تىپلىق ۋە P تىپلىق SiC ئېپىتاكسىيال ۋافېرلىرىنىڭ ھەر ئىككىسى بارمۇ؟
شۇنداق، ھەر ئىككى خىل تۈر ئېپىتاكسىيە جەريانىدا ئېنىق قوشۇمچە گاز كونترول قىلىش ئارقىلىق ئىشلەپچىقىرىلىدۇ.

6-سوئال: SiC ئېپىتاكسىيال ۋافېرى ئۈچۈن قانداق ۋافېر چوڭلۇقلىرى ئۆلچەملىك؟
ئۆلچەملىك دىئامېتىرلار 2 دىيۇم، 4 دىيۇم، 6 دىيۇم ۋە بارغانسېرى كۆپىيىۋاتقان 8 دىيۇمنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ، بۇلار يۇقىرى مىقداردا ئىشلەپچىقىرىشقا ئىشلىتىلىدۇ.

7-سوئال: SiC ئېپىتاكسىيال ۋافېرىنىڭ تەننەرخى ۋە ئۈنۈمىگە قانداق تەسىر كۆرسىتىدۇ؟
دەسلەپتە كرېمنىيدىن قىممەت بولسىمۇ، SiC ئېپىتاكسىيال ۋافېرى سىستېما چوڭلۇقى ۋە توك سەرپىياتىنى ئازايتىپ، ئۇزۇن مۇددەتلىك ئومۇمىي تەننەرخ ئۈنۈمىنى ئۆستۈرىدۇ.

  • ئالدىنقىسى:
  • كېيىنكىسى:

    • مۇناسىۋەتلىك مەھسۇلاتلار

    ئۇچۇرىڭىزنى بۇ يەرگە يېزىپ بىزگە ئەۋەتىڭ
    ئىزدەش ئۈچۈن Enter كۇنۇپكىسىنى، تاقاش ئۈچۈن ESC كۇنۇپكىسىنى بېسىڭ