Sic Substrate Silicon Carbide Wafer 4H-N تىپى يۇقىرى قاتتىقلىق چىرىتىشكە قارشى تۇرۇش دەرىجىسى يۇقىرى دەرىجىدىكى سىلىقلاش

Sic Substrate Silicon Carbide Wafer 4H-N تىپى يۇقىرى قاتتىقلىق چىرىشكە چىداملىق باش دەرىجىدىكى سىلىقلاش ئالاھىدە رەسىم

قىسقىچە چۈشەندۈرۈش:

كرېمنىي كاربون ۋافېر ئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەرنى ئىشلەپچىقىرىشتا ئىشلىتىلىدىغان يۇقىرى ئىقتىدارلىق ماتېرىيال. ئۇ كرېمنىيلىق كاربون قەۋىتىدىن كرېمنىي خرۇستال گۈمبەزدە ياسالغان بولۇپ ، ئوخشىمىغان دەرىجىدىكى ، تۈر ۋە يەر يۈزىدە ياسالغان. Wafers نىڭ تەكشىلىكى Lambda / 10 بولۇپ ، ئۇ ۋافېردىن ياسالغان ئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەرنىڭ ئەڭ سۈپەتلىك ۋە ئىقتىدارىغا كاپالەتلىك قىلىدۇ. كرېمنىي كاربون ۋافېر ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى ، LED تېخنىكىسى ۋە ئىلغار سېنزورلاردا ئىشلىتىشكە ماس كېلىدۇ. ئېلېكترون ۋە فوتونكا سانائىتىنى يۇقىرى سۈپەتلىك كرېمنىي كاربون ۋافېر بىلەن تەمىنلەيمىز.

بىزگە ئېلخەت يوللاڭ

مەھسۇلات تەپسىلاتى

مەھسۇلات خەتكۈچلىرى

تۆۋەندىكىسى كرېمنىي كاربون ۋافېرنىڭ ئالاھىدىلىكى

1. يۇقىرى ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى: SIC ۋافېرنىڭ ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى كرېمنىينىڭكىدىن كۆپ يۇقىرى ، يەنى SIC ۋافېرنىڭ ئىسسىقلىقنى ئۈنۈملۈك تارقىتالايدىغانلىقى ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرا مۇھىتىدا مەشغۇلات قىلىشقا ماس كېلىدىغانلىقىدىن دېرەك بېرىدۇ.
2. ئېلېكترونلۇق يۆتكىلىشچانلىقى يۇقىرى: SIC ۋافېرلىرىنىڭ ئېلېكترونلۇق يۆتكىلىشچانلىقى كرېمنىيغا قارىغاندا يۇقىرى بولۇپ ، SIC ئۈسكۈنىلىرىنىڭ تېخىمۇ تېز سۈرئەتتە مەشغۇلات قىلىشىغا شارائىت ھازىرلايدۇ.
3. يۇقىرى پارچىلىنىش بېسىمى: SIC ۋافېر ماتېرىيالىنىڭ پارچىلىنىش بېسىمى تېخىمۇ يۇقىرى بولۇپ ، يۇقىرى بېسىملىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلىرىنى ئىشلەپچىقىرىشقا ماس كېلىدۇ.
4. تېخىمۇ يۇقىرى خىمىيىلىك مۇقىملىق: SIC ۋافېرلىرىنىڭ خىمىيىلىك چىرىتىشكە قارشى تۇرۇش كۈچى تېخىمۇ كۈچلۈك بولۇپ ، ئۈسكۈنىنىڭ ئىشەنچلىكلىكى ۋە چىدامچانلىقىنى ئاشۇرۇشقا ياردەم بېرىدۇ.
5. كەڭ بەلۋاغ پەرقى: SIC ۋافېرنىڭ كرېمنىيغا قارىغاندا كەڭ بەلۋاغ پەرقى بار ، يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا SIC ئۈسكۈنىلىرى تېخىمۇ ياخشى ۋە مۇقىم بولىدۇ.

كرېمنىي كاربون ۋافېرنىڭ بىر قانچە قوللىنىشچان پروگراممىسى بار

1. ماشىنىسازلىق مەيدانى: كېسىش قوراللىرى ۋە ئۇلاش ماتېرىياللىرى تاقاشقا چىداملىق زاپچاسلار ۋە دەرەخلەر سانائەت كلاپانلىرى ۋە تامغىسى بويۇن ۋە توپ
2. ئېلېكتر ئېنېرگىيىسى مەيدانى: توك يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىسى يۇقىرى چاستوتىلىق مىكرو دولقۇنلۇق ئېلېمېنت ؛ يۇقىرى بېسىملىق ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرا ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى ئىسسىقلىق باشقۇرۇش ماتېرىيالى
3. خىمىيىلىك سانائىتى: خىمىيىلىك رېئاكتور ۋە ئۈسكۈنىلەر چىرىشكە چىداملىق تۇرۇبا ۋە ساقلاش باكلىرى خىمىيىلىك كاتالىزاتورنى قوللاش
4. ئېنىرگىيە ساھەسى: گاز تۇربىسى ۋە تۇربىنىلىق بېسىم ئاشۇرغۇچى زاپچاسلار; يادرو ئېنېرگىيىسى يادروسى ۋە قۇرۇلما زاپچاسلىرى يۇقىرى تېمپېراتۇرا يېقىلغۇ باتارېيە زاپچاسلىرى
5. ئالەم بوشلۇقى: باشقۇرۇلىدىغان بومبا ۋە ئالەم قاتنىشى ماشىنىلىرىنىڭ ئىسسىقلىق قوغداش سىستېمىسى رېئاكتىپ ماتورنىڭ پىرقىرىغۇچلۇق تىغ ئىلغار بىرىكمە
6. باشقا رايونلار: يۇقىرى تېمپېراتۇرا سېنزورى ۋە ئىسسىقلىق ساقلاش ئۈسكۈنىسى گۇناھ سادىر قىلىش جەريانىدىكى ئۆلۈش ۋە قوراللار ئېتىزلارنى سىلىقلاش ۋە سىلىقلاش ۋە كېسىش
ZMKJ ئېلېكترونلۇق ۋە ئوپتىكىلىق ئېلېكترون سانائىتىنى يۇقىرى سۈپەتلىك يەككە خرۇستال SiC ۋافېر (كرېمنىي كاربون) بىلەن تەمىنلەيدۇ. SiC ۋافېر كېيىنكى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىيال بولۇپ ، ئۆزگىچە ئېلېكتر خۇسۇسىيىتى ۋە ئىسسىقلىق خۇسۇسىيىتىگە ئىگە ، كرېمنىيلىق ۋافېر ۋە GaAs ۋافېرغا سېلىشتۇرغاندا ، SiC ۋافېر يۇقىرى تېمپېراتۇرا ۋە يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ئۈسكۈنىلەرنى ئىشلىتىشكە تېخىمۇ ماس كېلىدۇ. SiC ۋافېرنىڭ دىئامېتىرى 2-6 دىيۇم ، ھەر ئىككىسى 4H ۋە 6H SiC ، N تىپلىق ، ئازوت دوپپىسى ۋە يېرىم ئىزولياتورلۇق تىپى بىلەن تەمىنلىنىدۇ. تېخىمۇ كۆپ مەھسۇلات ئۇچۇرلىرى ئۈچۈن بىز بىلەن ئالاقىلىشىڭ.
زاۋۇتىمىزدا ئىلغار ئىشلەپچىقىرىش ئۈسكۈنىلىرى ۋە تېخنىكا ئەترىتى بار ، ئۇلار خېرىدارلارنىڭ كونكرېت تەلىپىگە ئاساسەن SiC wafer نىڭ ھەر خىل ئۆلچىمى ، قېلىنلىقى ۋە شەكلىنى خاسلاشتۇرالايدۇ.