SiC
-
كرېمنىي كاربىد (SiC) يەككە كرىستاللىق ئاساس – 10×10 مىللىمېتىرلىق ۋافېر
-
4H-N HPSI SiC ۋافېرى 6H-N 6H-P 3C-N SiC MOS ياكى SBD ئۈچۈن ئېپىتاكسىيال ۋافېرى
-
ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى ئۈچۈن SiC ئېپىتاكسىيال لېنتىسى – 4H-SiC، N تىپلىق، تۆۋەن نۇقسان زىچلىقى
-
4H-N تىپلىق SiC ئېپىتاكسىيال ۋافېر يۇقىرى ۋولتلۇق يۇقىرى چاستوتا
-
3 دىيۇملۇق يۇقىرى ساپلىقتىكى (قوشۇمچە قوشۇلمىغان) كرېمنىي كاربىد ۋافېرلىرى يېرىم ئىزولياتورلۇق سىلىكون ئاساس قەغىزى (HPSl)
-
4H-N 8 دىيۇملۇق SiC ئاساسىي قەۋەت ۋافېرى، كرېمنىي كاربىد مودېلى تەتقىقات دەرىجىسى، قېلىنلىقى 500um
-
4H-N/6H-N SiC ۋافېر تەتقىقاتى ئىشلەپچىقىرىش، دىئامېتىرى 150 مىللىمېتىرلىق كرېمنىي كاربىد ئاساسى
-
Au قاپلانغان ۋافېر، كۆك ياقۇت ۋافېر، كرېمنىي ۋافېر، SiC ۋافېر، 2 دىيۇملۇق 4 دىيۇملۇق 6 دىيۇملۇق، ئالتۇن قاپلانغان قېلىنلىقى 10nm 50nm 100nm
-
SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H يېرىم يېرىم 6H يېرىم 4H-P 6H-P 3C تىپلىق 2chch
-
2 دىيۇملۇق Sic كرېمنىي كاربىد ئاساسى 6H-N تىپى 0.33mm 0.43mm قوش يۈزلۈك سىلىقلاش يۇقىرى ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى تۆۋەن ئېنېرگىيە سەرپىياتى
-
SiC ئاساسىي قەۋىتى 3 دىيۇملۇق 350um قېلىنلىقتىكى HPSI تىپىدىكى باش دەرىجىلىك قوشۇمچە دەرىجىلىك
-
كرېمنىي كاربىد SiC قۇيمىسى 6 دىيۇملۇق N تىپلىق مودېل/ئەڭ يۇقىرى قېلىنلىقتا خاسلاشتۇرغىلى بولىدۇ