SiC
-
كرېمنىي كاربوندىكى 6H-SiC يېرىم ئىزولياتورلۇق ئىنگوت ، دۇممىي دەرىجىسى
-
SiC Ingot 4H تىپىدىكى Dia 4inch 6inch قېلىنلىقى 5-10mm تەتقىقات / دۇمباق دەرىجىسى
-
3 دىيۇملۇق يۇقىرى ساپلىق (يېپىلمىغان) كرېمنىيلىق كاربون ۋافېر يېرىم ئىزولياتورلۇق Sic Substrates (HPSl)
-
Sic Substrate Silicon Carbide Wafer 4H-N تىپى يۇقىرى قاتتىقلىق چىرىتىشكە قارشى تۇرۇش دەرىجىسى يۇقىرى دەرىجىدىكى سىلىقلاش
-
2 دىيۇملۇق كرېمنىي كاربون ۋافېر 6H-N تىپىدىكى دەسلەپكى دەرىجىدىكى تەتقىقات دەرىجىسى دۇممىي دەرىجىسى 330 mm 430 mm قېلىنلىقى
-
2 دىيۇملۇق كرېمنىي كاربون سۇبيېكتى 6H-N قوش يۈزلۈك سىلىقلانغان دىئامېتىرى 50.8 مىللىمېتىر ئىشلەپچىقىرىش دەرىجىسى تەتقىقات دەرىجىسى
-
N تىپلىق SiC بىرىكمە زاپچاسلىرى Dia6inch يۇقىرى سۈپەتلىك يەككە كرىستاللىن ۋە تۆۋەن سۈپەتلىك تارماق
-
يېرىم ئىزولياتورلۇق SiC بىرىكمە زاپچاسلىرى Dia2inch 4inch 6inch 8inch HPSI
-
Si بىرىكمە زاپچاس Dia6inch دىكى N تىپلىق SiC
-
SiC substrate Dia200mm 4H-N ۋە HPSI كىرىمنىي كاربون
-
3inch SiC تارماق مەھسۇلات ئىشلەپچىقىرىش Dia76.2mm 4H-N
-
SiC تارماق P ۋە D دەرىجىلىك Dia50mm 4H-N 2inch