12 دىيۇملۇق SiC ئاساسىي تاختىسى دىئامېتىرى 300 مىللىمېتىر قېلىنلىقى 750μm 4H-N تىپىنى خاسلاشتۇرغىلى بولىدۇ

12 دىيۇملۇق SiC ئاساسىي قەۋىتى دىئامېتىرى 300 مىللىمېتىر قېلىنلىقى 750μm 4H-N تىپىنى خاسلاشتۇرغىلى بولىدۇ ئالاھىدە رەسىم

قىسقىچە چۈشەندۈرۈش:

يېرىم ئۆتكۈزگۈچ سانائىتىنىڭ تېخىمۇ ئۈنۈملۈك ۋە ئىخچام ھەل قىلىش چارىلىرىگە ئۆتۈشىدىكى مۇھىم بىر پەيتتە، 12 دىيۇملۇق SiC ئاساسى (12 دىيۇملۇق كرېمنىي كاربىد ئاساسى) نىڭ پەيدا بولۇشى بۇ مەنزىرىنى تۈپتىن ئۆزگەرتتى. ئەنئەنىۋى 6 دىيۇملۇق ۋە 8 دىيۇملۇق ئۆلچەملەرگە سېلىشتۇرغاندا، 12 دىيۇملۇق ئاساسىنىڭ چوڭ چوڭلۇقتىكى ئەۋزەللىكى ھەر بىر ۋافېردا ئىشلەپچىقىرىلىدىغان چىپ سانىنى تۆت ھەسسىدىن ئارتۇق ئاشۇرىدۇ. بۇنىڭدىن باشقا، 12 دىيۇملۇق SiC ئاساسىنىڭ بىرلىك تەننەرخى ئادەتتىكى 8 دىيۇملۇق ئاساسىغا سېلىشتۇرغاندا %35-40 تۆۋەنلەيدۇ، بۇ ئاخىرقى مەھسۇلاتلارنىڭ كەڭ كۆلەمدە قوللىنىلىشى ئۈچۈن ئىنتايىن مۇھىم.
بىز ئۆزىمىزنىڭ پار توشۇش تېخنىكىسىنى قوللىنىش ئارقىلىق، 12 دىيۇملۇق كىرىستاللارنىڭ يۆتكىلىش زىچلىقىنى كەسىپتە ئالدىنقى قاتاردا كونترول قىلىشقا ئېرىشتۇق، بۇ كېيىنكى ئۈسكۈنە ئىشلەپچىقىرىش ئۈچۈن ئالاھىدە ماتېرىيال ئاساسى بىلەن تەمىنلىدى. بۇ ئىلگىرىلەش ھازىرقى دۇنيا مىقياسىدا چىپ كەمچىللىكى ئىچىدە ئالاھىدە مۇھىم.

كۈندىلىك تۇرمۇشتىكى مۇھىم ئېنېرگىيە ئۈسكۈنىلىرى، مەسىلەن، ئېلېكترونلۇق ماشىنىلارنىڭ تېز قۇۋۋەتلەش پونكىتلىرى ۋە 5G بازا پونكىتلىرى بۇ چوڭ ئۆلچەملىك ئاساسنى بارغانسېرى كۆپ قوللىنىۋاتىدۇ. بولۇپمۇ يۇقىرى تېمپېراتۇرا، يۇقىرى توك بېسىمى ۋە باشقا قاتتىق ئىشلىتىش مۇھىتىدا، 12 دىيۇملۇق SiC ئاساس كرېمنىي ئاساسلىق ماتېرىياللارغا سېلىشتۇرغاندا كۆپ ئۈستۈن مۇقىملىقنى نامايان قىلىدۇ.

بىزگە ئېلخەت ئەۋەتىڭ

ئالاھىدىلىكلەر

تېخنىكىلىق پارامېتىرلار

12 دىيۇملۇق كرېمنىي كاربىد (SiC) ئاساسىي قەۋىتىنىڭ ئۆلچىمى
دەرىجە		ZeroMPD ئىشلەپچىقىرىش دەرىجە (Z دەرىجە)	ئۆلچەملىك ئىشلەپچىقىرىش دەرىجە (P دەرىجە)		ساختا دەرىجە (D دەرىجىلىك)
دىئامېتىر		3 0 0 مىللىمېتىر ~ 1305 مىللىمېتىر
قېلىنلىقى	4H-N	750μm±15 μm	750μm±25 μm
	4H-SI	750μm±15 μm	750μm±25 μm
ۋافېر يۆنىلىشى		ئوق سىرتىدىكى: 4H-N ئۈچۈن <1120 >±0.5° غا قاراپ 4.0°، ئوق ئۈستىدە: 4H-SI ئۈچۈن <0001>±0.5°
مىكرو تۇرۇبا زىچلىقى	4H-N	≤0.4cm-2	≤4cm-2		≤25cm-2
	4H-SI	≤5cm-2	≤10cm-2		≤25cm-2
قارشىلىق	4H-N	0.015~0.024 Ω·cm			0.015~0.028 Ω·cm
	4H-SI	≥1E10 Ω·cm			≥1E5 Ω·cm
ئاساسلىق تۈزلەڭلىك يۆنىلىشى		{10-10} ±5.0°
ئاساسلىق تۈز ئۇزۇنلۇقى	4H-N	يوق
	4H-SI	چەمبەر
قىرنى چىقىرىۋېتىش		3 مىللىمېتىر
LTV/TTV/Bow /Warp		≤5μm / ≤15μm / ≤35 mm / ≤55 mm			≤5μm / ≤15μm / ≤35 □ μm / ≤55 □ μm
قوپاللىق		پولشا Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.2nm			Ra≤0.5nm
يۇقىرى كۈچلۈكلۈكتىكى چىراغنىڭ گىرۋەك يېرىلىشى يۇقىرى كۈچلۈكلۈكتىكى چىراغ ئارقىلىق ئالتە تەرەپلىك تاختىلار يۇقىرى كۈچلۈكلۈكتىكى چىراغ ئارقىلىق كۆپ خىل رايونلار كۆرۈش كاربون قوشۇشلىرى يۇقىرى كۈچلۈكلۈكتىكى چىراغنىڭ كرېمنىي يۈزىدىكى تىرناقلىرى		يوق ئومۇمىي كۆلىمى ≤0.05% يوق ئومۇمىي كۆلىمى ≤0.05% يوق			ئومۇمىي ئۇزۇنلۇقى ≤ 20 مىللىمېتىر، يەككە ئۇزۇنلۇقى ≤ 2 مىللىمېتىر ئومۇمىي كۆلىمى ≤0.1% ئومۇمىي كۆلىمى ≤3% ئومۇمىي كۆلىمى ≤3% يىغىندى ئۇزۇنلۇقى ≤1 × ۋاپېر دىئامېتىرى
يۇقىرى كۈچلۈكلۈكتىكى چىراغ ئارقىلىق گىرۋەك چىپلىرى		كەڭلىكى ۋە چوڭقۇرلۇقى ≥0.2mm غا رۇخسەت قىلىنمايدۇ			7 قېتىم رۇخسەت قىلىنىدۇ، ھەر بىرى ≤1 مىللىمېتىر
(TSD) تىشلىق ۋىنتنىڭ چىقىپ كېتىشى		≤500 cm-2		يوق
(BPD) ئاساسىي تۈزلەڭلىكنىڭ چىقىپ كېتىشى		≤1000 cm-2		يوق
يۇقىرى كۈچلۈكلۈكتىكى نۇرنىڭ كرېمنىي يۈزىنىڭ بۇلغىنىشى		يوق
ئورالما		كۆپ ۋافېرلىق كاسسېتا ياكى يەككە ۋافېرلىق قاچى
ئىزاھاتلار:
1 نۇقسان چەكلىمىسى گىرۋەكنىڭ چىقىرىۋېتىلىش رايونىدىن باشقا پۈتۈن ۋافلىنىڭ يۈزىگە تەتبىقلىنىدۇ. 2. چىزىقلارنى پەقەت Si يۈزىدىلا تەكشۈرۈش كېرەك. 3 چىقىش سانلىق مەلۇماتلىرى پەقەت KOH ئويۇلغان ۋافلىلاردىن ئېلىنغان.

ئاساسلىق ئالاھىدىلىكلەر

1. ئىشلەپچىقىرىش ئىقتىدارى ۋە تەننەرخىنىڭ ئەۋزەللىكى: 12 دىيۇملۇق SiC ئاساسى (12 دىيۇملۇق كرېمنىي كاربىد ئاساسى) نىڭ كۆپ مىقداردا ئىشلەپچىقىرىلىشى يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئىشلەپچىقىرىشتا يېڭى بىر دەۋرنىڭ باشلىنىشىنى بىلدۈرىدۇ. بىر پارچە تاختايدىن ئېرىشكىلى بولىدىغان چىپ سانى 8 دىيۇملۇق ئاساسىدىكىدىن 2.25 ھەسسە كۆپ بولۇپ، ئىشلەپچىقىرىش ئۈنۈمىنىڭ ئېشىشىنى بىۋاسىتە ئىلگىرى سۈرىدۇ. خېرىدارلارنىڭ پىكىر-تەكلىپلىرىدىن قارىغاندا، 12 دىيۇملۇق ئاساسىنى قوللىنىش ئۇلارنىڭ ئېنېرگىيە مودۇلى ئىشلەپچىقىرىش تەننەرخىنى %28 تۆۋەنلىتىپ، قاتتىق رىقابەتلىشىۋاتقان بازاردا ھەل قىلغۇچ رىقابەت ئۈستۈنلۈكىنى ياراتقان.
2. ئالاھىدە فىزىكىلىق خۇسۇسىيەتلەر: 12 دىيۇملۇق SiC ئاساسىي تاختىسى كرېمنىي كاربىد ماتېرىيالىنىڭ بارلىق ئەۋزەللىكلىرىگە ۋارىسلىق قىلغان - ئۇنىڭ ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى كرېمنىينىڭكىدىن 3 ھەسسە، پارچىلىنىش مەيدانى كۈچلۈكلۈكى كرېمنىينىڭكىدىن 10 ھەسسە يۇقىرى. بۇ خۇسۇسىيەتلەر 12 دىيۇملۇق ئاساسىي تاختىلارغا ئاساسلانغان ئۈسكۈنىلەرنىڭ 200 سېلسىيە گرادۇستىن يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق مۇھىتتا مۇقىم ئىشلىشىگە شارائىت ھازىرلاپ بېرىدۇ، بۇ ئۇلارنى ئېلېكترلىك ئاپتوموبىل قاتارلىق تەلەپچان قوللىنىشچان ساھەلەرگە ئالاھىدە ماس كېلىدۇ.
3. يۈزەكى بىر تەرەپ قىلىش تېخنىكىسى: بىز 12 دىيۇملۇق SiC ئاساسىي قەۋىتى ئۈچۈن مەخسۇس يېڭى خىمىيىلىك مېخانىكىلىق سىلىقلاش (CMP) ئۇسۇلىنى تەرەققىي قىلدۇردۇق، بۇ ئاتوم دەرىجىسىدىكى يۈزەكى تۈزلۈككە (Ra <0.15nm) ئېرىشتۇق. بۇ بۆسۈش چوڭ دىئامېتىرلىق كرېمنىي كاربىد ۋافېر يۈزەكى بىر تەرەپ قىلىشنىڭ دۇنياۋى خىرىسىنى ھەل قىلىپ، يۇقىرى سۈپەتلىك ئېپىتاكسىيە ئۆسۈشىنىڭ توسالغۇلىرىنى يوقاتتى.
4. ئىسسىقلىق باشقۇرۇش ئىقتىدارى: ئەمەلىي قوللىنىشتا، 12 دىيۇملۇق SiC ئاساسىي تاختىلىرى كۆرۈنەرلىك ئىسسىقلىق تارقىتىش ئىقتىدارىنى نامايان قىلىدۇ. سىناق سانلىق مەلۇماتلىرىدىن قارىغاندا، ئوخشاش قۇۋۋەت زىچلىقى ئاستىدا، 12 دىيۇملۇق ئاساسىي تاختىلارنى ئىشلىتىدىغان ئۈسكۈنىلەر كرېمنىي ئاساسلىق ئۈسكۈنىلەرگە قارىغاندا 40-50 سېلسىيە گرادۇس تۆۋەن تېمپېراتۇرىدا ئىشلەيدۇ، بۇ ئۈسكۈنىلەرنىڭ ئىشلىتىش ئۆمرىنى زور دەرىجىدە ئۇزارتىدۇ.

ئاساسلىق قوللىنىشلار

1. يېڭى ئېنېرگىيەلىك ئاپتوموبىل ئېكوسىستېمىسى: 12 دىيۇملۇق SiC ئاساسى (12 دىيۇملۇق كرېمنىي كاربىد ئاساسى) ئېلېكتر ئاپتوموبىللىرىنىڭ ھەرىكەتلەندۈرگۈچ قۇرۇلمىسىنى ئىنقىلابىي ئۆزگەرتمەكتە. ماشىنا ئىچىدىكى توك قاچىلىغۇچتىن (OBC) تارتىپ ئاساسلىق قوزغاتقۇچ ئۆزگەرتكۈچ ۋە باتارېيە باشقۇرۇش سىستېمىسىغىچە، 12 دىيۇملۇق ئاساسىنىڭ ئۈنۈمنى ئاشۇرۇشى ئاپتوموبىلنىڭ يول يۈرۈش مۇساپىسىنى %5-8 ئاشۇرىدۇ. داڭلىق ئاپتوموبىل ئىشلەپچىقارغۇچىنىڭ دوكلاتلىرىدىن كۆرۈۋېلىشقا بولىدۇكى، بىزنىڭ 12 دىيۇملۇق ئاساسىنى ئىشلىتىش ئۇلارنىڭ تېز توك قاچىلاش سىستېمىسىدىكى ئېنېرگىيە يوقىتىشىنى %62 ئازايتتى.
2. قايتا ھاسىل بولىدىغان ئېنېرگىيە ساھەسى: فوتوۋولت ئېلېكتر ئىستانسىلىرىدا، 12 دىيۇملۇق SiC ئاساسىي ماتېرىيالىغا ئاساسلانغان ئىنۋېرتېرلار پەقەت كىچىكرەك شەكىل ئامىللىرىغا ئىگە بولۇپلا قالماي، يەنە %99 تىن ئېشىپ كېتىدىغان ئۆزگەرتىش ئۈنۈمىگە ئېرىشىدۇ. بولۇپمۇ تارقاقلاشتۇرۇلغان توك ئىشلەپچىقىرىش شارائىتىدا، بۇ يۇقىرى ئۈنۈملۈك مەشغۇلاتچىلارنىڭ يىللىق يۈز مىڭ يۈەنلىك توك زىيىنىنى تېجەپ قېلىشىغا ياردەم بېرىدۇ.
3. سانائەت ئاپتوماتلاشتۇرۇش: 12 دىيۇملۇق ئاساسىي تاختىلارنى ئىشلىتىدىغان چاستوتا ئۆزگەرتكۈچلىرى سانائەت روبوتلىرى، CNC ماشىنا ئۈسكۈنىلىرى ۋە باشقا ئۈسكۈنىلەردە ئەلا ئىقتىدارنى نامايان قىلىدۇ. ئۇلارنىڭ يۇقىرى چاستوتىلىق ئالماشتۇرۇش خۇسۇسىيىتى ماتورنىڭ ئىنكاس سۈرئىتىنى %30 يۇقىرى كۆتۈرۈپ، ئېلېكترو ماگنىتلىق توسالغۇنى ئادەتتىكى ھەل قىلىش چارىلىرىنىڭ ئۈچتىن بىرىگە چۈشۈرىدۇ.
4. ئىستېمال ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى يېڭىلىقى: يېڭى ئەۋلاد ئەقلىي ئىقتىدارلىق تېلېفون تېز قۇۋۋەتلەش تېخنىكىسى 12 دىيۇملۇق SiC ئاساسىي تاختىلىرىنى قوللىنىشقا باشلىدى. 65W دىن يۇقىرى تېز قۇۋۋەتلەش مەھسۇلاتلىرى تولۇق كرېمنىي كاربىد ئېرىتمىسىگە ئۆتىدىغانلىقى، 12 دىيۇملۇق ئاساسىي تاختىلارنىڭ ئەڭ ياخشى باھا-ئۈنۈم تاللاش بولۇپ قالىدىغانلىقى مۆلچەرلەنمەكتە.

12 دىيۇملۇق SiC ئاساسىي قەۋىتى ئۈچۈن XKH خاسلاشتۇرۇلغان مۇلازىمەتلەر

12 دىيۇملۇق SiC ئاساس تاختىسى (12 دىيۇملۇق كرېمنىي كاربىد ئاساس تاختىسى) نىڭ ئالاھىدە تەلىپىنى قاندۇرۇش ئۈچۈن، XKH شىركىتى ئومۇميۈزلۈك مۇلازىمەت قوللىشى بىلەن تەمىنلەيدۇ:
1. قېلىنلىقىنى خاسلاشتۇرۇش:
بىز ھەر خىل قوللىنىش ئېھتىياجىنى قاندۇرۇش ئۈچۈن، 725μm قاتارلىق ھەر خىل قېلىنلىقتىكى ئۆلچەمدىكى 12 دىيۇملۇق ئاساس تاختىسى بىلەن تەمىنلەيمىز.
2. دوپىڭنىڭ قويۇقلۇقى:
بىزنىڭ ئىشلەپچىقىرىشىمىز n تىپلىق ۋە p تىپلىق ئاساسىي ماتېرىياللارنى ئۆز ئىچىگە ئالغان كۆپ خىل ئۆتكۈزۈشچانلىق تىپلىرىنى قوللايدۇ، 0.01-0.02Ω·cm دائىرىسىدە ئېنىق قارشىلىق كونترولى بار.
3. سىناق مۇلازىمىتى:
تولۇق ۋافېر دەرىجىلىك سىناق ئۈسكۈنىلىرى بىلەن، بىز تولۇق تەكشۈرۈش دوكلاتلىرى بىلەن تەمىنلەيمىز.
XKH ھەر بىر خېرىدارنىڭ 12 دىيۇملۇق SiC ئاساسىي قەۋىتىگە بولغان ئۆزگىچە تەلىپى بارلىقىنى چۈشىنىدۇ. شۇڭا بىز ئەڭ رىقابەت كۈچىگە ئىگە ھەل قىلىش چارىلىرى بىلەن تەمىنلەش ئۈچۈن جانلىق سودا ھەمكارلىق مودېللىرىنى تەمىنلەيمىز، مەسىلەن:
· تەتقىقات ۋە تەرەققىيات ئۈلگىلىرى
· كۆپ مىقداردا ئىشلەپچىقىرىش سېتىۋېلىش
بىزنىڭ خاسلاشتۇرۇلغان مۇلازىمىتىمىز 12 دىيۇملۇق SiC ئاساسىي تاختىلىرى ئۈچۈن سىزنىڭ ئالاھىدە تېخنىكىلىق ۋە ئىشلەپچىقىرىش ئېھتىياجىڭىزنى قاندۇرالايدىغانلىقىمىزغا كاپالەتلىك قىلىدۇ.