English

SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H يېرىم يېرىم 6H يېرىم 4H-P 6H-P 3C تىپلىق 2chch

SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H يېرىم 6H يېرىم 4H-P 6H-P 3C تىپى 2inch 3inch
  • SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H يېرىم يېرىم 6H يېرىم 4H-P 6H-P 3C تىپلىق 2chch
  • SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H يېرىم يېرىم 6H يېرىم 4H-P 6H-P 3C تىپلىق 2chch
  • SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H يېرىم يېرىم 6H يېرىم 4H-P 6H-P 3C تىپلىق 2chch
  • SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H يېرىم يېرىم 6H يېرىم 4H-P 6H-P 3C تىپلىق 2chch
  • SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H يېرىم يېرىم 6H يېرىم 4H-P 6H-P 3C تىپلىق 2chch
  • SiC wafer 4H-N 6H-N HPSI 4H يېرىم يېرىم 6H يېرىم 4H-P 6H-P 3C تىپلىق 2chch

قىسقىچە چۈشەندۈرۈش:

بىز يۇقىرى سۈپەتلىك SiC (كرېمنىي كاربىد) لېفتىلىرىنىڭ كۆپ خىل تاللىشىنى تەمىنلەيمىز، بولۇپمۇ N تىپلىق 4H-N ۋە 6H-N لېفتىلىرىغا ئالاھىدە ئەھمىيەت بېرىمىز، بۇلار ئىلغار ئوپتوئېلېكترون، ئېنېرگىيە ئۈسكۈنىلىرى ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق مۇھىتلاردا ئىشلىتىشكە ناھايىتى ماس كېلىدۇ. بۇ N تىپلىق لېفتىلار ئالاھىدە ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى، ئالاھىدە ئېلېكتر مۇقىملىقى ۋە ئالاھىدە چىدامچانلىقى بىلەن داڭلىق بولۇپ، ئېنېرگىيە ئېلېكترون، ئېلېكتر ماشىنا ھەيدەش سىستېمىسى، قايتا ھاسىل بولىدىغان ئېنېرگىيە ئۆزگەرتكۈچ ۋە سانائەت ئېنېرگىيە تەمىناتى قاتارلىق يۇقىرى ئىقتىدارلىق قوللىنىشچان پروگراممىلارغا ماس كېلىدۇ. N تىپلىق مەھسۇلاتلىرىمىزدىن باشقا، بىز يەنە يۇقىرى چاستوتا ۋە رادىئو چاستوتا ئۈسكۈنىلىرى، شۇنداقلا فوتون قوللىنىشچان پروگراممىلىرى قاتارلىق ئالاھىدە ئېھتىياجلار ئۈچۈن P تىپلىق 4H/6H-P ۋە 3C SiC لېفتىلىرىنى تەمىنلەيمىز. لېفتىلىرىمىزنىڭ چوڭلۇقى 2 دىيۇمدىن 8 دىيۇمغىچە بولۇپ، بىز ھەر خىل سانائەت ساھەلىرىنىڭ ئالاھىدە تەلىپىنى قاندۇرۇش ئۈچۈن خاسلاشتۇرۇلغان ھەل قىلىش چارىلىرى بىلەن تەمىنلەيمىز. تېخىمۇ كۆپ تەپسىلاتلار ياكى سوئاللار ئۈچۈن بىز بىلەن ئالاقىلىشىڭ.


ئالاھىدىلىكلەر

مۈلۈكلەر

4H-N ۋە 6H-N (N تىپلىق SiC ۋافېرلىرى)

قوللىنىش:ئاساسلىقى ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى، ئوپتوئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق قوللىنىشچان ساھەلەردە ئىشلىتىلىدۇ.

دىئامېتىر دائىرىسى:50.8 مىللىمېتىردىن 200 مىللىمېتىرغىچە.

قېلىنلىقى:350 μm ± 25 μm، قېلىنلىقى 500 μm ± 25 μm نى تاللىغىلى بولىدۇ.

قارشىلىق:N تىپلىق 4H/6H-P: ≤ 0.1 Ω·cm (Z دەرىجىلىك)، ≤ 0.3 Ω·cm (P دەرىجىلىك)؛ N تىپلىق 3C-N: ≤ 0.8 mΩ·cm (Z دەرىجىلىك)، ≤ 1 mΩ·cm (P دەرىجىلىك).

قوپاللىق:Ra ≤ 0.2 nm (CMP ياكى MP).

مىكرو تۇرۇبا زىچلىقى (MPD):< 1 ئېسا/سانتىمېتىر².

TTV: بارلىق دىئامېتىرلار ئۈچۈن ≤ 10 μm.

بۇرمىلاش: ≤ 30 μm (8 دىيۇملۇق ۋافلىلار ئۈچۈن ≤ 45 μm).

قىر چەكلىمىسى:لېنتا تۈرىگە ئاساسەن 3 مىللىمېتىردىن 6 مىللىمېتىرغىچە بولىدۇ.

ئورالما:كۆپ ۋافلىلىق كاسسېتا ياكى يەككە ۋافلىلىق قاچى.

چوڭلۇقى 3 دىيۇملۇق، 4 دىيۇملۇق، 6 دىيۇملۇق، 8 دىيۇملۇق قاتارلىقلار بار

HPSI (يۇقىرى ساپلىقتىكى يېرىم ئىزولياتسىيەلىك SiC ۋافېرلىرى)

قوللىنىش:يۇقىرى قارشىلىق ۋە مۇقىم ئىقتىدار تەلەپ قىلىدىغان ئۈسكۈنىلەر، مەسىلەن، رادىئو چاستوتا ئۈسكۈنىلىرى، فوتون قوللىنىشچان پروگراممىلىرى ۋە سېنزورلار ئۈچۈن ئىشلىتىلىدۇ.

دىئامېتىر دائىرىسى:50.8 مىللىمېتىردىن 200 مىللىمېتىرغىچە.

قېلىنلىقى:ئۆلچەملىك قېلىنلىقى 350 μm ± 25 μm، قېلىنلىقى 500 μm غىچە بولغان تاختىلارنى تاللىغىلى بولىدۇ.

قوپاللىق:Ra ≤ 0.2 نانومېتىر.

مىكرو تۇرۇبا زىچلىقى (MPD): ≤ 1 ئې/كۋادرات سانتىمېتىر².

قارشىلىق:يۇقىرى قارشىلىق، ئادەتتە يېرىم ئىزولياتسىيەلىك ئىشلىتىشلەردە ئىشلىتىلىدۇ.

بۇرمىلاش: ≤ 30 μm (كىچىكرەك چوڭلۇقلار ئۈچۈن)، چوڭراق دىئامېتىرلار ئۈچۈن ≤ 45 μm.

TTV: ≤ 10 مىكرومېتىر.

چوڭلۇقى 3 دىيۇملۇق، 4 دىيۇملۇق، 6 دىيۇملۇق، 8 دىيۇملۇق قاتارلىقلار بار

4H-P、6H-P&3C SiC ۋافلىسى(P تىپلىق SiC ۋافېرلىرى)

قوللىنىش:ئاساسلىقى توك ۋە يۇقىرى چاستوتىلىق ئۈسكۈنىلەر ئۈچۈن.

دىئامېتىر دائىرىسى:50.8 مىللىمېتىردىن 200 مىللىمېتىرغىچە.

قېلىنلىقى:350 μm ± 25 μm ياكى خاسلاشتۇرۇلغان تاللاشلار.

قارشىلىق:P تىپلىق 4H/6H-P: ≤ 0.1 Ω·cm (Z دەرىجىلىك)، ≤ 0.3 Ω·cm (P دەرىجىلىك).

قوپاللىق:Ra ≤ 0.2 nm (CMP ياكى MP).

مىكرو تۇرۇبا زىچلىقى (MPD):< 1 ئېسا/سانتىمېتىر².

TTV: ≤ 10 مىكرومېتىر.

قىر چەكلىمىسى:3 مىللىمېتىردىن 6 مىللىمېتىرغىچە.

بۇرمىلاش: كىچىكرەك چوڭلۇقلار ئۈچۈن ≤ 30 μm، چوڭراق چوڭلۇقلار ئۈچۈن ≤ 45 μm.

3 دىيۇملۇق 4 دىيۇملۇق 6 دىيۇملۇق چوڭلۇقتا بار5×5 10×10

قىسمەن سانلىق مەلۇمات پارامېتىرلىرى جەدۋىلى

مۈلۈك

2 دىيۇم

3 دىيۇملۇق

4 دىيۇملۇق

6 دىيۇملۇق

8 دىيۇملۇق

تىپى

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C؛

4H-N/HPSI/
6H-N/4H/6H-P/3C؛

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C؛

4H-N/HPSI//4H/6H-P/3C؛

4H-N/HPSI/4H-YARIM

دىئامېتىر

50.8 ± 0.3 مىللىمېتىر

76.2±0.3mm

100±0.3mm

150±0.3mm

200 ± 0.3 مىللىمېتىر

قېلىنلىقى

330 ± 25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350 ±25 um

350±25um；

500±25um

500±25um

500±25um

500±25um

ياكى خاسلاشتۇرۇلغان

ياكى خاسلاشتۇرۇلغان

ياكى خاسلاشتۇرۇلغان

ياكى خاسلاشتۇرۇلغان

ياكى خاسلاشتۇرۇلغان

قوپاللىق

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

Ra ≤ 0.2nm

بۇرمىلاش

≤ 30 mkm

≤ 30 mkm

≤ 30 mkm

≤ 30 mkm

≤45um

TTV

≤ 10 um

≤ 10 um

≤ 10 um

≤ 10 um

≤ 10 um

تىرناقلاش/قېزىش

CMP/MP

MPD

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

<1ea/cm-2

شەكىل

يۇمىلاق، ياپىلاق 16 مىللىمېتىر، ئۇزۇنلۇقى 22 مىللىمېتىر؛ ئۇزۇنلۇقى 30/32.5 مىللىمېتىر؛ ئۇزۇنلۇقى 47.5 مىللىمېتىر؛ ئويما؛ ئويما؛

قىيپاش

45°، يېرىم ئۆلچەملىك؛ C شەكىللىك

 دەرىجە

MOS&SBD نىڭ ئىشلەپچىقىرىش دەرىجىسى؛ تەتقىقات دەرىجىسى؛ ساختا دەرىجە، ئۇرۇق ۋافلى دەرىجىسى

ئىزاھاتلار

يۇقىرىدىكى دىئامېتىر، قېلىنلىق، يۆنىلىش ۋە ئۆلچەملەرنى سىزنىڭ تەلىپىڭىزگە ئاساسەن خاسلاشتۇرغىلى بولىدۇ.

 

قوللىنىشچان پروگراممىلار

·ئېلېكترون ئېلېكترونلىرى

N تىپلىق SiC لېنتىلىرى يۇقىرى ۋولت ۋە يۇقىرى توكنى بىر تەرەپ قىلىش ئىقتىدارىغا ئىگە بولغاچقا، ئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەردە ئىنتايىن مۇھىم. ئۇلار ئادەتتە قايتا ھاسىل بولىدىغان ئېنېرگىيە، ئېلېكتر ماشىنىلىرى ۋە سانائەت ئاپتوماتلاشتۇرۇش قاتارلىق كەسىپلەردە ئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەردە، ئۆزگەرتكۈچلەردە ۋە ماتور قوزغاتقۇچلىرىدا ئىشلىتىلىدۇ.

· ئوپتوئېلېكترون
N تىپلىق SiC ماتېرىياللىرى، بولۇپمۇ ئوپتوئېلېكترونلۇق قوللىنىشچان پروگراممىلاردا، يورۇقلۇق چىقىرىدىغان دىئود (LED) ۋە لازېر دىئود قاتارلىق ئۈسكۈنىلەردە ئىشلىتىلىدۇ. ئۇلارنىڭ يۇقىرى ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى ۋە كەڭ بەلباغ بوشلۇقى ئۇلارنى يۇقىرى ئىقتىدارلىق ئوپتوئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەر ئۈچۈن ئەڭ ياخشى قىلىدۇ.

·يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق قوللىنىشچان پروگراممىلار
4H-N 6H-N SiC لېنتىلىرى يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق مۇھىتلارغا، مەسىلەن، ئاۋىئاتسىيە، ئاپتوموبىل ۋە سانائەت قاتارلىق ساھەلەردە ئىشلىتىلىدىغان سېنزورلار ۋە ئېنېرگىيە ئۈسكۈنىلىرىگە ناھايىتى ماس كېلىدۇ، چۈنكى بۇ ساھەلەردە ئىسسىقلىقنىڭ تارقىلىشى ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا مۇقىملىقى ئىنتايىن مۇھىم.

·رادىئو چاستوتا ئۈسكۈنىلىرى
4H-N 6H-N SiC لېنتىلىرى يۇقىرى چاستوتا دائىرىسىدە ئىشلەيدىغان رادىئو چاستوتا (RF) ئۈسكۈنىلىرىدە ئىشلىتىلىدۇ. ئۇلار يۇقىرى ئېنېرگىيە ئۈنۈمى ۋە ئىقتىدارى تەلەپ قىلىنىدىغان ئالاقە سىستېمىسى، رادار تېخنىكىسى ۋە سۈنئىي ھەمراھ ئالاقىسى قاتارلىق ساھەلەردە قوللىنىلىدۇ.

·فوتونىك قوللىنىشچان پروگراممىلار
فوتونىكىدا، SiC لامپىلىرى فوتودېتېكتور ۋە مودۇلياتور قاتارلىق ئۈسكۈنىلەردە ئىشلىتىلىدۇ. بۇ ماتېرىيالنىڭ ئۆزگىچە خۇسۇسىيىتى ئۇنىڭ ئوپتىكىلىق ئالاقە سىستېمىسى ۋە سۈرەتكە ئېلىش ئۈسكۈنىلىرىدە نۇر ھاسىل قىلىش، مودۇلياتسىيە قىلىش ۋە بايقاشتا ئۈنۈملۈك بولۇشىغا شارائىت ھازىرلايدۇ.

·سېنزورلار
SiC لېنتىلىرى ھەر خىل سېنزور قوللىنىشچان پروگراممىلىرىدا، بولۇپمۇ باشقا ماتېرىياللارنىڭ مەغلۇب بولۇشى مۇمكىن بولغان قاتتىق مۇھىتلاردا ئىشلىتىلىدۇ. بۇلارغا تېمپېراتۇرا، بېسىم ۋە خىمىيىلىك سېنزورلار كىرىدۇ، بۇلار ئاپتوموبىل، نېفىت ۋە تەبىئىي گاز ۋە مۇھىت كۆزىتىش قاتارلىق ساھەلەردە ئىنتايىن مۇھىم.

·ئېلېكترلىك ماشىنا ھەيدەش سىستېمىسى
SiC تېخنىكىسى ئېلېكتر ماشىنىلىرىنىڭ ھەرىكەتلەندۈرگۈچ سىستېمىسىنىڭ ئۈنۈمى ۋە ئىقتىدارىنى يۇقىرى كۆتۈرۈش ئارقىلىق مۇھىم رول ئوينايدۇ. SiC توك يېرىم ئۆتكۈزگۈچلىرى ئارقىلىق، ئېلېكتر ماشىنىلىرى باتارېيەنىڭ ئۆمرىنى ئۇزارتىش، تېز توك قاچىلاش ۋە ئېنېرگىيە ئۈنۈمىنى ئاشۇرۇشقا ئېرىشەلەيدۇ.

·ئىلغار سېنزورلار ۋە فوتون ئۆزگەرتكۈچلىرى
ئىلغار سېنزور تېخنىكىلىرىدا، SiC لامپىلىرى روبوت، داۋالاش ئۈسكۈنىلىرى ۋە مۇھىت كۆزىتىش قاتارلىق ساھەلەردە ئىشلىتىلىدىغان يۇقىرى ئېنىقلىقتىكى سېنزورلارنى ياساشتا ئىشلىتىلىدۇ. فوتون ئۆزگەرتكۈچلەردە، SiC نىڭ خۇسۇسىيىتى ئېلېكتر ئېنېرگىيەسىنى ئوپتىكىلىق سىگنالغا ئۈنۈملۈك ئايلاندۇرۇش ئۈچۈن ئىشلىتىلىدۇ، بۇ تېلېگراف ۋە يۇقىرى سۈرئەتلىك تور ئۇل ئەسلىھەلىرىدە ئىنتايىن مۇھىم.

سوئال-جاۋاب

Q4H SiC دىكى 4H دېگەن نېمە؟
A4H SiC دىكى «4H» كرېمنىي كاربىدنىڭ كرىستال قۇرۇلمىسىنى، بولۇپمۇ تۆت قەۋەتلىك (H) ئالتە تەرەپلىك شەكىلنى كۆرسىتىدۇ. «H» ئالتە تەرەپلىك كۆپ تىپنىڭ تىپىنى كۆرسىتىپ، ئۇنى 6H ياكى 3C قاتارلىق باشقا SiC كۆپ تىپلىرىدىن پەرقلەندۈرىدۇ.

Q4H-SiC نىڭ ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى قانچىلىك؟
A4H-SiC (كرېمنىي كاربىد) نىڭ ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى ئۆي تېمپېراتۇرىسىدا تەخمىنەن 490-500 W/m·K بولىدۇ. بۇ يۇقىرى ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى ئۇنى ئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەر ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق مۇھىتلاردا ئىشلىتىشكە ئەڭ ماس كېلىدۇ، چۈنكى بۇ مۇھىتلاردا ئۈنۈملۈك ئىسسىقلىق تارقىتىش ئىنتايىن مۇھىم.

  • ئالدىنقىسى:
  • كېيىنكىسى:

    • مۇناسىۋەتلىك مەھسۇلاتلار

    ئۇچۇرىڭىزنى بۇ يەرگە يېزىپ بىزگە ئەۋەتىڭ
    ئىزدەش ئۈچۈن Enter كۇنۇپكىسىنى، تاقاش ئۈچۈن ESC كۇنۇپكىسىنى بېسىڭ