كۆك ياقۇت ئېپى قەۋىتىدىكى ۋافېر گاللىي نىترىد ئېپىتاكسىمان ۋافېردا 100 مىللىمېتىر 4 ئىنگلىز چىسى
GaN كۆك LED كىۋانت قۇدۇق قۇرۇلمىسىنىڭ ئۆسۈش جەريانى.تەپسىلىي جەريان ئېقىمى تۆۋەندىكىچە
.
.
.
.
.
.
.
(8) P تىپلىق G تۇراقلىق يۈزىگە قىسىپ ، N تىپلىق G تۇراقلىق يۈزىنى ئاشكارىلاش ؛
(9) p-GaNI يۈزىدىكى Ni / Au ئالاقىلىشىش تاختىسىنىڭ پارلىنىشى ، ll-GaN يۈزىدىكى △ / Al ئالاقىلىشىش تاختىسىنىڭ پارلىنىشى ئېلېكترود ھاسىل قىلىدۇ.
ئۆلچىمى
| Item | GaN-TCU-C100 | GaN-TCN-C100 |
| رازمېرى | e 100 mm ± 0.1 mm | |
| قېلىنلىق | 4.5 ± 0.5 um خاسلاشتۇرغىلى بولىدۇ | |
| يۆنىلىش | C- ئايروپىلان (0001) ± 0.5 ° | |
| ئۆتكۈزۈش تىپى | N تىپى (Undoped) | N تىپلىق (Si-doped) |
| قارشىلىق كۈچى (300K) | <0.5 Q ・ cm | <0.05 Q ・ cm |
| توشۇغۇچى قويۇقلۇقى | <5x1017cm-3 | > 1x1018cm-3 |
| ھەرىكەتچانلىقى | ~ 300 cm2/ Vs | ~ 200 cm2/ Vs |
| تارقاقلاشتۇرۇش زىچلىقى | 5x10 دىن تۆۋەن8cm-2(XRD نىڭ FWHMs تەرىپىدىن ھېسابلىنىدۇ) | |
| تارماق قۇرۇلما | كۆك ياقۇتتىكى GaN (ئۆلچەملىك: SSP تاللاش: DSP) | |
| ئىشلىتىشكە بولىدىغان Surface رايونى | > 90% | |
| بوغچا | ئازوت ئاتموسفېراسى ئاستىدا 100 سىنىپلىق پاكىز ئۆي مۇھىتىغا قاچىلانغان ، 25pc لىق ياكى يەككە ۋافېرلىق قاچا. | |
تەپسىلىي دىئاگرامما
ئۇچۇرىڭىزنى بۇ يەرگە يېزىڭ ۋە بىزگە ئەۋەتىڭ
