كرېمنىي ئېپى قەۋىتىدىكى ۋافېر گاللىي نىترىد ئېپىتاكسىيىلىك ۋافېردا 150 مىللىمېتىر 200 مىللىمېتىر 6 دىيۇم 8 ئىنگلىز چىسى

كرېمنىيلىق Epi قەۋىتىدىكى ۋافېر گاللىي نىترىد ئېپتاكسىمان ۋافېردىكى 150 مىللىمېتىر 200 مىللىمېتىر 6 دىيۇم 8 ئىنگلىز چىسى

قىسقىچە چۈشەندۈرۈش:

6 دىيۇملۇق GaN Epi قەۋىتىدىكى ۋافېر يۇقىرى كىرىملىك يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىيال بولۇپ ، كرېمنىينىڭ ئاستى قىسمىدا ئۆستۈرۈلگەن گاللىي نىترىد (GaN) دىن تەركىب تاپقان. بۇ ماتېرىيالنىڭ ئېسىل ئېلېكترونلۇق توشۇش خۇسۇسىيىتى بار بولۇپ ، يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ۋە يۇقىرى چاستوتىلىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلىرىنى ياساشقا ماس كېلىدۇ.

بىزگە ئېلخەت يوللاڭ

مەھسۇلات تەپسىلاتى

مەھسۇلات خەتكۈچلىرى

ياساش ئۇسۇلى

ياساش جەريانى مېتال-ئورگانىك خىمىيىلىك پارنىڭ چۆكۈپ كېتىشى (MOCVD) ياكى مولېكۇلا نۇر دەستىسى (MBE) قاتارلىق ئىلغار تېخنىكىلارنى ئىشلىتىپ كۆك ياقۇتنىڭ ئاستىغا GaN قەۋىتىنى ئاشۇرۇشنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ. چۆكۈش جەريانى كونترول قىلىنغان شارائىتتا ئېلىپ بېرىلىپ ، يۇقىرى خرۇستال سۈپەتلىك ۋە بىردەك پىلاستىنكىغا كاپالەتلىك قىلىنىدۇ.

6inch GaN-On-كۆك ياقۇت قوللىنىشچان پروگراممىلىرى: 6 دىيۇملۇق كۆك ياقۇت ئاستى ئۆزەك مىكرو دولقۇنلۇق خەۋەرلىشىش ، رادار سىستېمىسى ، سىمسىز تېخنىكا ۋە ئوپتىكىلىق ئېلېكترون قاتارلىقلاردا كەڭ قوللىنىلىدۇ.

بەزى ئورتاق قوللىنىشچان پروگراممىلارنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ

1. Rf قۇۋۋەت كۈچەيتكۈچ

2. LED يورۇتۇش سانائىتى

3. سىمسىز تور ئالاقە ئۈسكۈنىلىرى

4. يۇقىرى تېمپېراتۇرا مۇھىتىدىكى ئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەر

5. ئوپتىكىلىق ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى

مەھسۇلات ئۆلچىمى

- چوڭلۇقى: يەر ئاستى دىئامېتىرى 6 دىيۇم (تەخمىنەن 150 مىللىمېتىر).

- يەر يۈزىنىڭ سۈپىتى: ئەلا ئەينەك سۈپىتىنى تەمىنلەش ئۈچۈن يۈزى ئىنچىكە سىلىقلانغان.

- قېلىنلىقى: GaN قەۋىتىنىڭ قېلىنلىقىنى كونكرېت تەلەپكە ئاساسەن خاسلاشتۇرغىلى بولىدۇ.

- ئورالما: توشۇش جەريانىدا بۇزۇلۇشنىڭ ئالدىنى ئېلىش ئۈچۈن ، ئاستىرتتىن تۇراقلىق ماددىغا قارشى ماتېرىياللار قاچىلانغان.

- ئورۇن بەلگىلەش گىرۋىكى: تارماق ئورۇننىڭ ئورۇن بەلگىلەش گىرۋىكى بار بولۇپ ، ئۈسكۈنىلەرنى تەييارلاش جەريانىدا توغرىلاش ۋە مەشغۇلات قىلىشقا قولايلىق يارىتىدۇ.

- باشقا پارامېتىرلار: نېپىز ، قارشىلىق ۋە دوپپا قويۇقلۇقى قاتارلىق كونكرېت پارامېتىرلارنى خېرىدارلارنىڭ تەلىپىگە ئاساسەن تەڭشىگىلى بولىدۇ.

ئۇلارنىڭ ئەۋزەل ماتېرىيال خۇسۇسىيىتى ۋە كۆپ خىل قوللىنىشچانلىقى بىلەن 6 دىيۇملۇق كۆك ياقۇت يەر ئاستى ۋافېر ھەر خىل كەسىپلەردە يۇقىرى ئىقتىدارلىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلىرىنى تەرەققىي قىلدۇرۇشتىكى ئىشەنچلىك تاللاش.

Substrate	6 »1mm <111> p تىپلىق Si	6 »1mm <111> p تىپلىق Si
Epi ThickAvg	~ 5um	~ 7um
Epi ThickUnif	<2%	<2%
Bow	+/- 45um	+/- 45um
يېرىلىش	<5mm	<5mm
Vertical BV	> 1000V	> 1400V
HEMT Al%	25-35%	25-35%
HEMT ThickAvg	20-30nm	20-30nm
Insitu SiN Cap	5-60nm	5-60nm
2DEG conc.	~ 10¹³cm^-2	~ 10¹³cm^-2
ھەرىكەتچانلىقى	~ 2000cm²/ Vs (<2%)	~ 2000cm²/ Vs (<2%)
Rsh	<330ohm / sq (<2%)	<330ohm / sq (<2%)