200mm 8inch GaN ياقۇت Epi قەۋەتلىك ۋافېر ئاساسىغا ئورنىتىلغان
مەھسۇلات تونۇشتۇرۇش
8 دىيۇملۇق GaN-on-Sapphire ئاساسىي قەۋىتى، Sapphire ئاساسىي قەۋىتىگە ئۆستۈرۈلگەن گاللىي نىترىد (GaN) قەۋىتىدىن تەركىب تاپقان يۇقىرى سۈپەتلىك يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىيال. بۇ ماتېرىيال ئېسىل ئېلېكترونلۇق توشۇش خۇسۇسىيىتىگە ئىگە بولۇپ، يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ۋە يۇقىرى چاستوتىلىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلەرنى ياساشقا ناھايىتى ماس كېلىدۇ.
ئىشلەپچىقىرىش ئۇسۇلى
ئىشلەپچىقىرىش جەريانى مېتال-ئورگانىك خىمىيىلىك پارغا چۆكتۈرۈش (MOCVD) ياكى مولېكۇلا نۇرى ئېپىتاكسىيەسى (MBE) قاتارلىق ئىلغار تېخنىكىلار ئارقىلىق ياقۇت ئاساسىدىكى GaN قەۋىتىنىڭ ئېپىتاكسىيەلىك ئۆسۈشىنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ. چۆكتۈرۈش يۇقىرى كرىستال سۈپىتى ۋە پىلاستىنكىنىڭ بىردەكلىكىگە كاپالەتلىك قىلىش ئۈچۈن كونترول قىلىنىدىغان شارائىتتا ئېلىپ بېرىلىدۇ.
قوللىنىشچان پروگراممىلار
8 دىيۇملۇق GaN-on-Sapphire ئاساسىي تاختىسى مىكرو دولقۇنلۇق ئالاقە، رادار سىستېمىسى، سىمسىز تېخنىكا ۋە ئوپتوئېلېكترون قاتارلىق ھەر خىل ساھەلەردە كەڭ قوللىنىلىدۇ. كۆپ ئۇچرايدىغان قوللىنىشچان پروگراممىلارنىڭ بەزىلىرى تۆۋەندىكىلەرنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ:
1. رادىئو چاستوتا قۇۋۋەت كۈچەيتكۈچلىرى
2. LED چىراغ سانائىتى
3. سىمسىز تور ئالاقە ئۈسكۈنىلىرى
4. يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق مۇھىت ئۈچۈن ئىشلىتىلىدىغان ئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەر
5. Oپتوئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەر
مەھسۇلات ئۆلچىمى
-ئۆلچىمى: ئاساسىي تاختىنىڭ چوڭلۇقى دىئامېتىرى 8 دىيۇم (200 مىللىمېتىر).
- يۈزەكى سۈپىتى: يۈزەكى سىلىقلىق دەرىجىسى يۇقىرى دەرىجىدە سىلىقلانغان ھەمدە ئەينەككە ئوخشاش سۈپەتكە ئىگە.
- قېلىنلىقى: GaN قەۋىتىنىڭ قېلىنلىقىنى ئالاھىدە تەلەپلەرگە ئاساسەن خاسلاشتۇرغىلى بولىدۇ.
- ئورالمىسى: توشۇش جەريانىدا بۇزۇلۇشنىڭ ئالدىنى ئېلىش ئۈچۈن، ئاساسىي قەۋەت ئېھتىيات بىلەن ئانتىستاتىك ماتېرىياللارغا ئورالغان.
- يۆنىلىش تۈزلىكى: ئاساسىي تاختىنىڭ ئالاھىدە يۆنىلىش تۈزلىكى بار بولۇپ، ئۈسكۈنە ياساش جەريانىدا ۋاپېلنى تەڭشەش ۋە بىر تەرەپ قىلىشقا ياردەم بېرىدۇ.
- باشقا پارامېتىرلار: قېلىنلىقى، قارشىلىقى ۋە قوشۇمچە ماددىلارنىڭ قويۇقلۇقى قاتارلىق ئالاھىدىلىكلەرنى خېرىدارلارنىڭ تەلىپىگە ئاساسەن تەڭشىگىلى بولىدۇ.
8 دىيۇملۇق GaN-on-Sapphire ئاساسىي تاختىسى ئۆزىنىڭ ئەلا سۈپەتلىك ماتېرىيال خۇسۇسىيىتى ۋە كۆپ خىل قوللىنىشچانلىقى بىلەن ھەر خىل كەسىپلەردە يۇقىرى ئىقتىدارلىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلەرنى تەرەققىي قىلدۇرۇشتا ئىشەنچلىك تاللاش ھېسابلىنىدۇ.
GaN-On-Sapphire دىن باشقا، بىز يەنە ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى قوللىنىش ساھەسىدىمۇ تەمىنلىيەلەيمىز. بۇ مەھسۇلات ئائىلىسى 8 دىيۇملۇق AlGaN/GaN-on-Si ئېپىتاكسىيال ۋاپلېرلىرى ۋە 8 دىيۇملۇق P-قاپلىغۇچلۇق AlGaN/GaN-on-Si ئېپىتاكسىيال ۋاپلېرلىرىنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ. شۇنىڭ بىلەن بىر ۋاقىتتا، بىز مىكرو دولقۇن ساھەسىدە ئۆزىنىڭ ئىلغار 8 دىيۇملۇق GaN ئېپىتاكسىيال تېخنىكىسىنى قوللىنىشتا يېڭىلىق ياراتتۇق ۋە يۇقىرى ئىقتىدار بىلەن چوڭ چوڭلۇق، تۆۋەن باھا ۋە ئۆلچەملىك 8 دىيۇملۇق ئۈسكۈنە بىر تەرەپ قىلىش ئىقتىدارى بىلەن ماس كېلىدىغان 8 دىيۇملۇق AlGaN/GAN-on-HR Si ئېپىتاكسىيال ۋاپلېرنى تەرەققىي قىلدۇردۇق. كرېمنىي ئاساسلىق گاللىي نىترىدتىن باشقا، بىزدە يەنە خېرىدارلارنىڭ كرېمنىي ئاساسلىق گاللىي نىترىد ئېپىتاكسىيال ماتېرىياللىرىغا بولغان ئېھتىياجىنى قاندۇرۇش ئۈچۈن AlGaN/GaN-on-SiC ئېپىتاكسىيال ۋاپلېرلىرىنىڭ مەھسۇلات لىنىيىسى بار.
تەپسىلىي دىئاگرامما
