كۆك ياقۇت Epi قەۋىتىدىكى ۋافېر ئاستى قەۋىتىدىكى 200mm 8inch GaN

-ئاپتوموبىل: ئاستى قىسمىنىڭ چوڭلۇقى 8 دىيۇم (200 مىللىمېتىر).

- يەر يۈزىنىڭ سۈپىتى: يۈزى سىلىقلىق دەرىجىسى يۇقىرى دەرىجىدە سىلىقلانغان بولۇپ ، ئەينەككە ئوخشاش ئېسىل سۈپەتنى نامايان قىلىدۇ.

- قېلىنلىقى: GaN قەۋىتىنىڭ قېلىنلىقىنى كونكرېت تەلەپكە ئاساسەن خاسلاشتۇرغىلى بولىدۇ.

- ئورالمىسى: تارماق بالا تىنىچلىنىشقا قارشى ماتېرىياللارغا ئەستايىدىل ئورالغان بولۇپ ، توشۇش جەريانىدا زىياننىڭ ئالدىنى ئالىدۇ.

- يۆنىلىش تۈزلەڭلىكى: تارماق زاپچاسنىڭ ئۈسكۈنە ياساش جەريانىدا پىششىقلاپ ئىشلەش ۋە بىر تەرەپ قىلىشقا ياردەم بېرىدىغان ئالاھىدە يۆنىلىشلىك تەكشىلىكى بار.

- باشقا پارامېتىرلار: قېلىنلىق ، قارشىلىق كۈچى ۋە دوپپا قويۇقلۇقىنىڭ كونكرېت ئالاھىدىلىكى خېرىدارلارنىڭ تەلىپىگە ئاساسەن ماسلاشتۇرۇلىدۇ.

ئەۋزەللىكى يۇقىرى بولغان ماتېرىيال خۇسۇسىيىتى ۋە كۆپ خىل قوللىنىشچانلىقى بىلەن ، 8 دىيۇملۇق كۆك ياقۇت كۆك ياقۇت تارماق ئېغىزى ھەر خىل كەسىپلەردە يۇقىرى ئىقتىدارلىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلىرىنى تەرەققىي قىلدۇرۇشتىكى ئىشەنچلىك تاللاش.

GaN-On-Sapphire نى ھېسابقا ئالمىغاندا ، بىز يەنە ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرىنى قوللىنىش ساھەسىدە تەمىنلىيەلەيمىز ، مەھسۇلات ئائىلىسى 8 دىيۇملۇق AlGaN / GaN-on-Si epitaxial wafers ۋە 8 دىيۇملۇق P-cap AlGaN / GaN-on-Si Epitaxial نى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ. wafers. شۇنىڭ بىلەن بىر ۋاقىتتا ، بىز مىكرو دولقۇنلۇق ساھەدە ئۆزىنىڭ ئىلغار 8 دىيۇملۇق GaN epitaxy تېخنىكىسىنىڭ قوللىنىلىشىنى يېڭىلاپ ، 8 دىيۇملۇق AlGaN / GAN-on-HR Si epitaxy wafer نى ياساپ چىقتۇق ، ئۇ يۇقىرى ئىقتىدار بىلەن چوڭ-كىچىكلىكى ، تەننەرخى تۆۋەن. ھەمدە ئۆلچەملىك 8 دىيۇملۇق ئۈسكۈنىلەرنى بىر تەرەپ قىلىشقا ماس كېلىدۇ. كرېمنىينى ئاساس قىلغان گاللىي نىترىدتىن باشقا ، بىزدە يەنە AlGaN / GaN-on-SiC epitaxial ۋافېرنىڭ مەھسۇلات لىنىيىسى بار ، خېرىدارلارنىڭ كرېمنىينى ئاساس قىلغان گاللىي نىترىد ئېپىتاكسىيىلىك ماتېرىياللىرىغا بولغان ئېھتىياجىنى قاندۇرىدۇ.