2 دىيۇم 50.8 مىللىمېتىر كىرىمنىي كاربىد SiC Wafers دوپپا Si N تىپلىق ئىشلەپچىقىرىش تەتقىقاتى ۋە دۇممىي دەرىجىسى

2 دىيۇم 50.8 مىللىمېتىرلىق كرېمنىي كاربون SiC Wafers كۆپەيتىلگەن Si N تىپلىق ئىشلەپچىقىرىش تەتقىقاتى ۋە دۇممىي دەرىجىلىك ئالاھىدە رەسىم

قىسقىچە چۈشەندۈرۈش:

شاڭخەي شىنكېخۇي تېخنىكىسى.چەكلىك مەسئۇلىيەت شىركىتى يۇقىرى سۈپەتلىك كرېمنىيلىق كاربون ۋافېر ۋە ئەڭ ياخشى تاللاش ۋە باھا بىلەن تەمىنلەيدۇ ، دىئامېتىرى ئالتە دىيۇمغىچە ، N ۋە يېرىم ئىزولياتورلۇق تىپى بار.كىچىك ۋە چوڭ يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلىرى شىركەتلىرى ۋە تەتقىقات تەجرىبىخانىلىرى دۇنيا مىقياسىدا ئىشلىتىلىدۇ ۋە بىزنىڭ كرېمنىي كاربون ۋافېرلىرىمىزغا تايىنىدۇ.

بىزگە ئېلخەت ئەۋەتىڭ

مەھسۇلات تەپسىلاتى

مەھسۇلات خەتكۈچلىرى

2 دىيۇملۇق 4H-N ئېچىلمىغان SiC ۋافېرنىڭ پارامېتىر ئۆلچىمى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ

ئاستى ماتېرىيال: 4H كرېمنىي كاربون (4H-SiC)

خىرۇستال قۇرۇلما: tetrahexahedral (4H)

دوپپا: بىكار قىلىنمىغان (4H-N)

چوڭلۇقى: 2 دىيۇم

ئۆتكۈزۈشچانلىقى تىپى: N تىپى (n كۆپەيتىلگەن)

ئۆتكۈزۈشچانلىقى: يېرىم ئۆتكۈزگۈچ

بازار ئىستىقبالى: 4H-N كۆپەيتىلمىگەن SiC ۋافېرنىڭ نۇرغۇن ئىسسىقلىق ئەۋزەللىكى بار ، مەسىلەن يۇقىرى ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى ، تۆۋەن توك ئۆتكۈزۈشچانلىقى تۆۋەن ، يۇقىرى تېمپېراتۇرىغا چىدامچانلىقى ۋە مېخانىك مۇقىملىقى يۇقىرى ، شۇڭا ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى ۋە RF قوللىنىشچان پروگراممىلىرىدا بازارنىڭ نەزەر دائىرىسى كەڭ.قايتا ھاسىل بولىدىغان ئېنېرگىيە ، ئېلېكترونلۇق ماشىنا ۋە خەۋەرلىشىشنىڭ تەرەققىي قىلىشىغا ئەگىشىپ ، يۇقىرى ئۈنۈملۈك ، يۇقىرى تېمپېراتۇرا مەشغۇلاتى ۋە يۇقىرى قۇۋۋەتكە چىداملىق ئۈسكۈنىلەرگە بولغان ئېھتىياج كۈنسېرى ئېشىۋاتىدۇ ، بۇ 4H-N كۆپەيتىلمىگەن SiC ۋافېرنى تېخىمۇ كەڭ بازار پۇرسىتى بىلەن تەمىنلەيدۇ.

ئىشلىتىلىشى: 2 دىيۇملۇق 4H-N كۆپەيتىلمىگەن SiC ۋافېرلىرى ھەر خىل ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى ۋە RF ئۈسكۈنىلىرىنى توقۇشقا ئىشلىتىلىدۇ ، بۇنىڭ ئىچىدە:

1--4H-SiC MOSFETs: يۇقىرى قۇۋۋەت / يۇقىرى تېمپېراتۇرا قوللىنىش ئۈچۈن مېتال ئوكسىد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ مەيدان ئېففېكتى تىرانسفورماتور.بۇ ئۈسكۈنىلەرنىڭ ئۆتكۈزۈشچانلىقى ۋە ئالماشتۇرۇش ئىقتىدارى تۆۋەن بولۇپ ، تېخىمۇ يۇقىرى ئۈنۈم ۋە ئىشەنچلىك بولىدۇ.

2--4H-SiC JFETs: RF قۇۋۋەت كۈچەيتكۈچ ۋە ئالماشتۇرۇش پروگراممىلىرىنىڭ ئۇلىنىش FET.بۇ ئۈسكۈنىلەر يۇقىرى چاستوتىلىق ئىقتىدار ۋە يۇقىرى ئىسسىقلىق مۇقىملىقى بىلەن تەمىنلەيدۇ.

3--4H-SiC Schottky Diodes: يۇقىرى قۇۋۋەت ، يۇقىرى تېمپېراتۇرا ، يۇقىرى چاستوتىلىق قوللىنىشچان پروگراممىلار.بۇ ئۈسكۈنىلەر تۆۋەن توك ئۆتكۈزۈش ۋە ئالماشتۇرۇش زىيىنى بىلەن يۇقىرى ئۈنۈم بىلەن تەمىنلەيدۇ.

4--4H-SiC ئوپتىكىلىق ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى: يۇقىرى قۇۋۋەتلىك لازېرلىق دىئود ، ئۇلترا بىنەپشە نۇر تەكشۈرگۈچ ۋە ئوپتىكىلىق ئېلېكترونلۇق توپلاشتۇرۇلغان توك يولى قاتارلىق رايونلاردا ئىشلىتىلىدىغان ئۈسكۈنىلەر.بۇ ئۈسكۈنىلەرنىڭ كۈچلۈك قۇۋۋىتى ۋە چاستوتىسى ئالاھىدىلىكى بار.

يىغىپ ئېيتقاندا ، 2 دىيۇملۇق 4H-N كۆپەيتىلمىگەن SiC ۋافېرنىڭ كەڭ قوللىنىشچان پروگراممىلارنىڭ يوشۇرۇن كۈچى بار ، بولۇپمۇ ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى ۋە RF.ئۇلارنىڭ ئەۋزەللىكى ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرىنىڭ مۇقىملىقى ئۇلارنى يۇقىرى كىرىملىك ، يۇقىرى تېمپېراتۇرا ۋە يۇقىرى قۇۋۋەتلىك قوللىنىشچان ئەنئەنىۋى كرېمنىي ماتېرىياللىرىنىڭ ئورنىنى ئالىدىغان كۈچلۈك رىقابەتچىگە ئايلاندۇرىدۇ.