4H-N 8 دىيۇملۇق SiC تارماق بەلۋاغلىق كرېمنىي كاربون دومى تەتقىقات دەرىجىسى 500um قېلىنلىق

قىسقىچە چۈشەندۈرۈش:

كرېمنىيلىق كاربون ۋافېر ئېلېكتر دىئودى ، MOSFETs ، يۇقىرى قۇۋۋەتلىك مىكرو دولقۇنلۇق ئۈسكۈنىلەر ۋە RF تىرانسفورموتور قاتارلىق ئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەردە ئىشلىتىلىدۇ ، بۇ ئۈنۈملۈك ئېنېرگىيە ئايلاندۇرۇش ۋە توك باشقۇرۇش ئىمكانىيىتىگە ئىگە قىلىدۇ. SiC ۋافېر ۋە تارماق زاپچاسلار يەنە ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى ، ئالەم قاتنىشى سىستېمىسى ۋە قايتا ھاسىل بولىدىغان ئېنېرگىيە تېخنىكىسىدا ئىشلىتىلىدۇ.


مەھسۇلات تەپسىلاتى

مەھسۇلات خەتكۈچلىرى

كىرىمنىي كاربون ۋافېر ۋە SiC تارماق لىنىيىسىنى قانداق تاللايسىز؟

كرېمنىي كاربون (SiC) ۋافېر ۋە تارماق ئېلېمېنتلارنى تاللىغاندا ، ئويلىنىشقا تېگىشلىك بىر قانچە ئامىل بار. بۇ يەردە بىر قانچە مۇھىم ئۆلچەم بار:

ماتېرىيال تىپى: ئىلتىماسىڭىزغا ماس كېلىدىغان SiC ماتېرىيالىنىڭ تۈرىنى ئېنىقلاڭ ، مەسىلەن 4H-SiC ياكى 6H-SiC. ئەڭ كۆپ ئىشلىتىلىدىغان خرۇستال قۇرۇلما 4H-SiC.

دوپپا تىپى: كۆپەيتىلگەن ياكى ئېچىلمىغان SiC تارماق ئېغىزىغا ئېھتىياجلىق ياكى ئەمەسلىكىڭىزنى قارار قىلىڭ. كۆپ ئۇچرايدىغان دوپپا تىپى سىزنىڭ كونكرېت تەلىپىڭىزگە ئاساسەن N تىپلىق (n-doped) ياكى P تىپلىق (p-doped).

خرۇستال سۈپەت: SiC ۋافېر ياكى تارماق ئېلېمېنتلارنىڭ خرۇستال سۈپىتىنى باھالاڭ. كۆزلىگەن سۈپەت كەمتۈك سانى ، كىرىستاللوگرافىك يۆنىلىشى ۋە يەر يۈزى يىرىكلىكى قاتارلىق پارامېتىرلار تەرىپىدىن بەلگىلىنىدۇ.

Wafer دىئامېتىرى: ئىلتىماسىڭىزغا ئاساسەن مۇۋاپىق wafer چوڭلۇقىنى تاللاڭ. كۆپ ئۇچرايدىغان چوڭلۇقى 2 دىيۇم ، 3 دىيۇم ، 4 دىيۇم ۋە 6 دىيۇم. دىئامېتىرى قانچە چوڭ بولسا ، ھەر بىر ۋافېرغا ئېرىشەلەيسىز.

قېلىنلىقى: SiC ۋافېر ياكى ئاستى قىسمىنىڭ لازىملىق قېلىنلىقىنى ئويلاڭ. تىپىك قېلىنلىق تاللاشلىرى بىر نەچچە مىكروومېتىردىن نەچچە يۈز مىكروومېتىرغىچە.

يۆنىلىش: ئىلتىماسىڭىزنىڭ تەلىپىگە ماس كېلىدىغان كىرىستال يۆنىلىشنى بەلگىلەڭ. ئورتاق يۆنىلىش 4H-SiC ئۈچۈن (0001) ۋە (0001) ياكى 6H-SiC ئۈچۈن (0001̅) نى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ.

Surface Finish: SiC ۋافېر ياكى ئاستى قىسمىنىڭ سىرتقى يۈزىگە باھا بېرىڭ. يۈزى سىلىق ، سىلىق ھەم سىزىلغان ياكى بۇلغانمىلاردىن خالىي بولۇشى كېرەك.

تەمىنلىگۈچىنىڭ ئىناۋىتى: ئەلا سۈپەتلىك SiC ۋافېر ۋە تارماق ئېلېمېنتلارنى ئىشلەپچىقىرىشتا مول تەجرىبىسى بار داڭلىق تەمىنلىگۈچىنى تاللاڭ. ئىشلەپچىقىرىش ئىقتىدارى ، سۈپەت كونترول قىلىش ۋە خېرىدارلارنىڭ باھاسى قاتارلىق ئامىللارنى ئويلاڭ.

تەننەرخ: ھەر بىر ۋافېر ياكى تارماق لىنىيەنىڭ باھاسى ۋە باشقا قوشۇمچە خىراجەتلەرنى ئۆز ئىچىگە ئالغان خىراجەتنىڭ تەسىرىنى ئويلاڭ.

بۇ ئامىللارنى ئەستايىدىللىق بىلەن باھالاپ ، كەسىپ مۇتەخەسسىسلىرى ياكى تەمىنلىگۈچىلەر بىلەن مەسلىھەتلىشىپ ، تاللانغان SiC ۋافېر ۋە تارماق دېتاللارنىڭ سىزنىڭ كونكرېت ئىلتىماس تەلىپىڭىزگە ماس كېلىشىگە كاپالەتلىك قىلىش كېرەك.

تەپسىلىي دىئاگرامما

4H-N 8 دىيۇملۇق SiC تارماق بەلۋاغلىق كرېمنىي كاربون دومى تەتقىقات دەرىجىسى 500um قېلىنلىق (1)
4H-N 8 دىيۇملۇق SiC ئاستى ئاستى ۋافېر كرېمنىي كاربون دومى تەتقىقات دەرىجىسى 500um قېلىنلىق (2)
4H-N 8 دىيۇملۇق SiC تارماق بەلۋاغلىق كرېمنىي كاربون دومى تەتقىقات دەرىجىسى 500um قېلىنلىق (3)
4H-N 8 دىيۇملۇق SiC ئاستى ئاستى ۋافېر كرېمنىي كاربون دومى تەتقىقات دەرىجىسى 500um قېلىنلىق (4)

  • ئالدىنقى:
  • كېيىنكى:

  • ئۇچۇرىڭىزنى بۇ يەرگە يېزىڭ ۋە بىزگە ئەۋەتىڭ