8 Inch Lithium Niobate Wafer LiNbO3 LN wafer
تەپسىلىي ئۇچۇرلار
| دىئامېتىرى | 200 ± 0.2mm |
| ئاساسلىق تەكشىلىك | 57.5mm, Notch |
| يۆنىلىش | 128Y-Cut, X-Cut, Z-Cut |
| قېلىنلىق | 0.5 ± 0.025mm ، 1.0 ± 0.025mm |
| Surface | DSP ۋە SSP |
| TTV | <5µm |
| BOW | ± (20µm ~ 40um) |
| Warp | <= 20µm ~ 50µm |
| LTV (5mmx5mm) | <1.5 um |
| PLTV (<0.5um) | ≥98% (5mm * 5mm) 2mm گىرۋەك چىقىرىۋېتىلگەن |
| Ra | Ra <= 5A |
| Scratch & Dig (S / D) | 20/10, 40/20, 60/40 |
| Edge | SEMI M1.2@ بىلەن GC800 # بىلەن تونۇشۇڭ.دائىملىق C تىپىدا |
كونكرېت ئۆلچىمى
دىئامېتىرى: 8 دىيۇم (تەخمىنەن 200 مىللىمېتىر)
قېلىنلىقى: ئادەتتىكى ئۆلچەملىك قېلىنلىقى 0.5 مىللىمېتىردىن 1 مىللىمېتىرغىچە.باشقا قېلىنلىقلارنى كونكرېت تەلەپكە ئاساسەن خاسلاشتۇرغىلى بولىدۇ
خرۇستال يۆنىلىش: ئاساسلىق كۆپ ئۇچرايدىغان خرۇستال يۆنىلىش 128Y كېسىلگەن ، Z كېسىلگەن ۋە X كېسىلگەن خرۇستال يۆنىلىش بولۇپ ، كونكرېت قوللىنىشچان پروگراممىغا ئاساسەن باشقا خرۇستال يۆنىلىشنى تەمىنلىگىلى بولىدۇ.
چوڭلۇقى ئەۋزەللىكى: 8 دىيۇملۇق سېرراتا كارپ بېلىقى كىچىك ۋافېرلارغا قارىغاندا بىر قانچە چوڭ ئەۋزەللىككە ئىگە:
چوڭراق رايون: 6 دىيۇملۇق ياكى 4 دىيۇملۇق ۋافېرغا سېلىشتۇرغاندا ، 8 دىيۇملۇق ۋافېر تېخىمۇ چوڭ يەر يۈزى بىلەن تەمىنلەيدۇ ھەمدە تېخىمۇ كۆپ ئۈسكۈنىلەر ۋە توپلاشتۇرۇلغان توك يولى سىغدۇرالايدۇ ، نەتىجىدە ئىشلەپچىقىرىش ئۈنۈمى ۋە مەھسۇلات مىقدارى ئاشىدۇ.
تېخىمۇ قويۇقلۇقى: 8 دىيۇملۇق ۋافېر ئىشلىتىش ئارقىلىق ، ئوخشاش بىر رايوندا تېخىمۇ كۆپ ئۈسكۈنىلەر ۋە زاپچاسلارنى ئەمەلگە ئاشۇرغىلى بولىدۇ ، بىر گەۋدىلىشىش ۋە ئۈسكۈنىلەرنىڭ زىچلىقىنى ئاشۇرىدۇ ، بۇ ئۈسكۈنىنىڭ ئىقتىدارىنى ئۆستۈرىدۇ.
تېخىمۇ ياخشى ئىزچىللىق: چوڭ ۋافېرلارنىڭ ئىشلەپچىقىرىش جەريانىدىكى ماسلىشىشچانلىقى تېخىمۇ ياخشى بولۇپ ، ئىشلەپچىقىرىش جەريانىدىكى ئۆزگىرىشچانلىقىنى ئازايتىپ ، مەھسۇلاتنىڭ ئىشەنچلىكلىكى ۋە ئىزچىللىقىنى ئۆستۈرىدۇ.
8 دىيۇملۇق L ۋە LN ۋافېرنىڭ دىئامېتىرى ئاساسىي ئېقىندىكى كرېمنىي ۋافېر بىلەن ئوخشاش بولۇپ ، باغلاش ئاسان.يۇقىرى چاستوتىلىق بەلۋاغنى بىر تەرەپ قىلالايدىغان يۇقىرى ئىقتىدارلىق «بىرلەشمە SAW سۈزگۈچ» ماتېرىيالى بولۇش سۈپىتى بىلەن.
تەپسىلىي دىئاگرامما
