HPSI SiC Wafer ≥90% ئۆتكۈزۈشچانلىق ئوپتىكىلىق دەرىجىسى AI/AR كۆزەينىكى ئۈچۈن
ئاساسلىق كىرىش سۆز: سۈنئىي ئەقىل/AR كۆزەينەكلىرىدىكى HPSI SiC ۋافېرلىرىنىڭ رولى
HPSI (يۇقىرى ساپلىقتىكى يېرىم ئىزولياتسىيەلىك) كرېمنىي كاربىد لېنتىلىرى يۇقىرى قارشىلىق (>10⁹ Ω·cm) ۋە ئىنتايىن تۆۋەن نۇقسان زىچلىقى بىلەن خاراكتېرلىنىدىغان ئالاھىدە لېنتىلار. AI/AR كۆزەينىكىدە، ئۇلار ئاساسلىقى دىفراكسىيەلىك ئوپتىكىلىق دولقۇن يېتەكلىگۈچ لىنزىلارنىڭ يادرولۇق ماتېرىيالى بولۇپ، نېپىز ۋە يېنىك شەكىل ئامىلى، ئىسسىقلىق تارقىتىش ۋە ئوپتىكىلىق ئىقتىدار قاتارلىق ئەنئەنىۋى ئوپتىكىلىق ماتېرىياللار بىلەن مۇناسىۋەتلىك توسالغۇلارنى ھەل قىلىدۇ. مەسىلەن، SiC دولقۇن يېتەكلىگۈچ لىنزىسىنى ئىشلەتكەن AR كۆزەينىكى 70°–80° كۆرۈش دائىرىسىگە (FOV) ئېرىشەلەيدۇ، شۇنىڭ بىلەن بىر ۋاقىتتا، بىر لىنزا قەۋىتىنىڭ قېلىنلىقىنى پەقەت 0.55mm غىچە، ئېغىرلىقىنى پەقەت 2.7g غىچە ئازايتىدۇ، بۇ كىيىش راھەتلىكى ۋە كۆرۈشكە چوڭقۇر چۆكۈش ئۈنۈمىنى كۆرۈنەرلىك دەرىجىدە ئاشۇرىدۇ.
ئاساسلىق ئالاھىدىلىكلەر: SiC ماتېرىيالى سۈنئىي ئەقىل/AR كۆزەينەك لايىھىسىنى قانداق كۈچەيتىدۇ
يۇقىرى سىنىش كۆرسەتكۈچى ۋە ئوپتىكىلىق ئىقتىدارنى ئەلالاشتۇرۇش
- SiC نىڭ سىنىش كۆرسەتكۈچى (2.6–2.7) ئەنئەنىۋى ئەينەكنىڭكىدىن (1.8–2.0) دېگۈدەك %50 يۇقىرى. بۇ دولقۇن يېتەكلىگۈچ قۇرۇلمىلارنىڭ نېپىز ۋە ئۈنۈملۈك بولۇشىغا شارائىت يارىتىپ، FOV نى زور دەرىجىدە كېڭەيتىدۇ. يۇقىرى سىنىش كۆرسەتكۈچى يەنە دىفراكسىيەلىك دولقۇن يېتەكلىگۈچلەردە كۆپ ئۇچرايدىغان «كەينەك ئېففېكتى» نى باستۇرۇشقا ياردەم بېرىپ، رەسىمنىڭ ساپلىقىنى ياخشىلايدۇ.
ئالاھىدە ئىسسىقلىق باشقۇرۇش ئىقتىدارى
- SiC نىڭ ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى 490 W/m·K غا يېتىدىغان (مىسنىڭكىگە يېقىن) بولۇپ، Micro-LED كۆرسىتىش مودۇللىرى ھاسىل قىلغان ئىسسىقلىقنى تېز سۈرئەتتە تارقىتىۋېتىدۇ. بۇ، يۇقىرى تېمپېراتۇرا سەۋەبىدىن ئىقتىدارنىڭ تۆۋەنلىشى ياكى ئۈسكۈنىلەرنىڭ قېرىشىنىڭ ئالدىنى ئېلىپ، باتارېيەنىڭ ئۇزۇن ئۆمۈر كۆرۈشى ۋە يۇقىرى مۇقىملىققا كاپالەتلىك قىلىدۇ.
مېخانىكىلىق كۈچ ۋە چىدامچانلىق
- SiC نىڭ قاتتىقلىقى 9.5 موھس (ئالماستىن قالسىلا ئىككىنچى ئورۇندا تۇرىدۇ) بولۇپ، چىزىلىشقا قارشى تۇرۇش ئىقتىدارى ئالاھىدە يۇقىرى بولۇپ، دائىم ئىشلىتىلىدىغان كۆزەينەكلەرگە ئەڭ ماس كېلىدۇ. ئۇنىڭ يۈزىنىڭ پۇختىلىقىنى Ra < 0.5 nm غىچە كونترول قىلغىلى بولىدۇ، بۇ دولقۇن يېتەكلىگۈچتە تۆۋەن يوقىتىش ۋە يۇقىرى دەرىجىدە بىردەك نۇر ئۆتكۈزۈشنى كاپالەتلەندۈرىدۇ.
ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرىنىڭ ماسلىشىشى
- HPSI SiC نىڭ قارشىلىق كۈچى (>10⁹ Ω·cm) سىگنالنىڭ توسقۇنلۇققا ئۇچرىشىنىڭ ئالدىنى ئېلىشقا ياردەم بېرىدۇ. ئۇ يەنە ئۈنۈملۈك توك قاچىلاش ماتېرىيالى سۈپىتىدە خىزمەت قىلالايدۇ، AR كۆزەينىكىدىكى توك باشقۇرۇش مودۇللىرىنى ئەلالاشتۇرالايدۇ.
ئاساسلىق قوللىنىش يۆنىلىشى
سۈنئىي ئەقىل/AR ئەينەك ئۈچۈن ئاساسلىق ئوپتىكىلىق زاپچاسلارs
- دىفراكسىيەلىك دولقۇن يېتەكلىگۈچ لىنزىلار: SiC ئاساسىي ماتېرىياللىرى چوڭ FOV نى قوللايدىغان ۋە قوس قۇمۇچ ئېففېكتىنى يوقىتىدىغان ئىنتايىن نېپىز ئوپتىكىلىق دولقۇن يېتەكلىگۈچلەرنى ياساشقا ئىشلىتىلىدۇ.
- دېرىزە تاختىلىرى ۋە پىرىزمىلار: خاسلاشتۇرۇلغان كېسىش ۋە پارقىراقلاشتۇرۇش ئارقىلىق، SiC نى AR كۆزەينىكى ئۈچۈن قوغداش دېرىزىلىرى ياكى ئوپتىكىلىق پىرىزمىلارغا ئايلاندۇرغىلى بولىدۇ، بۇ ئارقىلىق نۇر ئۆتكۈزۈشچانلىقى ۋە ئۇپراشقا چىدامچانلىقىنى ئاشۇرغىلى بولىدۇ.
باشقا ساھەلەردىكى كېڭەيتىلگەن قوللىنىشچان پروگراممىلار
- ئېلېكترونلۇق ئېلېكترون: يېڭى ئېنېرگىيەلىك ئاپتوموبىل ئىنۋېرتېرلىرى ۋە سانائەت ماتورىنى كونترول قىلىش قاتارلىق يۇقىرى چاستوتىلىق، يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ئەھۋاللاردا ئىشلىتىلىدۇ.
- كۋانت ئوپتىكىسى: رەڭ مەركەزلىرىنىڭ ساھىبخانىسى رولىنى ئوينايدۇ، كۋانت ئالاقىسى ۋە سېزىش ئۈسكۈنىلىرىنىڭ ئاساسىي قەۋىتىدە ئىشلىتىلىدۇ.
4 دىيۇملۇق ۋە 6 دىيۇملۇق HPSI SiC ئاساسىي قەۋىتىنىڭ ئۆلچەملىرىنى سېلىشتۇرۇش
| پارامېتىر | دەرىجە | 4 دىيۇملۇق ئاساسىي قەۋەت | 6 دىيۇملۇق ئاساسىي قەۋەت |
| دىئامېتىر | Z دەرىجىسى / D دەرىجىسى | 99.5 مىللىمېتىر - 100.0 مىللىمېتىر | 149.5 مىللىمېتىر - 150.0 مىللىمېتىر |
| كۆپ تىپلىق | Z دەرىجىسى / D دەرىجىسى | 4H | 4H |
| قېلىنلىقى | Z دەرىجىلىك | 500 μm ± 15 μm | 500 μm ± 15 μm |
| D دەرىجىلىك | 500 μm ± 25 μm | 500 μm ± 25 μm | |
| ۋافېر يۆنىلىشى | Z دەرىجىسى / D دەرىجىسى | ئوق ئۈستىدە: <0001> ± 0.5° | ئوق ئۈستىدە: <0001> ± 0.5° |
| مىكرو تۇرۇبا زىچلىقى | Z دەرىجىلىك | ≤ 1 سانتىمېتىر² | ≤ 1 سانتىمېتىر² |
| D دەرىجىلىك | ≤ 15 سانتىمېتىر² | ≤ 15 سانتىمېتىر² | |
| قارشىلىق كۆرسىتىش | Z دەرىجىلىك | ≥ 1E10 Ω·cm | ≥ 1E10 Ω·cm |
| D دەرىجىلىك | ≥ 1E5 Ω·cm | ≥ 1E5 Ω·cm | |
| ئاساسىي تۈزلەڭلىك يۆنىلىشى | Z دەرىجىسى / D دەرىجىسى | (10-10) ± 5.0° | (10-10) ± 5.0° |
| ئاساسىي تۈز ئۇزۇنلۇقى | Z دەرىجىسى / D دەرىجىسى | 32.5 مىللىمېتىر ± 2.0 مىللىمېتىر | چەمبەر |
| ئىككىنچى دەرىجىلىك تۈز ئۇزۇنلۇق | Z دەرىجىسى / D دەرىجىسى | 18.0 مىللىمېتىر ± 2.0 مىللىمېتىر | - |
| گىرۋەكنى چىقىرىۋېتىش | Z دەرىجىسى / D دەرىجىسى | 3 مىللىمېتىر | 3 مىللىمېتىر |
| LTV / TTV / Bow / Warp | Z دەرىجىلىك | ≤ 2.5 μm / ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 30 μm | ≤ 2.5 μm / ≤ 6 μm / ≤ 25 μm / ≤ 35 μm |
| D دەرىجىلىك | ≤ 10 μ m / ≤ 15 μ m / ≤ 25 μ mm / ≤ 40 mm | ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 40 μm / ≤ 80 μm | |
| قوپاللىق | Z دەرىجىلىك | پولشا Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0.2 nm | پولشا Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0.2 nm |
| D دەرىجىلىك | پولشا Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0.2 nm | پولشا Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0.5 nm | |
| گىرۋەك يېرىقلىرى | D دەرىجىلىك | ئومۇمىي كۆلىمى ≤ 0.1% | ئومۇمىي ئۇزۇنلۇقى ≤ 20 مىللىمېتىر، يەككە ئۇزۇنلۇقى ≤ 2 مىللىمېتىر |
| كۆپ خىل تىپتىكى رايونلار | D دەرىجىلىك | ئومۇمىي كۆلىمى ≤ 0.3% | يىغىندى كۆلىمى ≤ 3% |
| كۆرۈش كاربون قوشۇشلىرى | Z دەرىجىلىك | ئومۇمىي كۆلىمى ≤ 0.05% | ئومۇمىي كۆلىمى ≤ 0.05% |
| D دەرىجىلىك | ئومۇمىي كۆلىمى ≤ 0.3% | يىغىندى كۆلىمى ≤ 3% | |
| كرېمنىي يۈزىدىكى چىزىقلار | D دەرىجىلىك | 5 دانە رۇخسەت قىلىنىدۇ، ھەر بىرى ≤1 مىللىمېتىر | ئومۇمىي ئۇزۇنلۇق ≤ 1 x دىئامېتىر |
| گىرۋەك پارچىلىرى | Z دەرىجىلىك | رۇخسەت قىلىنمايدۇ (كەڭلىكى ۋە چوڭقۇرلۇقى ≥0.2mm) | رۇخسەت قىلىنمايدۇ (كەڭلىكى ۋە چوڭقۇرلۇقى ≥0.2mm) |
| D دەرىجىلىك | 7 دانە رۇخسەت قىلىنىدۇ، ھەر بىرى ≤1 مىللىمېتىر | 7 دانە رۇخسەت قىلىنىدۇ، ھەر بىرى ≤1 مىللىمېتىر | |
| يىپ ئۆتكۈزۈش ۋىنتىسىنىڭ چىقىرىلىشى | Z دەرىجىلىك | - | ≤ 500 سانتىمېتىر² |
| ئورالما | Z دەرىجىسى / D دەرىجىسى | كۆپ ۋافېرلىق كاسسېتا ياكى يەككە ۋافېرلىق قاچى | كۆپ ۋافېرلىق كاسسېتا ياكى يەككە ۋافېرلىق قاچى |
XKH مۇلازىمەتلىرى: بىر گەۋدىلەشكەن ئىشلەپچىقىرىش ۋە خاسلاشتۇرۇش ئىقتىدارى
XKH شىركىتى خام ماتېرىيالدىن تارتىپ تەييار ۋافلىلارغىچە بولغان تىك بىرلەشتۈرۈش ئىقتىدارىغا ئىگە بولۇپ، SiC ئاساسىي ماتېرىيالىنى ئۆستۈرۈش، كېسىش، سىلىقلاش ۋە خاسلاشتۇرۇلغان بىر تەرەپ قىلىشنىڭ پۈتۈن زەنجىرىنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ. ئاساسلىق مۇلازىمەت ئەۋزەللىكلىرى تۆۋەندىكىلەرنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ:
- ماتېرىياللارنىڭ كۆپ خىللىقى:بىز 4H-N تىپلىق، 4H-HPSI تىپلىق، 4H/6H-P تىپلىق ۋە 3C-N تىپلىق قاتارلىق ھەر خىل ۋافلى تىپلىرىنى تەمىنلىيەلەيمىز. قارشىلىق، قېلىنلىق ۋە يۆنىلىشنى تەلەپكە ئاساسەن تەڭشىگىلى بولىدۇ.
- ?ئەركىن چوڭلۇقتىكى خاسلاشتۇرۇش:بىز دىئامېتىرى 2 دىيۇمدىن 12 دىيۇمغىچە بولغان ۋافلى بىر تەرەپ قىلىشنى قوللايمىز، شۇنداقلا چاسا پارچىلار (مەسىلەن، 5x5mm، 10x10mm) ۋە نورمالسىز پىرىزما قاتارلىق ئالاھىدە قۇرۇلمىلارنى بىر تەرەپ قىلالايمىز.
- ئوپتىكىلىق دەرىجىلىك ئېنىقلىق كونترولى:ۋافېرنىڭ ئومۇمىي قېلىنلىق ئۆزگىرىشچانلىقى (TTV) نى <1μm، يۈزەكى پۇچۇقلۇقىنى Ra < 0.3nm دە ساقلىغىلى بولىدۇ، بۇ دولقۇن يېتەكلىگۈچ ئۈسكۈنىلىرىنىڭ نانو دەرىجىلىك تۈزلۈك تەلىپىگە ماس كېلىدۇ.
- بازارنىڭ تېز ئىنكاسى:بىر گەۋدىلەشكەن سودا مودېلى تەتقىقات ۋە تەرەققىياتتىن تۈركۈملەپ ئىشلەپچىقىرىشقىچە ئۈنۈملۈك ئۆتۈشنى كاپالەتلەندۈرىدۇ، كىچىك تۈركۈم تەكشۈرۈشتىن تارتىپ چوڭ ھەجىملىك توشۇشقىچە بولغان ھەممە نەرسىنى قوللايدۇ (يېتەكچىلىك ۋاقتى ئادەتتە 15-40 كۈن).

HPSI SiC ۋافېرىنىڭ كۆپ سورىلىدىغان سوئاللىرى
1-سوئال: نېمە ئۈچۈن HPSI SiC AR دولقۇن يېتەكلىگۈچ لىنزىلىرى ئۈچۈن ئەڭ ياخشى ماتېرىيال دەپ قارىلىدۇ؟
A1: ئۇنىڭ يۇقىرى سىنىش كۆرسەتكۈچى (2.6–2.7) نېپىز، تېخىمۇ ئۈنۈملۈك دولقۇن يېتەكلىگۈچ قۇرۇلمىلارنى قۇرۇشقا شارائىت ھازىرلاپ، «كەسكىن نۇر ئېففېكتى» نى يوقىتىپ، كەڭ دائىرىلىك كۆرۈش دائىرىسىنى (مەسىلەن، 70°–80°) قوللايدۇ.
2-سوئال: HPSI SiC سۈنئىي ئەقىل/AR كۆزەينىكىنىڭ ئىسسىقلىق باشقۇرۇشىنى قانداق ياخشىلايدۇ؟
A2: ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى 490 W/m·K غىچە (مىسقا يېقىن) بولۇپ، Micro-LED قاتارلىق زاپچاسلاردىن چىققان ئىسسىقلىقنى ئۈنۈملۈك تارقىتىپ، مۇقىم ئىشلەش ۋە ئۈسكۈنىنىڭ ئۆمرىنى ئۇزارتىشقا كاپالەتلىك قىلىدۇ.
3-سوئال: HPSI SiC كىيىشكە بولىدىغان كۆزەينەكلەر ئۈچۈن قانداق چىداملىق ئەۋزەللىكلەرنى تەمىنلەيدۇ؟
A3: ئۇنىڭ ئالاھىدە قاتتىقلىقى (Mohs 9.5) يۇقىرى چىداملىق بولۇپ، ئىستېمالچىلارغا ماس كېلىدىغان AR كۆزەينىكىدە كۈندىلىك ئىشلىتىشكە ناھايىتى چىداملىق.













