كرېمنىي كاربىدى (SiC) كەڭ بەلباغلىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىيال بولۇش سۈپىتى بىلەن، زامانىۋى پەن-تېخنىكىنىڭ قوللىنىلىشىدا بارغانسېرى مۇھىم رول ئويناۋاتىدۇ. كرېمنىي كاربىدى ئېسىل ئىسسىقلىق مۇقىملىقى، يۇقىرى ئېلېكتر مەيدانىغا بەرداشلىق بېرىش، قەستەن ئۆتكۈزۈشچانلىقى ۋە باشقا ئېسىل فىزىكىلىق ۋە ئوپتىكىلىق خۇسۇسىيەتلەرگە ئىگە بولۇپ، ئوپتوئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەر ۋە قۇياش ئېنېرگىيەسى ئۈسكۈنىلىرىدە كەڭ قوللىنىلىدۇ. تېخىمۇ ئۈنۈملۈك ۋە مۇقىم ئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەرگە بولغان ئېھتىياجنىڭ ئېشىشى سەۋەبىدىن، كرېمنىي كاربىدىنىڭ ئۆسۈش تېخنىكىسىنى ئىگىلەش قىزىق نۇقتىغا ئايلاندى.
سىز SiC نىڭ ئۆسۈش جەريانى ھەققىدە قانچىلىك بىلىسىز؟
بۈگۈن بىز كرېمنىي كاربىد يەككە كرىستاللىرىنى ئۆستۈرۈشنىڭ ئۈچ ئاساسلىق تېخنىكىسىنى مۇھاكىمە قىلىمىز: فىزىكىلىق پار توشۇش (PVT)، سۇيۇق باسقۇچلۇق ئېپىتاكسىيە (LPE) ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق خىمىيىلىك پار چۆكمىسى (HT-CVD).
فىزىكىلىق پار يۆتكەش ئۇسۇلى (PVT)
فىزىكىلىق پار يۆتكەش ئۇسۇلى ئەڭ كۆپ ئىشلىتىلىدىغان كرېمنىي كاربىد ئۆستۈرۈش جەريانلىرىنىڭ بىرى. يەككە كرىستاللىق كرېمنىي كاربىدنىڭ ئۆسۈشى ئاساسلىقى سىك پاراشوكىنى سۇبلىماتسىيە قىلىش ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرا شارائىتىدا ئۇرۇق كرىستالىغا قايتا چۆكۈش ئارقىلىق بولىدۇ. يېپىق گرافىت تېشىدا، كرېمنىي كاربىد پاراشوكى يۇقىرى تېمپېراتۇرىغا قىزىتىلىدۇ، تېمپېراتۇرا گرادىيېنتىنى كونترول قىلىش ئارقىلىق، كرېمنىي كاربىد پارى ئۇرۇق كرىستالىنىڭ يۈزىدە قويۇقلىشىدۇ ۋە ئاستا-ئاستا چوڭ تىپتىكى يەككە كرىستالنى ئۆستۈرىدۇ.
ھازىر بىز تەمىنلىگەن مونوكرىستاللىق SiC نىڭ كۆپ قىسمى مۇشۇ ئۇسۇلدا ئىشلەپچىقىرىلىدۇ. بۇ يەنە سانائەتتىكى ئاساسلىق ئۇسۇل.
سۇيۇق باسقۇچلۇق ئېپىتاكسىيە (LPE)
كرېمنىي كاربىد كرىستاللىرى قاتتىق-سۇيۇقلۇق چېگرىسىدىكى كرىستال ئۆسۈش جەريانى ئارقىلىق سۇيۇق باسقۇچلۇق ئېپىتاكسىيە ئارقىلىق تەييارلىنىدۇ. بۇ ئۇسۇلدا، كرېمنىي كاربىد پاراشوكى يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا كرېمنىي-كاربون ئېرىتمىسىدە ئېرىتىلىدۇ، ئاندىن تېمپېراتۇرا تۆۋەنلىتىلىدۇ، شۇنداق قىلىپ كرېمنىي كاربىد ئېرىتمىدىن چۆكمە ھاسىل بولۇپ، ئۇرۇق كرىستاللىرى ئۈستىدە ئۆسىدۇ. LPE ئۇسۇلىنىڭ ئاساسلىق ئەۋزەللىكى تۆۋەن ئۆسۈش تېمپېراتۇرىسىدا يۇقىرى سۈپەتلىك كرىستاللارغا ئېرىشىش ئىقتىدارى، تەننەرخى نىسبەتەن تۆۋەن ۋە چوڭ كۆلەمدە ئىشلەپچىقىرىشقا ماس كېلىدۇ.
يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق خىمىيىلىك پار چۆكمىسى (HT-CVD)
يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا رېئاكسىيە كامېراسىغا كرېمنىي ۋە كاربون تەركىبىدىكى گازنى كىرگۈزۈش ئارقىلىق، كرېمنىي كاربىدنىڭ يەككە كرىستال قەۋىتى خىمىيىلىك رېئاكسىيە ئارقىلىق بىۋاسىتە ئۇرۇق كرىستالىنىڭ يۈزىگە چۆكۈپ قالىدۇ. بۇ ئۇسۇلنىڭ ئەۋزەللىكى شۇكى، گازنىڭ ئېقىم سۈرئىتى ۋە رېئاكسىيە شارائىتىنى ئېنىق كونترول قىلغىلى بولىدۇ، شۇنداق قىلىپ يۇقىرى ساپلىقتىكى ۋە ئاز نۇقسانلىق كرېمنىي كاربىد كرىستالىغا ئېرىشكىلى بولىدۇ. HT-CVD جەريانى ئەلا سۈپەتلىك كرېمنىي كاربىد كرىستاللىرىنى ئىشلەپچىقىرالايدۇ، بۇ ئالاھىدە يۇقىرى سۈپەتلىك ماتېرىياللار تەلەپ قىلىنىدىغان قوللىنىشچان ساھەلەردە ئالاھىدە قىممەتكە ئىگە.
كرېمنىي كاربىدنىڭ ئۆسۈش جەريانى ئۇنىڭ قوللىنىلىشى ۋە تەرەققىياتىنىڭ ئاساسى. ئۈزلۈكسىز تېخنىكىلىق يېڭىلىق يارىتىش ۋە ئەلالاشتۇرۇش ئارقىلىق، بۇ ئۈچ ئۆسۈش ئۇسۇلى ھەر خىل ئەھۋاللارنىڭ ئېھتىياجىنى قاندۇرۇش ئۈچۈن ئايرىم-ئايرىم رولىنى ئوينايدۇ، كرېمنىي كاربىدنىڭ مۇھىم ئورنىنى كاپالەتلەندۈرىدۇ. تەتقىقاتنىڭ چوڭقۇرلىشىشى ۋە تېخنىكىلىق تەرەققىياتنىڭ ئىلگىرىلىشىگە ئەگىشىپ، كرېمنىي كاربىد ماتېرىياللىرىنىڭ ئۆسۈش جەريانى داۋاملىق ئەلالاشتۇرۇلىدۇ، ھەمدە ئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەرنىڭ ئىقتىدارى تېخىمۇ ياخشىلىنىدۇ.
(سانسورلاش)
ئېلان قىلىنغان ۋاقىت: 2024-يىلى 6-ئاينىڭ 23-كۈنى