3inch 76.2mm 4H-Semi SiC تارماق ۋاگون كرېمنىي كاربون يېرىم يېرىم ھاقارەتلەيدىغان SiC ۋافېر

3inch 76.2mm 4H-Semi SiC يەر ئاستى ۋافېر كرېمنىي كاربون يېرىم ھاقارەتلەيدىغان SiC ۋافېرلىرى ئالاھىدە رەسىم

قىسقىچە چۈشەندۈرۈش:

ئېلېكترونلۇق ۋە ئوپتىكىلىق ئېلېكترون كەسپىگە يۇقىرى سۈپەتلىك يەككە كىرىستال SiC wafer (كىرىمنىي كاربون).3inch SiC ۋافېر كېيىنكى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىيال ، دىئامېتىرى 3 دىيۇملۇق يېرىم ئىزولياتسىيىلىك كرېمنىي كاربون ۋافېر.ۋافېرلار توك ، RF ۋە ئوپتىكىلىق ئېلېكترون ئۈسكۈنىلىرىنى ياساش ئۈچۈن لايىھەلەنگەن.

بىزگە ئېلخەت ئەۋەتىڭ

مەھسۇلات تەپسىلاتى

مەھسۇلات خەتكۈچلىرى

مەھسۇلات ئۆلچىمى

3 دىيۇملۇق 4H يېرىم يېپىق ھالەتتىكى SiC (كرېمنىي كاربون) يەر ئاستى ۋافېر كۆپ ئىشلىتىلىدىغان يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىيال.4H تىتراخېخېدرالىق خرۇستال قۇرۇلمىنى كۆرسىتىدۇ.يېرىم ئىزولياتور دېگىنىمىز ، ئاستىرتتىننىڭ قارشىلىق ئىقتىدارى يۇقىرى بولۇپ ، نۆۋەتتىكى ئېقىندىن مەلۇم دەرىجىدە ئايرىلالايدۇ.

بۇ خىل يەر ئاستى ۋافېرنىڭ تۆۋەندىكىدەك ئالاھىدىلىكلىرى بار: ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى يۇقىرى ، ئۆتكۈزۈشچانلىقى تۆۋەن ، يۇقىرى تېمپېراتۇرىغا چىداملىق ، مېخانىك ۋە خىمىيىلىك مۇقىملىق.كرېمنىي كاربدنىڭ ئېنېرگىيە پەرقى كەڭ بولۇپ ، يۇقىرى تېمپېراتۇرا ۋە يۇقىرى ئېلېكتر مەيدانى شارائىتىغا بەرداشلىق بېرەلەيدىغان بولغاچقا ، 4H-SiC يېرىم يېپىق ھالەتتىكى ۋافېر ئېلېكترون ۋە رادىئو چاستوتىسى (RF) ئۈسكۈنىلىرىدە كەڭ قوللىنىلىدۇ.

4H-SiC يېرىم يېپىق ھالەتتىكى ۋافېرنىڭ ئاساسلىق قوللىنىلىشى:

1 - ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى: 4H-SiC ۋافېرنى MOSFETs (مېتال ئوكسىد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ مەيدان ئېففېكتى تىرانسفورموتور) ، IGBTs (ئىزولياتسىيىلىك دەرۋازا ئىككى قۇتۇپلۇق ترانس ist ورستور) ۋە شوتتكى دىئود قاتارلىق توك ئالماشتۇرۇش ئۈسكۈنىلىرىنى ياساشقا ئىشلىتىشكە بولىدۇ.بۇ ئۈسكۈنىلەرنىڭ يۇقىرى بېسىملىق ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرا مۇھىتىدا ئۆتكۈزگۈچ ۋە ئالماشتۇرۇش زىيىنى تۆۋەن بولۇپ ، تېخىمۇ يۇقىرى ئۈنۈم ۋە ئىشەنچلىكلىك بىلەن تەمىنلەيدۇ.

2 - رادىئو چاستوتىسى (RF) ئۈسكۈنىلىرى: 4H-SiC يېرىم يېپىق ھالەتتىكى ۋافېرنى يۇقىرى قۇۋۋەت ، يۇقىرى چاستوتىلىق RF قۇۋۋەت كۈچەيتكۈچ ، ئۆزەك قارشىلىق كۆرسەتكۈچى ، سۈزگۈچ ۋە باشقا ئۈسكۈنىلەرنى توقۇشقا ئىشلىتىشكە بولىدۇ.كىرىمنىي كاربوننىڭ ئېلېكتروننىڭ تويۇنۇش سۈرئىتى بىر قەدەر چوڭ ، ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى يۇقىرى بولغاچقا ، يۇقىرى چاستوتىلىق ئىقتىدار ۋە ئىسسىقلىق مۇقىملىقى تېخىمۇ ياخشى.

3 - ئوپتىكىلىق ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى: 4H-SiC يېرىم يېپىق ھالەتتىكى ۋافېرنى يۇقىرى قۇۋۋەتلىك لازېر دىئود ، ئۇلترا بىنەپشە نۇرنى تەكشۈرۈش ئۈسكۈنىسى ۋە ئوپتىكىلىق ئېلېكتر توپلاشتۇرۇلغان توك يولى ياساشقا ئىشلىتىشكە بولىدۇ.

بازار يۆنىلىشى جەھەتتە ، ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى ، RF ۋە ئوپتىكىلىق ئېلېكترون ساھەسىنىڭ كۈنسېرى ئېشىشىغا ئەگىشىپ ، 4H-SiC يېرىم يېپىق ھالەتتىكى ۋافېرغا بولغان ئېھتىياج كۈنسېرى ئېشىۋاتىدۇ.بۇ كرېمنىي كاربدنىڭ ئېنېرگىيە ئۈنۈمى ، توكلۇق ماشىنا ، قايتا ھاسىل بولىدىغان ئېنېرگىيە ۋە خەۋەرلىشىش قاتارلىق نۇرغۇن قوللىنىشچان پروگراممىلارنىڭ بولغانلىقىدىندۇر.كەلگۈسىدە ، 4H-SiC يېرىم يېپىق ھالەتتىكى ۋافېرنىڭ بازىرى يەنىلا ئۈمىدۋار بولۇپ ، ھەر خىل قوللىنىشچان پروگراممىلاردا ئەنئەنىۋى كرېمنىي ماتېرىياللىرىنىڭ ئورنىنى ئېلىشىدىن ئۈمىد بار.