4 دىيۇملۇق SiC Wafers 6H يېرىم ئىزولياتورلۇق SiC نىڭ دەسلەپكى ، تەتقىقاتى ۋە تۇتۇق دەرىجىسى

4 دىيۇملۇق SiC Wafers 6H يېرىم ئىزولياتورلۇق SiC دەسلەپكى ، تەتقىقات ۋە تۇتۇق دەرىجىدىكى ئالاھىدە رەسىم

قىسقىچە چۈشەندۈرۈش:

يېرىم ئىزولياتسىيىلىك كرېمنىي كاربون سۇ بىرىكمىسى يېرىم يېپىق كرېمنىي كاربون كرىستال ئۆسكەندىن كېيىن كېسىش ، ئۇۋىلاش ، سىلىقلاش ، تازىلاش ۋە باشقا پىششىقلاپ ئىشلەش تېخنىكىسى ئارقىلىق شەكىللىنىدۇ.يەر ئاستى قەۋىتىدە بىر قەۋەت ياكى كۆپ قەۋەتلىك خرۇستال قەۋەت ئۆستۈرۈلۈپ ، سۈپەتلىك بولۇش تەلىپىگە ماس كېلىدۇ ، ئاندىن مىكرو دولقۇنلۇق RF ئۈسكۈنىسى توك يولى لايىھىسى ۋە ئورالمىسىنى بىرلەشتۈرۈش ئارقىلىق ياسالغان.2 دىيۇملۇق 3 دىيۇملۇق 4 ديۇملۇق 6 دىيۇملۇق 8 دىيۇملۇق سانائەت ، تەتقىقات ۋە سىناق دەرىجىسى يېرىم يېپىق ھالەتتىكى كرېمنىي كاربون يەككە خرۇستال سۇيۇقلۇقى بار.

بىزگە ئېلخەت ئەۋەتىڭ

مەھسۇلات تەپسىلاتى

مەھسۇلات خەتكۈچلىرى

مەھسۇلات ئۆلچىمى

Grade			نۆل MPD ئىشلەپچىقىرىش دەرىجىسى (Z دەرىجىسى)			ئۆلچەملىك ئىشلەپچىقىرىش دەرىجىسى (P دەرىجىسى)		Dummy Grade (D Grade)
دىئامېتىرى			99.5 mm ~ 100.0 mm
	4H-SI		500 μm ± 20 μm			500 μm ± 25 μm
Wafer Orientation			Off axis: 4.0 ° to <1120> ± 0.5 ° for 4H-N, axis: <0001> ± 0.5 ° for 4H-SI
	4H-SI		≤1cm^-2			≤5 cm^-2		≤15 cm^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω · cm					≥1E5 Ω · cm
دەسلەپكى تەكشى يۆنىلىش		-10 10-10} ± 5.0 °
دەسلەپكى تەكشىلىك ئۇزۇنلۇقى		32.5 mm ± 2.0 mm
ئىككىلەمچى تەكشى ئۇزۇنلۇق		18.0 mm ± 2.0 mm
ئىككىلەمچى تەكشى يۆنىلىش		كرېمنىينىڭ يۈزى: 90 ° CW.Prime flat ± 5.0 °
Edge Exclusion		3 mm
LTV / TTV / Bow / Warp		≤3 μm / ≤5 μm / ≤15 μm / ≤30 μm						≤10 μm / ≤15 μm / ≤25 μm / ≤40 μm
قوپاللىق			C face				پولشا		Ra≤1 nm
			Si face	CMP	Ra≤0.2 nm					Ra≤0.5 nm
يۇقىرى زىچلىقتىكى نۇر ئارقىلىق قىر يېرىلىدۇ		ياق						جۇغلانما ئۇزۇنلۇقى ≤ 10 مىللىمېتىر ، يەككە ئۇزۇنلۇقى≤2 mm
Hex Plates by High Intensity Light		جۇغلانما رايونى ≤0.05%						جۇغلانما رايونى ≤0.1%
يۇقىرى زىچلىقتىكى نۇر ئارقىلىق كۆپ قۇتۇپلۇق رايونلار		ياق						جۇغلانما رايونى% 3
Visual Carbon Inclusion		جۇغلانما رايونى ≤0.05%						جۇغلانما رايونى% 3
يۇقىرى زىچلىقتىكى نۇر ئارقىلىق كرېمنىي يۈزى سىزىلىدۇ		ياق						جۇغلانما ئۇزۇنلۇقى ≤1 ＊ ۋافېر دىئامېتىرى
قىرلىق ئۆزەك يۇقىرى قويۇقلۇق دەرىجىسى بىلەن		كەڭلىكى ۋە چوڭقۇرلۇقى ≥0.2 مىللىمېتىر						5 رۇخسەت قىلىنغان ، ھەر بىرى mm1 مىللىمېتىر
يۇقىرى زىچلىقتىكى كىرىمنىي يۈزىنىڭ بۇلغىنىشى		ياق
ئورالما		كۆپ ۋافېرلىق قەغەز ياكى يەككە ۋافېر قاچىسى