مەھسۇلاتلار
-
SiC ئاساسىي قەۋىتى P تىپلىق 4H/6H-P 3C-N 4 دىيۇملۇق، قېلىنلىقى 350um، ئىشلەپچىقىرىش دەرىجىسى، ساختا دەرىجە
-
4H/6H-P 6 دىيۇملۇق SiC ۋافېر نۆل MPD دەرىجىلىك ئىشلەپچىقىرىش دەرىجىسى مودېل دەرىجىسى
-
P تىپلىق SiC ۋافېر 4H/6H-P 3C-N 6 دىيۇملۇق قېلىنلىقى 350 μm، ئاساسلىق تۈز يۆنىلىشلىك
-
ئاليۇمىن كېرامىك قول خاسلاشتۇرۇلغان كېرامىك روبوت قول
-
Al2O3 99.999% ساپفۇت خاسلاشتۇرۇلغان پىچاق، ئۇپراشقا چىداملىق شەفاف 38×4.5×0.3mmt
-
Al2O3 99.999% ساپفۇت خاسلاشتۇرۇلغان پىچاق، ئۇپراشقا چىداملىق شەفاف 38×4.5×0.3mmt
-
لىلاك YAG خام ماتېرىيالى پاراشوكى بىنەپشە رەڭلىك زاپاس ساقلانغان
-
كۋارتس سافىر BF33 ۋافلىدا TVG جەريانى ئەينەك ۋافلىغا سوقۇش
-
يەككە كىرىستاللىق سىلىكون ۋافېر Si ئاساسىي تىپ N/P قوشۇمچە سىلىكون كاربىد ۋافېر
-
N تىپلىق SiC بىرىكمە ئاساسلىرى دىئامېتىرى 6 دىيۇملۇق يۇقىرى سۈپەتلىك مونوكرىستال ۋە تۆۋەن سۈپەتلىك ئاساس
-
Si بىرىكمە ئاساسىي قەۋەتلىرىدىكى يېرىم ئىزولياتسىيەلىك SiC
-
يېرىم ئىزولياتسىيەلىك SiC بىرىكمە ئاساس قەغىزى، دىئامېتىرى 2 دىيۇملۇق، 4 دىيۇملۇق، 6 دىيۇملۇق، 8 دىيۇملۇق HPSI