ئاساسىي قاتلام
-
SiC ئاساسىي قەۋىتى 3 دىيۇملۇق 350um قېلىنلىقتىكى HPSI تىپىدىكى باش دەرىجىلىك قوشۇمچە دەرىجىلىك
-
كرېمنىي كاربىد SiC قۇيمىسى 6 دىيۇملۇق N تىپلىق مودېل/ئەڭ يۇقىرى قېلىنلىقتا خاسلاشتۇرغىلى بولىدۇ
-
6 دىيۇملۇق كرېمنىي كاربىد 4H-SiC يېرىم ئىزولياتسىيەلىك قۇيۇق، ساختا دەرىجىلىك
-
SiC قۇيۇش 4H تىپلىق دىئامېتىرى 4 دىيۇملۇق 6 دىيۇملۇق قېلىنلىقى 5-10mm تەتقىقات / ساختا دەرىجە
-
6 دىيۇملۇق ياقۇت Boule ياقۇت بوش يەككە كىرىستاللىق Al2O3 99.999%
-
Sic ئاساسىي قەۋىتى كرېمنىي كاربىد ۋافېرى 4H-N تىپلىق يۇقىرى قاتتىقلىق، چىرىشكە چىداملىق، بىرىنچى دەرىجىلىك سىلىقلاش
-
2 دىيۇملۇق كرېمنىي كاربىد ۋافېرى 6H-N تىپلىق ئاساسلىق دەرىجىلىك تەتقىقات دەرىجىسىدىكى مودېل دەرىجىسى 330μm 430μm قېلىنلىق
-
2 دىيۇملۇق كرېمنىي كاربىد ئاساسى 6H-N قوش يۈزلۈك سىلىقلانغان دىئامېتىرى 50.8mm ئىشلەپچىقىرىش دەرىجىسى تەتقىقات دەرىجىسى
-
p-تىپلىق 4H/6H-P 3C-N تىپلىق SIC ئاساسىي قەۋىتى 4 دىيۇملۇق 〈111〉± 0.5°نۆل MPD
-
SiC ئاساسىي قەۋىتى P تىپلىق 4H/6H-P 3C-N 4 دىيۇملۇق، قېلىنلىقى 350um، ئىشلەپچىقىرىش دەرىجىسى، ساختا دەرىجە
-
4H/6H-P 6 دىيۇملۇق SiC ۋافېر نۆل MPD دەرىجىلىك ئىشلەپچىقىرىش دەرىجىسى مودېل دەرىجىسى
-
P تىپلىق SiC ۋافېر 4H/6H-P 3C-N 6 دىيۇملۇق قېلىنلىقى 350 μm، ئاساسلىق تۈز يۆنىلىشلىك