12 دىيۇملۇق SIC ئاساسى كرېمنىي كاربىد ئاساسلىق دەرىجىلىك دىئامېتىرى 300mm چوڭ رازمېرلىق 4H-N يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ئۈسكۈنىلەرنىڭ ئىسسىقلىق تارقىتىشىغا ماس كېلىدۇ.

قىسقىچە چۈشەندۈرۈش:

12 دىيۇملۇق كرېمنىي كاربىد ئاساسى (SiC ئاساسى) كرېمنىي كاربىدنىڭ بىر كرىستالىدىن ياسالغان چوڭ تىپتىكى، يۇقىرى ئىقتىدارلىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىيال ئاساسى. كرېمنىي كاربىد (SiC) ئېلېكتر، ئىسسىقلىق ۋە مېخانىكىلىق خۇسۇسىيەتلىرى ئەلا بولغان كەڭ بەلباغلىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىيال بولۇپ، يۇقىرى قۇۋۋەتلىك، يۇقىرى چاستوتا ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق مۇھىتتا ئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەرنى ئىشلەپچىقىرىشتا كەڭ قوللىنىلىدۇ. 12 دىيۇملۇق (300 مىللىمېتىر) ئاساسى كرېمنىي كاربىد تېخنىكىسىنىڭ ھازىرقى ئىلغار ئۆلچىمى بولۇپ، ئىشلەپچىقىرىش ئۈنۈمىنى زور دەرىجىدە ياخشىلاپ، تەننەرخنى تۆۋەنلىتىدۇ.

بىزگە ئېلخەت ئەۋەتىڭ

ئالاھىدىلىكلەر

مەھسۇلات ئالاھىدىلىكلىرى

1. يۇقىرى ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى: كرېمنىي كاربىدنىڭ ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى كرېمنىينىڭكىدىن 3 ھەسسىدىن ئارتۇق بولۇپ، يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ئۈسكۈنىلەرنىڭ ئىسسىقلىق تارقىتىشىغا ماس كېلىدۇ.

2. يۇقىرى پارچىلىنىش مەيدانى كۈچلۈكلۈكى: پارچىلىنىش مەيدانى كۈچلۈكلۈكى كرېمنىينىڭكىدىن 10 ھەسسە يۇقىرى بولۇپ، يۇقىرى بېسىملىق قوللىنىشچان پروگراممىلارغا ماس كېلىدۇ.

3. كەڭ بەلۋاغ بوشلۇقى: بەلۋاغ بوشلۇقى 3.26eV (4H-SiC) بولۇپ، يۇقىرى تېمپېراتۇرا ۋە يۇقىرى چاستوتىلىق قوللىنىشچان پروگراممىلارغا ماس كېلىدۇ.

4. يۇقىرى قاتتىقلىق: موھس قاتتىقلىقى 9.2 بولۇپ، ئالماستىن قالسىلا ئىككىنچى ئورۇندا تۇرىدۇ، ئۇپراشقا چىدامچانلىقى ۋە مېخانىكىلىق كۈچى ناھايىتى ياخشى.

5. خىمىيىلىك مۇقىملىقى: كۈچلۈك چىرىشكە چىداملىق، يۇقىرى تېمپېراتۇرا ۋە قاتتىق مۇھىتتا مۇقىم ئىقتىدارغا ئىگە.

6. چوڭ ئۆلچىمى: 12 دىيۇملۇق (300mm) ئاساسىي قەۋەت، ئىشلەپچىقىرىش ئۈنۈمىنى يۇقىرى كۆتۈرىدۇ، بىرلىك تەننەرخىنى تۆۋەنلىتىدۇ.

7. تۆۋەن نۇقسان زىچلىقى: تۆۋەن نۇقسان زىچلىقى ۋە يۇقىرى تۇراقلىقلىقنى كاپالەتلەندۈرۈش ئۈچۈن يۇقىرى سۈپەتلىك يەككە كىرىستال ئۆستۈرۈش تېخنىكىسى.

مەھسۇلاتنىڭ ئاساسلىق قوللىنىش يۆنىلىشى

1. ئېلېكترونلۇق ئېلېكترون ئۈسكۈنىلىرى:

موسفېتلار: ئېلېكتر ماشىنىلىرى، سانائەت ماتور قوزغاتقۇچلىرى ۋە توك ئۆزگەرتكۈچلىرىدە ئىشلىتىلىدۇ.

دىئودلار: مەسىلەن، شوتكى دىئودى (SBD)، ئۈنۈملۈك تۈزىتىش ۋە ئالماشتۇرۇش توك مەنبەسى ئۈچۈن ئىشلىتىلىدۇ.

2. رادىئو چاستوتا ئۈسكۈنىلىرى:

رادىئو چاستوتا كۈچەيتكۈچ: 5G ئالاقە بازا پونكىتلىرى ۋە سۈنئىي ھەمراھ ئالاقىسىدە ئىشلىتىلىدۇ.

مىكرو دولقۇنلۇق ئۈسكۈنىلەر: رادار ۋە سىمسىز ئالاقە سىستېمىلىرىغا ماس كېلىدۇ.

3. يېڭى ئېنېرگىيەلىك ئاپتوموبىللار:

ئېلېكتر قوزغاتقۇچ سىستېمىسى: ئېلېكتر ماشىنىلىرى ئۈچۈن ماتور كونتروللىغۇچلىرى ۋە ئىنۋېرتېرلار.

زەرەتلەش ئۈيۈمى: تېز زەرەتلەش ئۈسكۈنىلىرى ئۈچۈن توك مودۇلى.

4. سانائەت قوللىنىشلىرى:

يۇقىرى ۋولتلۇق ئۆزگەرتكۈچ: سانائەت ماتورىنى كونترول قىلىش ۋە ئېنېرگىيە باشقۇرۇش ئۈچۈن ئىشلىتىلىدۇ.

ئەقلىي ئىقتىدارلىق تور: HVDC يەتكۈزۈش ۋە ئېلېكترونلۇق توك ئالماشتۇرۇش ئۈسكۈنىلىرى ئۈچۈن.

5. ئاۋىئاتسىيە-ئالەم قاتنىشى:

يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى: ئاۋىئاتسىيە ئۈسكۈنىلىرىنىڭ يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق مۇھىتىغا ماس كېلىدۇ.

6. تەتقىقات ساھەسى:

كەڭ بەلۋاغلىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچ تەتقىقاتى: يېڭى يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللىرى ۋە ئۈسكۈنىلىرىنى تەرەققىي قىلدۇرۇش ئۈچۈن.

12 دىيۇملۇق كرېمنىي كاربىد ئاساسى يۇقىرى ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى، يۇقىرى پارچىلىنىش مەيدانى كۈچلۈكلۈكى ۋە كەڭ بەلباغ بوشلۇقى قاتارلىق ئەلا خۇسۇسىيەتلەرگە ئىگە بىر خىل يۇقىرى ئىقتىدارلىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىيال ئاساسى. ئۇ ئېلېكترونلۇق ئېلېكترون، رادىئو چاستوتا ئۈسكۈنىلىرى، يېڭى ئېنېرگىيەلىك ئاپتوموبىللار، سانائەت كونترول قىلىش ۋە ئاۋىئاتسىيە قاتارلىق ساھەلەردە كەڭ قوللىنىلىدۇ، شۇنداقلا كېيىنكى ئەۋلاد ئۈنۈملۈك ۋە يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ئېلېكترونلۇق ئۈسكۈنىلەرنى تەرەققىي قىلدۇرۇشنى ئىلگىرى سۈرۈشتىكى مۇھىم ماتېرىيال.

كرېمنىي كاربىد ئاساسى ھازىر AR كۆزەينىكى قاتارلىق ئىستېمال ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرىدا بىۋاسىتە قوللىنىلىش دائىرىسىنى ئازايتسىمۇ، ئۇلارنىڭ ئۈنۈملۈك توك باشقۇرۇش ۋە كىچىك ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى ساھەسىدىكى پوتېنسىيالى كەلگۈسىدىكى AR/VR ئۈسكۈنىلىرى ئۈچۈن يېنىك، يۇقىرى ئىقتىدارلىق توك بىلەن تەمىنلەش چارىلىرىنى قوللىيالايدۇ. ھازىر كرېمنىي كاربىد ئاساسىنىڭ ئاساسلىق تەرەققىياتى يېڭى ئېنېرگىيەلىك ئاپتوموبىللار، ئالاقە ئۇل ئەسلىھەلىرى ۋە سانائەت ئاپتوماتلاشتۇرۇش قاتارلىق سانائەت ساھەلىرىگە مەركەزلەشكەن بولۇپ، يېرىم ئۆتكۈزگۈچ سانائىتىنىڭ تېخىمۇ ئۈنۈملۈك ۋە ئىشەنچلىك يۆنىلىشتە تەرەققىي قىلىشىغا تۈرتكە بولىدۇ.

XKH شىركىتى يۇقىرى سۈپەتلىك 12 دانە SIC ئاساسىي تاختىسىنى ئومۇميۈزلۈك تېخنىكىلىق قوللاش ۋە مۇلازىمەت بىلەن تەمىنلەشكە ۋەدە بېرىدۇ، بۇنىڭ ئىچىدە:

1. خاسلاشتۇرۇلغان ئىشلەپچىقىرىش: خېرىدارلارنىڭ ئېھتىياجىغا ئاساسەن ھەر خىل قارشىلىق، كىرىستال يۆنىلىشى ۋە يۈزەكى بىر تەرەپ قىلىش ئاساسى بىلەن تەمىنلەش كېرەك.

2. جەرياننى ئەلالاشتۇرۇش: مەھسۇلاتنىڭ ئىقتىدارىنى ياخشىلاش ئۈچۈن خېرىدارلارغا ئېپىتاكسىيە ئۆسۈشى، ئۈسكۈنە ئىشلەپچىقىرىش ۋە باشقا جەريانلارغا تېخنىكىلىق ياردەم بېرىش.

3. سىناق ۋە گۇۋاھنامە بېرىش: ئاساسىي ماتېرىيالنىڭ كەسىپ ئۆلچىمىگە ماس كېلىشىگە كاپالەتلىك قىلىش ئۈچۈن قاتتىق نۇقسان بايقاش ۋە سۈپەت گۇۋاھنامىسى بىلەن تەمىنلەڭ.

4. تەتقىقات ۋە تەرەققىيات ھەمكارلىقى: تېخنىكىلىق يېڭىلىق يارىتىشنى ئىلگىرى سۈرۈش ئۈچۈن خېرىدارلار بىلەن بىرلىكتە يېڭى كرېمنىي كاربىد ئۈسكۈنىلىرىنى تەرەققىي قىلدۇرۇش.

سانلىق مەلۇمات دىئاگراممىسى

1 2 دىيۇملۇق كرېمنىي كاربىد (SiC) ئاساسىي قەۋىتىنىڭ ئۆلچىمى
دەرىجە		ZeroMPD ئىشلەپچىقىرىش دەرىجە (Z دەرىجە)	ئۆلچەملىك ئىشلەپچىقىرىش دەرىجە (P دەرىجە)		ساختا دەرىجە (D دەرىجىلىك)
دىئامېتىر		3 0 0 مىللىمېتىر ~ 305 مىللىمېتىر
قېلىنلىقى	4H-N	750μm±15 μm	750μm±25 μm
	4H-SI	750μm±15 μm	750μm±25 μm
ۋافېر يۆنىلىشى		ئوق سىرتىدىكى: 4H-N ئۈچۈن <1120 >±0.5° غا قاراپ 4.0°، ئوق ئۈستىدە: 4H-SI ئۈچۈن <0001>±0.5°
مىكرو تۇرۇبا زىچلىقى	4H-N	≤0.4cm-2	≤4cm-2		≤25cm-2
	4H-SI	≤5cm-2	≤10cm-2		≤25cm-2
قارشىلىق	4H-N	0.015~0.024 Ω·cm			0.015~0.028 Ω·cm
	4H-SI	≥1E10 Ω·cm			≥1E5 Ω·cm
ئاساسلىق تۈزلەڭلىك يۆنىلىشى		{10-10} ±5.0°
ئاساسلىق تۈز ئۇزۇنلۇقى	4H-N	يوق
	4H-SI	چەمبەر
قىرنى چىقىرىۋېتىش		3 مىللىمېتىر
LTV/TTV/Bow /Warp		≤5μm / ≤15μm / ≤35 mm / ≤55 mm			≤5μm / ≤15μm / ≤35 □ μm / ≤55 □ μm
قوپاللىق		پولشا Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.2nm			Ra≤0.5nm
يۇقىرى كۈچلۈكلۈكتىكى چىراغنىڭ گىرۋەك يېرىلىشى يۇقىرى كۈچلۈكلۈكتىكى چىراغ ئارقىلىق ئالتە تەرەپلىك تاختىلار يۇقىرى كۈچلۈكلۈكتىكى چىراغ ئارقىلىق كۆپ خىل رايونلار كۆرۈش كاربون قوشۇشلىرى يۇقىرى كۈچلۈكلۈكتىكى چىراغنىڭ كرېمنىي يۈزىدىكى تىرناقلىرى		يوق ئومۇمىي كۆلىمى ≤0.05% يوق ئومۇمىي كۆلىمى ≤0.05% يوق			ئومۇمىي ئۇزۇنلۇقى ≤ 20 مىللىمېتىر، يەككە ئۇزۇنلۇقى ≤ 2 مىللىمېتىر ئومۇمىي كۆلىمى ≤0.1% ئومۇمىي كۆلىمى ≤3% ئومۇمىي كۆلىمى ≤3% يىغىندى ئۇزۇنلۇقى ≤1 × ۋافېر دىئامېتىرى
يۇقىرى كۈچلۈكلۈكتىكى چىراغ ئارقىلىق گىرۋەك چىپلىرى		كەڭلىكى ۋە چوڭقۇرلۇقى ≥0.2mm غا رۇخسەت قىلىنمايدۇ			7 قېتىم رۇخسەت قىلىنىدۇ، ھەر بىرى ≤1 مىللىمېتىر
(TSD) تىشلىق ۋىنتنىڭ چىقىپ كېتىشى		≤500 cm-2		يوق
(BPD) ئاساسىي تۈزلەڭلىكنىڭ چىقىپ كېتىشى		≤1000 cm-2		يوق
يۇقىرى كۈچلۈكلۈكتىكى نۇرنىڭ كرېمنىي يۈزىنىڭ بۇلغىنىشى		يوق
ئورالما		كۆپ ۋافېرلىق كاسسېتا ياكى يەككە ۋافېرلىق قاچى
ئىزاھاتلار:
1 نۇقسان چەكلىمىسى گىرۋەكنىڭ چىقىرىۋېتىلىش رايونىدىن باشقا پۈتۈن ۋافلىنىڭ يۈزىگە تەتبىقلىنىدۇ. 2. چىزىقلارنى پەقەت Si يۈزىدىلا تەكشۈرۈش كېرەك. 3 چىقىش سانلىق مەلۇماتلىرى پەقەت KOH ئويۇلغان ۋافلىلاردىن ئېلىنغان.

XKH شىركىتى 12 دىيۇملۇق چوڭلۇقتىكى، تۆۋەن نۇقسانلىق ۋە يۇقىرى تۇراقلىقلىقتىكى كرېمنىي كاربىد ئاساسىي قەۋىتىنىڭ بۆسۈشىنى ئىلگىرى سۈرۈش ئۈچۈن تەتقىقات ۋە تەرەققىياتقا مەبلەغ سېلىشنى داۋاملاشتۇرىدۇ، XKH بولسا ئىستېمال ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى (مەسىلەن، AR/VR ئۈسكۈنىلىرىنىڭ توك مودۇلى) ۋە كۋانت ھېسابلاش قاتارلىق يېڭىدىن گۈللىنىۋاتقان ساھەلەردە قوللىنىشىنى تەكشۈرىدۇ. XKH چىقىمنى تۆۋەنلىتىش ۋە سىغىمىنى ئاشۇرۇش ئارقىلىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچ كەسپىگە گۈللىنىش ئېلىپ كېلىدۇ.