4 دىيۇملۇق يېرىم ھاقارەتلىك SiC ۋافلىلىرى HPSI SiC ئاساسىي قەۋىتى ئەڭ يۇقىرى ئىشلەپچىقىرىش دەرىجىسى
مەھسۇلات ئۆلچىمى
كرېمنىي كاربىدى (SiC) كاربون ۋە كرېمنىي ئېلېمېنتلىرىدىن تەركىب تاپقان بىرىكمە يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىيال بولۇپ، يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق، يۇقىرى چاستوتىلىق، يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ۋە يۇقىرى ۋولتلۇق ئۈسكۈنىلەرنى ياساشتىكى ئەڭ ياخشى ماتېرىياللارنىڭ بىرى. ئەنئەنىۋى كرېمنىي ماتېرىيالى (Si) بىلەن سېلىشتۇرغاندا، كرېمنىي كاربىدىنىڭ چەكلەنگەن بەلباغ كەڭلىكى كرېمنىينىڭكىدىن ئۈچ ھەسسە، ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى كرېمنىينىڭكىدىن 4-5 ھەسسە، پارچىلىنىش توك بېسىمى كرېمنىينىڭكىدىن 8-10 ھەسسە، ئېلېكتروننىڭ تويۇنۇش سۈرئىتى كرېمنىينىڭكىدىن 2-3 ھەسسە، بۇ زامانىۋى سانائەتنىڭ يۇقىرى قۇۋۋەتلىك، يۇقىرى ۋولتلۇق ۋە يۇقىرى چاستوتىلىقلارغا بولغان ئېھتىياجىنى قاندۇرىدۇ، ئۇ ئاساسلىقى يۇقىرى سۈرئەتلىك، يۇقىرى چاستوتىلىق، يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ۋە نۇر چىقىرىدىغان ئېلېكترونلۇق زاپچاسلارنى ياساشقا ئىشلىتىلىدۇ، ئۇنىڭ كېيىنكى قوللىنىش ساھەلىرى ئەقلىي ئىقتىدارلىق تور، يېڭى ئېنېرگىيەلىك ئاپتوموبىللار، فوتوۋولتائىك شامال ئېنېرگىيەسى، 5G ئالاقە قاتارلىقلارنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ. ئېلېكتر ئۈسكۈنىلىرى ساھەسىدە، كرېمنىي كاربىد دىئود ۋە MOSFET سودا خاراكتېرلىك قوللىنىلىشقا باشلىدى.
SiC ۋافېرلىرى/SiC ئاساسىي قەۋىتىنىڭ ئەۋزەللىكلىرى
يۇقىرى تېمپېراتۇرىغا چىداملىق. كرېمنىي كاربىدنىڭ چەكلەنگەن بەلباغ كەڭلىكى كرېمنىينىڭكىدىن 2-3 ھەسسە چوڭ، شۇڭا ئېلېكترونلارنىڭ يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا سەكرىشى ئېھتىماللىقى تۆۋەن ۋە يۇقىرى ئىشلىتىش تېمپېراتۇرىسىغا بەرداشلىق بېرەلەيدۇ، كرېمنىي كاربىدنىڭ ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى كرېمنىينىڭكىدىن 4-5 ھەسسە يۇقىرى بولۇپ، ئۈسكۈنىدىن ئىسسىقلىقنى تارقىتىشنى ئاسانلاشتۇرىدۇ ۋە يۇقىرى چەكلىمە ئىشلىتىش تېمپېراتۇرىسىغا ئېرىشىشكە شارائىت ھازىرلايدۇ. يۇقىرى تېمپېراتۇرا خۇسۇسىيىتى توك زىچلىقىنى كۆرۈنەرلىك دەرىجىدە ئاشۇرالايدۇ، شۇنىڭ بىلەن بىر ۋاقىتتا ئىسسىقلىق تارقىتىش سىستېمىسىغا بولغان تەلەپنى تۆۋەنلىتىپ، تېرمىنالنى تېخىمۇ يېنىك ۋە كىچىكلىتىدۇ.
يۇقىرى توك بېسىمىغا قارشىلىق كۆرسىتىش. كرېمنىي كاربىدنىڭ پارچىلىنىش مەيدانى كۈچلۈكلۈكى كرېمنىينىڭكىدىن 10 ھەسسە يۇقىرى بولۇپ، ئۇنىڭ يۇقىرى توك بېسىمىغا بەرداشلىق بېرىشىگە شارائىت ھازىرلاپ، يۇقىرى توك بېسىملىق ئۈسكۈنىلەرگە تېخىمۇ ماس كېلىدۇ.
يۇقىرى چاستوتا قارشىلىقى. كرېمنىي كاربىدىنىڭ تويۇنۇش ئېلېكترون سۈركىلىش سۈرئىتى كرېمنىينىڭكىدىن ئىككى ھەسسە يۇقىرى، شۇڭا ئۇنىڭ ئۈسكۈنىلىرىنىڭ تاقىلىش جەريانىدا ھازىرقى سۈركىلىش ھادىسىسى مەۋجۇت ئەمەس، ئۈسكۈنىنىڭ ئالماشتۇرۇش چاستوتىسىنى ئۈنۈملۈك ياخشىلاپ، ئۈسكۈنىنىڭ كىچىكلىتىلىشىگە ئېرىشكىلى بولىدۇ.
ئېنېرگىيە يوقىتىشى تۆۋەن. كرېمنىي كاربىدنىڭ كرېمنىي ماتېرىياللىرىغا سېلىشتۇرغاندا قارشىلىق كۆرسىتىش كۈچى ناھايىتى تۆۋەن، ئۆتكۈزۈشچانلىقى تۆۋەن؛ شۇنىڭ بىلەن بىر ۋاقىتتا، كرېمنىي كاربىدنىڭ يۇقىرى بەلباغ كەڭلىكى ئېقىش ئېقىمى ۋە توك يوقىتىشىنى كۆرۈنەرلىك دەرىجىدە تۆۋەنلىتىدۇ؛ بۇنىڭدىن باشقا، كرېمنىي كاربىد ئۈسكۈنىلىرىنىڭ تاقىلىش جەريانىدا توك سۆرەش ھادىسىسى مەۋجۇت ئەمەس، ئالماشتۇرۇش يوقىتىشى تۆۋەن.
تەپسىلىي دىئاگرامما
