5G / 6G خەۋەرلىشىش ئۈچۈن LiTaO3 Wafer 2inch-8inch 10x10x0.5 mm 1sp 2sp

LiTaO3 Wafer 2inch-8inch 10x10x0.5 mm 1sp 2sp 5G / 6G خەۋەرلىشىش رەسىملىرى

قىسقىچە چۈشەندۈرۈش:

LiTaO3 Wafer (لىتىي تانتالات ۋافېر) ، ئۈچىنچى ئەۋلاد يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ۋە ئوپتىكىلىق ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرىنىڭ مۇھىم ماتېرىيالى ، ئۇنىڭ كۇرىينىڭ يۇقىرى تېمپېراتۇرىسى (610 سېلسىيە گرادۇس) ، كەڭ سۈزۈكلۈك دائىرىسى (0.4-5.0 مىللىمېتىر) ، يۇقىرى پيېزو ئېلېكتر كوئېففىتسېنتى (d33> 1500 pC / N) ، تۆۋەن دەرىجىدىكى دىئېلېكتورلۇق يوقىتىش كىۋانت ئۈسكۈنىلىرى. فىزىكىلىق ھور توشۇش (PVT) ۋە خىمىيىلىك ھور چۆكمىسى (CVD) قاتارلىق ئىلغار توقۇلما تېخنىكىلاردىن پايدىلىنىپ ، XKH X / Y / Z كېسىش ، 42 ° Y كېسىش ۋە قەرەللىك قۇتۇپ (PPLT) ۋافېرنى 2 ~ 8 دىيۇملۇق شەكىلدە تەمىنلەيدۇ ، يەر يۈزىنىڭ يىرىكلىكى (Ra) <0.5 nm ۋە مىكرو تۇرۇبا زىچلىقى <0.1 cm⁻². مۇلازىمىتىمىز Fe doping ، خىمىيىلىك ئازايتىش ۋە Smart-Cut گېروگېننى بىرلەشتۈرۈشنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ ، يۇقىرى ئىقتىدارلىق ئوپتىكىلىق سۈزگۈچ ، ئىنفىرا قىزىل نۇر تەكشۈرگۈچ ۋە كىۋانت نۇر مەنبەسىنى بىر تەرەپ قىلىدۇ. بۇ ماتېرىيال كىچىكلىتىش ، يۇقىرى چاستوتىلىق مەشغۇلات ۋە ئىسسىقلىق مۇقىملىقى قاتارلىق جەھەتلەردە بۆسۈش ھاسىل قىلىپ ، ھالقىلىق تېخنىكىلارنىڭ دۆلەت ئىچىدىكى ئورنىنى تېزلىتىدۇ.

بىزگە ئېلخەت ئەۋەتىڭ

Features

تېخنىكىلىق پارامېتىرلار

ئىسمى	ئوپتىكىلىق دەرىجىدىكى LiTaO3	ئاۋاز جەدۋىلى سەۋىيىسى LiTaO3
Axial	Z cut + / - 0.2 °	36 ° Y كېسىش / 42 ° Y كېسىش / X كېسىش (+ / - 0.2 °)
دىئامېتىرى	76.2mm + / - 0.3mm / 100 ± 0.2mm	76.2mm + /-0.3mm 100mm + /-0.3mm 0r 150 ± 0.5mm
Datum plane	22mm + / - 2mm	22mm + / -2mm 32mm + / -2mm
قېلىنلىق	500um + / -5mm 1000um + / -5mm	500um + / -20mm 350um + / -20mm
TTV	≤ 10um	≤ 10um
كۇرى تېمپېراتۇرىسى	605 ° C + / - 0.7 ° C (DTAmethod)	605 ° C + / -3 ° C (DTAmethod
يەر يۈزى سۈپىتى	قوش يۈزلۈك سىلىقلاش	قوش يۈزلۈك سىلىقلاش
چامغۇر قىرلىرى	edge rounding	edge rounding

ئاچقۇچلۇق ئالاھىدىلىك

1. ئېلېكتر ۋە ئوپتىكىلىق ئىقتىدار
· ئېلېكتر ئوپتىكىلىق كوئېففىتسېنتى: r33 كەچ سائەت 30 / V (X كېسىلگەن) گە يېتىدۇ ، LiNbO3 دىن 1.5 × يۇقىرى ، دەرىجىدىن تاشقىرى كەڭ بەلۋاغلىق ئېلېكتر ئوپتىكىلىق مودۇللاشتۇرالايدۇ (> 40 GHz كەڭ بەلۋاغ).
· كەڭ بەلۋاغ ئىنكاسى: تارقىلىش دائىرىسى 0.4-5.0 mm (قېلىنلىقى 8 مىللىمېتىر) ، ئۇلترا بىنەپشە نۇرنىڭ سۈمۈرۈلۈش گىرۋىكى 280 nm ، UV لازېر ۋە كىۋانت چېكىت ئۈسكۈنىلىرىگە ماس كېلىدۇ.
· تۆۋەن ئېلېكتر ئېنېرگىيىسى كوئېففىتسېنتى: dP / dT = 3.5 × 10⁻⁴ C / (m² · K) ، يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق ئىنفىرا قىزىل نۇرلۇق سېنزورنىڭ مۇقىملىقىغا كاپالەتلىك قىلىدۇ.

2. ئىسسىقلىق ۋە مېخانىكىلىق خۇسۇسىيەت
· يۇقىرى ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى: 4.6 W / m · K (X كېسىلگەن) ، كۋارتسنىڭ تۆت ھەسسىسىگە تەڭ ، -200-500 ° C ئىسسىقلىق ۋېلىسىپىت مىنىش.
تۆۋەن تېمپېراتۇرىنى كېڭەيتىش كوئېففىتسېنتى: CTE = 4.1 × 10⁻⁶ / K (25-1000 ° C) ، كىرىمنىي ئورالمىسىغا ماسلىشىپ ، ئىسسىقلىق بېسىمىنى تۆۋەنلىتىدۇ.
3. كونترول قىلىش ۋە بىر تەرەپ قىلىش ئېنىقلىقى
· مىكرو تۇرۇبا زىچلىقى: <0.1 cm⁻² (8 دىيۇملۇق ۋافېر) ، يۆتكىلىش زىچلىقى <500 cm⁻² (KOH قىرىش ئارقىلىق تەكشۈرۈلگەن).
· Surface سۈپىتى: CMP سىلىقلاشتۇرۇلغان Ra <0.5 nm ، EUV تاش مەتبەئە دەرىجىلىك تەكشىلىك تەلىپىگە ماس كېلىدۇ.

ئاچقۇچلۇق پروگراممىلار

Domain	قوللىنىشچان سىنارىيە	تېخنىكىلىق ئەۋزەللىكى
ئوپتىكىلىق خەۋەرلىشىش	100G / 400G DWDM لازېر ، كرېمنىي فوتونكا ئارىلاش ماتورلۇق مودۇل	LiTaO3 ۋافېرنىڭ كەڭ سپېكترىلىق تارقىلىشى ۋە تۆۋەن دولقۇن نۇرنىڭ يوقىلىشى (α <0.1 dB / cm) C بەلۋاغنىڭ كېڭىيىشىنى قوزغىتىدۇ.
5G / 6G خەۋەرلىشىش	SAW سۈزگۈچ (1.8–3.5 GHz) ، BAW-SMR سۈزگۈچ	42 ° Y كېسىلگەن ۋافېرلار Kt²>% 15 كە يېتىدۇ ، تۆۋەن قىستۇرما يوقىتىش (<1.5 dB) ۋە يۇقىرى ئۆرلەش (> 30 dB).
Quantum Technologies	يەككە فوتون تەكشۈرگۈچ ، پارامېتىرلىق تۆۋەنگە ئايلاندۇرۇش مەنبەسى	يۇقىرى سىزىقلىق كوئېففىتسېنت (χ (2) = 40 pm / V) ۋە تۆۋەن قاراڭغۇ ھېسابلاش نىسبىتى (<100 count / s) كىۋانتنىڭ ساداقەتمەنلىكىنى ئاشۇرىدۇ.
سانائەت سېزىمى	يۇقىرى تېمپېراتۇرا بېسىم سېنزورى ، نۆۋەتتىكى تىرانسفورموتور	LiTaO3 ۋافېرنىڭ ئېلېكتر ئېنېرگىيىسى ئىنكاسى (g33> 20 mV / m) ۋە يۇقىرى تېمپېراتۇرىغا بەرداشلىق بېرىش (> 400 ° C) ئىنتايىن ناچار مۇھىتقا ماس كېلىدۇ.

XKH مۇلازىمىتى

1. ئىختىيارى ۋافېر ياساش

· رازمېرى ۋە كېسىش: X / Y / Z كېسىلگەن 2 ~ 8 دىيۇملۇق ۋافېر ، 42 ° Y كېسىش ۋە ئىختىيارى بۇلۇڭ كېسىش (± 0.01 ° بەرداشلىق بېرىش).

دورىنى كونترول قىلىش: Fe ، Mg دوپپا Czochralski ئۇسۇلى (قويۇقلۇقى 10¹⁶ - 10¹⁹ cm¹⁹) ئارقىلىق ئېلېكتر ئوپتىكىلىق كوئېففىتسېنت ۋە ئىسسىقلىق مۇقىملىقىنى ئەلالاشتۇرىدۇ.

2. ئىلغار جەريان تېخنىكىسى
?
· قەرەللىك پولشا (PPLT): LTOI ۋافېرلىرى ئۈچۈن ئەقلىي ئىقتىدارلىق كېسىش تېخنىكىسى ، 10 nm دائىرە دەۋرى ئېنىقلىقى ۋە كۋاس باسقۇچى ماسلاشتۇرۇلغان (QPM) چاستوتا ئايلاندۇرۇشنى ئەمەلگە ئاشۇرىدۇ.

· گېروگېنلىق بىرىكتۈرۈش: Si نى ئاساس قىلغان LiTaO3 بىرىكمە ۋافېر (POI) قېلىنلىقنى كونترول قىلىش (300-600 nm) ، يۇقىرى چاستوتىلىق SAW سۈزگۈچنىڭ ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى 8.78 W / m · K غا يېتىدۇ.

3. سۈپەت باشقۇرۇش سىستېمىسى
?
· ئاخىرىدىن ئاخىرىغىچە سىناق: رامان سپېكتروسكوپى (كۆپ خىل شەكىلنى دەلىللەش) ، XRD (كىرىستاللىق) ، AFM (يەر يۈزى مورفولوگىيىسى) ۋە ئوپتىكىلىق بىردەكلىك سىنىقى (Δn <5 × 10⁻⁵).

4. يەر شارى تەمىنلەش زەنجىرىنى قوللاش
?
· ئىشلەپچىقىرىش ئىقتىدارى: ئايلىق چىقىرىش> 5000 ۋافېر (8 دىيۇم:% 70) ، 48 سائەتلىك جىددىي قۇتقۇزۇش.

· ئەشيا ئوبوروت تورى: تېمپېراتۇرا كونترول قىلىنىدىغان ئورالمىلار بىلەن ھاۋا / دېڭىز يۈكلىرى ئارقىلىق ياۋروپا ، شىمالىي ئامېرىكا ۋە ئاسىيا-تىنچ ئوكياندىكى قاپلاش.