LT لىتىي تانتالات (LiTaO3) كرىستال 2inch/3inch/4inch/6寸寸寸寸导 Y-42°/36°/108° قېلىنلىقى 250-500um

LT لىتىي تانتالات (LiTaO3) كرىستال 2 دىيۇملۇق/3 دىيۇملۇق/4 دىيۇملۇق/6 دىيۇملۇق شەرق رەڭلىك Y-42°/36°/108° قېلىنلىقى 250-500um ئالاھىدە رەسىم

قىسقىچە چۈشەندۈرۈش:

LiTaO₃ لېفتىلىرى مۇھىم پىيېزوئېلېكتر ۋە فېرروئېلېكتر ماتېرىيال سىستېمىسىنى ئىپادىلەيدۇ، ئالاھىدە پىيېزوئېلېكتر كوئېففىتسېنتى، ئىسسىقلىق مۇقىملىقى ۋە ئوپتىكىلىق خۇسۇسىيەتلەرنى نامايان قىلىدۇ، بۇ ئۇلارنى يۈزەكى ئاۋاز دولقۇنى (SAW) فىلتىرى، چوڭ مىقداردىكى ئاۋاز دولقۇنى (BAW) رېزوناتورى، ئوپتىكىلىق مودۇلياتور ۋە ئىنفىرا قىزىل نۇر دېتېكتورلىرى ئۈچۈن مۇھىم قىلىدۇ. XKH يۇقىرى سۈپەتلىك LiTaO₃ لېفتىلىرىنى تەتقىق قىلىش ۋە ئىشلەپچىقىرىشقا ئىختىساسلاشقان بولۇپ، ئىلغار Czochralski (CZ) كىرىستال ئۆستۈرۈش ۋە سۇيۇق باسقۇچلۇق ئېپىتاكسىيە (LPE) جەريانلىرىنى ئىشلىتىپ، كەمتۈكلۈك زىچلىقى <100/cm² بولغان كىرىستالنىڭ بىر خىللىقىنى كاپالەتلەندۈرىدۇ.

XKH كۆپ خىل كىرىستاللىق يۆنىلىشكە (X-كېسىش، Y-كېسىش، Z-كېسىش) ئىگە 3 دىيۇملۇق، 4 دىيۇملۇق ۋە 6 دىيۇملۇق LiTaO₃ ۋافېرلىرى بىلەن تەمىنلەيدۇ، بۇلار ئالاھىدە قوللىنىش تەلىپىگە ماس كېلىدىغان خاسلاشتۇرۇلغان قوشۇش (Mg، Zn) ۋە پوللاشتۇرۇش بىر تەرەپ قىلىش ئۇسۇللىرىنى قوللايدۇ. ماتېرىيالنىڭ دىئېلېكترىك تۇراقلىقى (ε~40-50)، پىئېزوئېلېكتر كوئېففىتسېنتى (d₃₃~8-10 pC/N) ۋە كۇرى تېمپېراتۇرىسى (~600°C) LiTaO₃ نى يۇقىرى چاستوتىلىق سۈزگۈچ ۋە ئېنىقلىق سېنزورلىرى ئۈچۈن ئەڭ ياخشى ئاساس قىلىپ بېكىتىدۇ.

بىزنىڭ تىك بىر گەۋدىلەشكەن ئىشلەپچىقىرىشىمىز كىرىستال ئۆستۈرۈش، ۋاففېرلاش، سىلىقلاش ۋە نېپىز پەردە قويۇشنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ، ئايلىق ئىشلەپچىقىرىش ئىقتىدارى 3000 ۋاففېردىن ئېشىپ، 5G ئالاقە، ئىستېمال ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى، فوتونىكا ۋە مۇداپىئە سانائىتىگە مۇلازىمەت قىلىدۇ. بىز ئەلالاشتۇرۇلغان LiTaO₃ ھەل قىلىش چارىلىرىنى تەمىنلەش ئۈچۈن ئومۇميۈزلۈك تېخنىكىلىق مەسلىھەت بېرىش، ئۈلگە خاراكتېرى ۋە ئاز مىقداردىكى ئۈلگە ياساش مۇلازىمىتى بىلەن تەمىنلەيمىز.

بىزگە ئېلخەت ئەۋەتىڭ

ئالاھىدىلىكلەر

تېخنىكىلىق پارامېتىرلار

ئىسىم	ئوپتىكىلىق دەرىجىلىك LiTaO3	ئاۋاز دەرىجىسى جەدۋىلى LiTaO3
ئوق شەكىللىك	Z كېسىش + / - 0.2 گرادۇس	36° Y كېسىش / 42° Y كېسىش / X كېسىش(+ / - 0.2 گرادۇس)
دىئامېتىر	76.2mm + / - 0.3mm/100±0.2mm	76.2mm + /-0.3mm100mm + /-0.3mm 0r 150±0.5mm
سانلىق مەلۇمات تۈزلەڭلىكى	22mm + / - 2mm	22mm + /-2mm32mm + /-2mm
قېلىنلىقى	500um + /-5mm1000um + /-5mm	500um + /-20mm350um + /-20mm
TTV	≤ 10 um	≤ 10 um
كۇرى تېمپېراتۇرىسى	605 °C + / - 0.7 °C (DTA ئۇسۇلى)	605 °C + / -3 °C (DTA ئۇسۇلى
يۈزە سۈپىتى	ئىككى تەرەپلىك سىلىقلاش	ئىككى تەرەپلىك سىلىقلاش
قىيسىق گىرۋەكلەر	قىرنى يۇمىلاقلاش	قىرنى يۇمىلاقلاش

ئاساسلىق ئالاھىدىلىكلەر

1. كىرىستال قۇرۇلمىسى ۋە ئېلېكتر ئىقتىدارى

· كىرىستاللىق مۇقىملىق: %100 4H-SiC كۆپ خىل تىپ ئۈستۈنلۈكنى ئىگىلەيدۇ، كۆپ كىرىستاللىق قوشۇلۇش يوق (مەسىلەن، 6H/15R)، XRD تەۋرىنىش ئەگرى سىزىقىنىڭ تولۇق كەڭلىكى يېرىم ئەڭ چوڭ (FWHM) ≤32.7 ئارس سېكۇنت.
· يۇقىرى توشۇغۇچى ھەرىكەتچانلىقى: ئېلېكترون ھەرىكەتچانلىقى 5400 cm²/V·s (4H-SiC) ۋە تۆشۈك ھەرىكەتچانلىقى 380 cm²/V·s بولۇپ، يۇقىرى چاستوتىلىق ئۈسكۈنە لايىھىلەشنى يولغا قويىدۇ.
·رادىئاتسىيە قاتتىقلىقى: 1 MeV نېيترون نۇرلىنىشىغا بەرداشلىق بېرەلەيدۇ، يۆتكىلىشچان زىيان چېكى 1×10¹⁵ n/cm² بولۇپ، ئاۋىئاتسىيە ۋە يادرو قوراللىرى ئۈچۈن ئەڭ ماس كېلىدۇ.

2. ئىسسىقلىق ۋە مېخانىكىلىق خۇسۇسىيەتلەر

· ئالاھىدە ئىسسىقلىق ئۆتكۈزۈشچانلىقى: 4.9 W/cm·K (4H-SiC)، كرېمنىينىڭكىدىن ئۈچ ھەسسە يۇقىرى، 200 سېلسىيە گرادۇستىن يۇقىرى تېمپېراتۇرىدا ئىشلەشنى قوللايدۇ.
· تۆۋەن ئىسسىقلىق كېڭىيىش كوئېففىتسېنتى: CTE 4.0 × 10⁻⁶/K (25–1000°C) بولۇپ، كرېمنىي ئاساسلىق ئورالما بىلەن ماسلىشىشچانلىقىنى كاپالەتلەندۈرىدۇ ۋە ئىسسىقلىق بېسىمىنى ئەڭ تۆۋەن چەككە چۈشۈرىدۇ.

3. نۇقسانلارنى كونترول قىلىش ۋە بىر تەرەپ قىلىشنىڭ ئېنىقلىقى
?
· مىكرو تۇرۇبا زىچلىقى: <0.3 cm⁻² (8 دىيۇملۇق ۋافلىلار)، چىقىش زىچلىقى <1000 cm⁻² (KOH ئويۇش ئارقىلىق دەلىللەنگەن).
· يۈزەكى سۈپىتى: CMP بىلەن Ra <0.2 nm غىچە سىلىقلانغان، EUV لىتوگرافىيە دەرىجىلىك تۈزلۈك تەلىپىگە ئۇيغۇن.

ئاچقۇچلۇق قوللىنىشچان پروگراممىلار

دومېن	قوللىنىش سىنارىيەلىرى	تېخنىكىلىق ئەۋزەللىكلەر
ئوپتىكىلىق ئالاقە	100G/400G لازېرلىرى، كرېمنىي فوتونىك گىبرىد مودۇللىرى	InP ئۇرۇق سۇبستراتلىرى بىۋاسىتە بەلۋاغ بوشلۇقى (1.34 eV) ۋە Si ئاساسلىق ھېتېروئېپىتاكسىيەنى ئىشقا سېلىپ، ئوپتىكىلىق باغلىنىش يوقىتىشىنى ئازايتىدۇ.
يېڭى ئېنېرگىيەلىك ئاپتوموبىللار	800V يۇقىرى ۋولتلۇق ئىنۋېرتېر، ئىچكى قۇۋۋەتلەندۈرگۈچ (OBC)	4H-SiC ئاساسىي ماتېرىياللىرى >1200 V غا بەرداشلىق بېرىپ، ئۆتكۈزۈشچانلىق زىيىنىنى %50، سىستېما ھەجىمىنى %40 تۆۋەنلىتىدۇ.
5G ئالاقە	مىللىمېتىر دولقۇنلۇق RF ئۈسكۈنىلىرى (PA/LNA)، بازا ئىستانسىسىنىڭ توك كۈچەيتكۈچلىرى	يېرىم ئىزولياتسىيەلىك SiC ئاساسىي قەۋىتى (قارشىلىق >10⁵ Ω·cm) يۇقىرى چاستوتىلىق (60 GHz+) پاسسىپ بىرلەشتۈرۈشنى قوللايدۇ.
سانائەت ئۈسكۈنىلىرى	يۇقىرى تېمپېراتۇرا سېنزورلىرى، توك ئۆزگەرتكۈچلىرى، يادرو رېئاكتورى كۆزىتىش ئۈسكۈنىلىرى	InSb ئۇرۇق سۇبستراتلىرى (0.17 eV بەلۋاغ بوشلۇقى) 10 T دا 300% گىچە ماگنىتلىق سەزگۈرلۈك بىلەن تەمىنلەيدۇ.

LiTaO₃ ۋافلىلىرى - ئاساسلىق ئالاھىدىلىكلىرى

1. يۇقىرى پىئېزوئېلېكترلىق ئىقتىدار

· يۇقىرى پىئېزوئېلېكتر كوئېففىتسېنتى (d₃₃~8-10 pC/N, K²~0.5%) 5G RF سۈزگۈچلىرى ئۈچۈن كىرگۈزۈش زىيىنى <1.5dB بولغان يۇقىرى چاستوتىلىق SAW/BAW ئۈسكۈنىلىرىنى ئىشلىتىشكە شارائىت ھازىرلايدۇ.

· 6GHz دىن تۆۋەن ۋە mmWave قوللىنىشچان پروگراممىلىرى ئۈچۈن كەڭ بەلباغلىق (≥5%) فىلتىر لايىھەلىرىنى قوللايدۇ.

2. ئوپتىكىلىق خۇسۇسىيەتلەر

· 40 GHz دىن يۇقىرى بەلباغ كەڭلىكىگە يېتىش ئۈچۈن كەڭ بەلباغ سۈزۈكلۈكى (400-5000nm ئارىلىقىدا >70% يەتكۈزۈش)

· كۈچلۈك سىزىقسىز ئوپتىكىلىق سەزگۈرلۈك (χ⁽²⁾~30pm/V) لازېر سىستېمىسىدا ئىككىنچى گارمونىك ھاسىل قىلىشنى (SHG) ئىلگىرى سۈرىدۇ.

3. مۇھىت مۇقىملىقى

· يۇقىرى كۇرى تېمپېراتۇرىسى (600 سېلسىيە گرادۇس) ئاپتوموبىل دەرىجىلىك (-40 سېلسىيە گرادۇستىن 150 سېلسىيە گرادۇسقىچە) مۇھىتتا پىئېزوئېلېكتر ئىنكاسىنى ساقلايدۇ.

· كىسلاتا/ئىشكارلارغا قارشى خىمىيىلىك ئىنېرتلىق (pH1-13) سانائەت سېنزور قوللىنىشچان پروگراممىلىرىنىڭ ئىشەنچلىكلىكىنى كاپالەتلەندۈرىدۇ.

4. خاسلاشتۇرۇش ئىقتىدارى

· يۆنىلىش قۇرۇلۇشى: خاسلاشتۇرۇلغان پىئېزوئېلېكتر ئىنكاسى ئۈچۈن X شەكىللىك كېسىش (51°)، Y شەكىللىك كېسىش (0°)، Z شەكىللىك كېسىش (36°)

· دوپلاش تاللانمىلىرى: ماگنىي قوشۇلغان (ئوپتىكىلىق زەخمىگە قارشى تۇرۇش)، زىن قوشۇلغان (كۈچەيتىلگەن d₃₃)

· يۈزەكى رەڭلەر: ئېپىتاكسىيالغا تەييار سىلىقلاش (Ra <0.5nm)، ITO/Au مېتاللاشتۇرۇش

LiTaO₃ ۋافلىلىرى - ئاساسلىق ئىشلىتىلىشى

1. رادىئو چاستوتا ئالدى تەرەپ مودۇللىرى

· 5G NR SAW فىلتىرلىرى (Band n77/n79)، تېمپېراتۇرا كوئېففىتسېنتى چاستوتا (TCF) <|-15ppm/°C|

· WiFi 6E/7 (5.925-7.125GHz) ئۈچۈن ئۇلترا كەڭ بەلباغلىق BAW رېزوناتورلىرى

2. بىرلەشتۈرۈلگەن فوتونىكا

· ماسلاشقان ئوپتىكىلىق ئالاقە ئۈچۈن يۇقىرى سۈرئەتلىك Mach-Zehnder مودۇلياتورلىرى (>100Gbps)

· 3-14μm ئارىلىقىدا تەڭشىگىلى بولىدىغان كېسىش دولقۇن ئۇزۇنلۇقىغا ئىگە QWIP ئىنفىرا قىزىل نۇر دېتېكتورلىرى

3. ئاپتوموبىل ئېلېكترون مەھسۇلاتلىرى

· 200kHz دىن يۇقىرى ئىش چاستوتىسى بار ئۇلترا ئاۋاز دولقۇنى توختىتىش سېنزورى

· TPMS پىئېزوئېلېكتر ئۆزگەرتكۈچلىرى -40 سېلسىيە گرادۇستىن 125 سېلسىيە گرادۇسقىچە بولغان تېمپېراتۇرا دەۋرىيلىكىگە چىداملىق

4. مۇداپىئە سىستېمىلىرى

· 60dB دىن يۇقىرى دولقۇنلۇق ئاۋاز دولقۇنىنى رەت قىلىش ئىقتىدارىغا ئىگە EW قوبۇللىغۇچ فىلتىرلىرى

· 3-5μm MWIR رادىئاتسىيەسىنى تارقىتىدىغان راكېتا ئىزدىگۈچنىڭ ئىنفىرا قىزىل نۇر دېرىزىلىرى

5. يېڭىدىن گۈللىنىۋاتقان تېخنىكىلار

· مىكرو دولقۇندىن ئوپتىكىغا ئايلاندۇرۇش ئۈچۈن ئوپتومېخانىكىلىق كۋانت ئۆزگەرتكۈچلىرى

· داۋالاش ئۇلترا ئاۋاز دولقۇنى سۈرەتكە ئېلىش ئۈچۈن PMUT قۇرۇلمىسى (> 20MHz ئېنىقلىق دەرىجىسى)

LiTaO₃ ۋافلىلىرى - XKH مۇلازىمەتلىرى

1. تەمىنلەش زەنجىرىنى باشقۇرۇش

· ئۆلچەملىك ئۆلچەملەر ئۈچۈن 4 ھەپتىلىك ئىشلەپچىقىرىش ۋاقتى بىلەن بولېدىن ۋافېرغا بىر تەرەپ قىلىش

· تەننەرخى ئەڭ ياخشى ئىشلەپچىقىرىش رىقابەتچىلەرگە سېلىشتۇرغاندا %10-15 باھا ئەۋزەللىكىنى بېرىدۇ

2. خاسلاشتۇرۇلغان ھەل قىلىش چارىلىرى

· يۆنىلىشكە خاس ۋافلىلاش: ئەڭ ياخشى SAW ئىقتىدارى ئۈچۈن 36°±0.5° Y-كېسىش

· قوشۇلغان تەركىبلەر: ئوپتىكىلىق قوللىنىشچان پروگراممىلار ئۈچۈن MgO (5mol%) قوشۇلغان

مېتاللاشتۇرۇش مۇلازىمىتى: Cr/Au (100/1000Å) ئېلېكترود قېلىپلاش

3. تېخنىكىلىق قوللاش

· ماتېرىيال خاراكتېرى: XRD تەۋرىنىش ئەگرى سىزىقى (FWHM <0.01°)، AFM يۈزە ئانالىزى

· ئۈسكۈنە سىمۇلياتسىيەسى: SAW فىلتىرى لايىھەسىنى ئەلالاشتۇرۇش ئۈچۈن FEM مودېلى

خۇلاسە

LiTaO₃ لېنتىلىرى رادىئو چاستوتا ئالاقىسى، بىر گەۋدىلەشكەن فوتونىكا ۋە قاتتىق مۇھىت سېنزورلىرى قاتارلىق ساھەلەردە تېخنىكىلىق ئىلگىرىلەشلەرنى داۋاملىق ئىلگىرى سۈرمەكتە. XKH نىڭ ماتېرىيال ساھەسىدىكى ماھارىتى، ئىشلەپچىقىرىش ئېنىقلىقى ۋە قوللىنىشچان قۇرۇلۇش قوللىشى خېرىدارلارنىڭ كېيىنكى ئەۋلاد ئېلېكترونلۇق سىستېمىلارنىڭ لايىھەلەش قىيىنچىلىقلىرىنى يېڭىشىگە ياردەم بېرىدۇ.